過去35年，存儲行情最長只火了5年，這次呢？

作者簡介：

湯之上隆先生為日本精密加工研究所所長，曾長期在日本制造業的生產第一線從事半導體研發工作，2000年獲得京都大學工學博士學位，之后一直從事和半導體行業有關的教學、研究、顧問及新聞工作者等工作，曾撰寫《日本“半導體”的失敗》、《“電機、半導體”潰敗的教訓》、《失去的制造業：日本制造業的敗北》等著作。

在AI的強勁推動下，存儲市場正經歷“爆發式增長”。這場“存儲泡沫”究竟能持續多久？讓我們結合存儲市場的發展歷程來探討這一問題。同時，正因為目前市場處于超級景氣期，我將提出一些“為應對不景氣做準備”的建議。

01

存儲市場“大爆發”

現在，半導體行業，尤其是存儲市場，正在呈現出堪稱“大爆發”的異常擴張。用“表現良好”或者“市場活躍”這樣溫和的詞語，已經無法充分表達這一現象。只要看一眼圖表，任何人都會被它的非同尋常所震住。

圖1是基于WSTS（世界半導體市場統計）的數據，展示了從1991年到2026年5月，按種類劃分的半導體3個月移動平均出貨金額。Mos Micro（包括處理器和微控制器）、Mos Memory（半導體存儲，包括DRAM和NAND型閃存等）、Logic（邏輯）和Analog（模擬）這四大主要類別，在過去30多年里，雖然伴隨著景氣與不景氣的波動，但總體上大致并行，并呈現緩慢上升的趨勢。這就是半導體行業一路走來的“正常歷史”。

圖1 按種類劃分的半導體3個月移動平均出貨金額（截至2026年4月）；出處：作者基于WSTS數據制作

然而，從2024年前后開始，Logic，以及最近的Mos Memory，完全無視此前的常識，以字面意義上接近垂直的角度跳漲。尤其是存儲的增長非常異常，勢頭仿佛要突破圖表的上沿。這種急劇的上升態勢，讓人感覺此前30年積累的增長歷史，仿佛只是為了這次騰躍而進行的助跑。

以筆者多年定點觀察半導體市場的經驗來看，過去從未出現過存儲市場以如此陡峭角度起飛的例子。可以說，這是一個動搖半導體產業結構本身的歷史性異常事態。

02

約10年增長約10倍

同比增長率驚人達到285%

圖2展示的是把這場爆發限定在2016年以后來看。Mos Memory的月度出貨金額在2016年約為56億美元左右。之后，雖然在2017至2018年的“存儲泡沫”中曾一度升溫，但到了2023年初的不景氣時期，又跌落到僅58億美元。這是半導體低迷期的谷底。

圖2 按種類劃分的半導體3個月移動平均出貨金額（2016年—2026年4月）；出處：作者基于WSTS數據制作

然而，從那之后的恢復，不，應該說暴漲，勢頭極其猛烈。截至2026年5月，存儲的月度出貨金額已經飆升至633億美元。若以2016年的水平為基準，這意味著在約10年間增長了11倍以上。若與處于谷底的2023年初相比，則僅僅數年間就增長了約10.7倍。

同樣在圖2中，包括NVIDIA GPU在內的Logic，也從133億美元擴大至316億美元，這里也清楚地體現出“NVIDIA的GPU效應”以及“AI效應”。盡管如此，在存儲爆發式增長面前，就連Logic的增長都顯得溫和了。

若從增長率來看，這種異常現象則更為突出。圖3顯示的是同一數據的同比增長率，Mos Memory最近的同比增長率高達285%，創下了史無前例的紀錄。

圖3 按種類劃分的半導體3個月移動平均出貨金額的同比增長率（截至2026年4月）；出處：作者基于WSTS數據制作

作為參考，過去“存儲泡沫”的峰值（2017年前后）時，同比增長率也只有60%多。與之相比，就可以看出這一次的增長是多么不同量級。觀察同一張圖3中的其他三個類別，即便是Logic也只有40%多，Mos Micro和Analog則僅停留在14%至19%左右。也就是說，只有存儲真正呈現出了“異次元”的增長。

03

DRAM和NAND爆發式擴大

觀察存儲市場的內部結構，爆發的主角是DRAM和NAND型閃存（以下稱NAND）這兩大存儲產品。圖4是基于TrendForce的數據，按季度展示DRAM和NAND的全球市場規模。

圖4 DRAM和NAND的全球市場（2026年第2季度為TrendForce預測）；出處：作者基于TrendForce“數據追蹤”的數據制作

2023年初，正值半導體行業低迷之際，DRAM和NAND的規模分別降至97億美元和87億美元，雙雙觸底。當時正是各家存儲廠商相繼陷入虧損、被迫減產的黑暗時期。

然而，到了2026年第2季度，預計DRAM將跳升至1450億美元，NAND將跳升至810億美元。與處于谷底的2023年初相比，DRAM增長了約15倍，NAND增長了約9倍。若將兩者合計，單季度達到2260億美元，按年換算超過9000億美元，已經達到一時難以置信的規模。

過去曾被認為“存儲便宜是理所當然”“屬于大宗商品、通用產品”的產品，如今正在試圖從Logic和MPU等Mos Micro手中，奪取半導體行業主角的位置。

04

原因是存儲價格、晶圓價格的異常高漲

為什么存儲市場會膨脹到這種程度？這里的關鍵在于，這種爆發并不是單純由“賣得很多”這種出貨數量增加所導致的。最大的原因在于，存儲價格本身的異常高漲。

圖5顯示的是DRAM（DDR5 16Gb 2Gx8）的Spot（現貨）價格，以及NAND（1Tb TLC Wafer）的晶圓價格走勢。DRAM的Spot價格在2025年初僅為4.7美元，而最近已經高漲至46.0美元，約為10倍。NAND的晶圓價格也從2.4美元跳升至25.0美元，同樣也上漲了約10倍。

圖5 DRAM（DDR5 16Gb 2Gx8）和NAND（1Tb TLC Wafer）的Spot價格高漲；出處：作者基于TrendForce“數據追蹤”的數據制作

也就是說，市場規模在金額基礎上變成約10倍的最大原因，并不是因為出貨數量變成了10倍，而是因為“單價”高漲到了約10倍。即便賣出同樣數量的存儲，銷售額也會變成10倍。這就是存儲市場按金額計算實現爆發式增長的奧秘。

對于存儲廠商來說，這是再好不過的經營環境。畢竟，即便不大幅增加設備投資，價格也會自己上漲，因此利潤率會劇烈改善。正如后文將要提到的，存儲廠商股價高漲，其背景也在于這種異常價格上漲帶來的收益急劇擴大。

05

價格高漲的背景

超大規模云服務商的異常巨額投資

那么，為什么存儲價格會高漲到這種程度？原因在于需求遠超供應，而追溯這一需求的源頭，就會發現這源于超大規模云服務商所進行的、名副其實只能用“異常”來形容的巨額投資。

圖6顯示的是前四大超大規模云服務商（Amazon、Google、Microsoft、Meta）的設備投資額走勢。2015年，4家公司合計僅為210億美元。即便如此，在當時也被視為“巨額”。

圖6 前四大超大規模云服務商的設備投資額；出處：作者基于各公司財報以及TrendForce數據等制作

然而，2022年11月OpenAI發布ChatGPT，生成式AI熱潮被點燃之后，這一設備投資的增長曲線急劇攀升。2025年，4家公司合計達到3550億美元，而2026年預測則預計將實際達到7550億美元。從2015年開始僅僅10多年，約為36倍，這是令人難以想象的投資熱潮。

7550億美元這一金額，換算成日元將輕松超過120萬億日元。僅僅4家公司，試圖在1年內向數據中心和AI基礎設施投入相當于日本國家預算（一般會計）規模的資金。大家應該能明白，這是一種多么偏離常軌的事態。

06

AI數據中心這個“黑洞”

這一巨額投資的最終去向，就是AI數據中心。圖7以示意圖的形式展示了當前正在發生的情況。

圖7 為什么DRAM和NAND價格會高漲

超大規模云服務商像競爭一樣投資AI數據中心，其結果是，AI訓練和推理所不可或缺的半導體——也就是NVIDIA等公司的GPU、搭載在GPU上的高帶寬內存（HBM），以及作為大容量存儲、搭載NAND閃存的SSD，正在一個接一個被吸入AI數據中心這個“黑洞”。

存儲廠商會最優先生產利潤率較高的HBM，以及面向數據中心的高性能DRAM和NAND。這是理所當然的經營判斷。其結果是，產線的產能被轉向AI用途，分配給其他用途的部分急劇減少。

受到這種擠壓最嚴重的，是面向PC、智能手機、游戲機等數字家電（消費類設備）的DRAM和NAND。面向這些產品的存儲極度短缺，已陷入“完全供不應求”的狀態。

在供應能力有限的情況下，如果需求向AI數據中心一極集中，那么面向消費類設備的存儲當然會枯竭。于是，各方開始爭奪有限供應，價格急劇上漲。這正是直接導致前述存儲價格異常高漲的原因。

實際上，PC制造商和智能手機制造商已經開始發出悲鳴：拿不到存儲，采購成本急漲，不得不轉嫁到產品價格上。在AI繁榮的背后，我們身邊的數字設備漲價，甚至陷入缺貨的諷刺局面，這一情況正逐漸成為現實。

07

半導體市場預測“完全錯了”

筆者在2023年曾經對到2032年為止的世界半導體市場進行過預測。這就是圖8。筆者分析了過去半導體產業的歷史，并將“PC效應”“互聯網效應”“智能手機效應”，以及今后將要到來的“AI半導體效應”納入考量，認為半導體市場大致會以“10年翻一倍”的速度增長。這個預測認為，到2032年市場將達到約1.2萬億美元。以當時的標準來看，這已是一個相當樂觀的預測。

圖8 2023年進行的世界半導體市場預測；出處：基于WSTS數據以及作者預測制作

但是，這個預測完全錯了。而且，是因為過于保守而錯了。

請看圖9。根據WSTS（世界半導體統計）的2026年春季預測，世界半導體市場在2024年為6305億美元，2025年為7956億美元，而到2026年將達到1.5112萬億美元，終于超過1.5萬億美元。并且到2027年將達到1.9137萬億美元，以接近2萬億美元的勢頭擴大。

圖9 世界半導體市場因AI熱潮急劇擴大，預測大幅落空；出處：作者基于WSTS數據以及WSTS的2026年春季半導體預測值制作

市場僅用短短幾年時間，就輕松超越了筆者此前預期的“2032年達到1.2萬億美元”這一水平。也就是說，2032年的預測值，在2026年的時間點就會被達成。這并不是預測“過于樂觀”，而意味著AI熱潮的破壞力，已經顛覆了此前半導體產業的所有常識。

從圖10可以明確看出，牽引這種高速增長的是包含DRAM和NAND在內的Mos Memory，以及包含GPU在內的Logic。Mos Memory在2027年有超過1萬億美元的勢頭，這反映了前述DRAM＋NAND的爆發性擴大。Logic也將突破5000億美元。

圖10 包含DRAM和NAND的存儲，以及包含GPU的Logic正在高速增長；出處：作者基于WSTS數據以及WSTS的2026年春季半導體預測值制作

另一方面，Analog和Mos Micro幾乎接近橫盤。也就是說，并不是半導體市場整體均勻增長，而是只有AI相關的兩個類別以異次元的角度起飛，推高了整個市場。不得不說，這是一種極其失衡的增長結構。

08

這個熱潮會持續到什么時候

歷史顯示出的“5年之壁”

在這里，我想直面大家心中最大的疑問，也就是，“由這場AI熱潮帶來的增長，到底會持續到什么時候”這個問題。

思考這一問題的線索，存在于存儲市場漫長的歷史之中。圖11顯示的是1991年以后存儲市場的同比增長率，時間跨度接近35年。這張圖表中，刻下了半導體產業曾經經歷過的多次起伏。

圖11 存儲市場的同比增長率；出處：作者基于WSTS數據以及WSTS的2026年春季半導體預測值制作

1995年Windows 95發布帶來的特殊需求，2000年的IT泡沫及其崩潰（筆者正是因為這場嚴重不景氣而收到日立的提前退休勸告），2017至2018年的存儲泡沫，2008年的雷曼危機，2020年以后的新冠特殊需求——半導體行業迄今為止，一直像過山車一樣劇烈地反復經歷著繁榮與蕭條。

這里需要關注的，不是單個高峰的高度，而是正增長連續持續的“期間長度”。仔細追蹤圖11，就會浮現出一個重要事實。存儲市場的同比增長率持續保持正值，在過去任何一個局面中，最長也只有5年。超過這一點，連續6年、7年保持正增長的例子，在過去35年中一次也沒有出現過。

為什么會在5年時觸頂？因為存儲市場中宿命般嵌入了這樣一個“硅周期”：需求升溫 → 價格高漲 → 各家公司增產投資 → 供給過剩 → 價格暴跌。

一旦景氣持續，各家公司必然會走向設備投資，最終供給會超過需求，價格會崩塌。這是根植于存儲這一產品本質之中的、不可避免的機制。

由這次AI熱潮推動的存儲市場正式上升局面，可以認為是從2023年的底部起步，并在2024年真正全面展開。如果遵循歷史模式，那么即便持續最長，也將在2028年結束。根據情況，甚至有可能在2027年觸頂。

“這次不一樣”“AI是特別的”，這樣的聲音一定會出現，但不能忘記，在過去所有泡沫的漩渦之中，同樣的話也曾被反復說起。

09

山越高，谷越深

此外，半導體行業的歷史還揭示了另一條鐵律：即“山越高，隨后的谷就越深”。

如果再次看圖11，這條法則一目了然。IT泡沫在2000年形成了同比增長超過50%的高峰，但緊接著在2001年，就直線墜落到-49.5%這一深淵之底。2017至2018年的存儲泡沫中，也是在超過+60%的高峰之后，2019年等待著的是-33%的暴跌。景氣的頂點越高，作為反作用的不景氣就越深、并且越長，這是這個行業的常態。

在這里，我們再重新回顧這一次AI熱潮。同比增長率285%這一“高峰”，高到與過去任何泡沫都無法相比。IT泡沫和存儲泡沫的山峰，都會顯得像“小丘”一樣，這是前所未有的高度。

如果套用這條法則，結論便不言而喻。在這次形成了前所未有高度山峰的熱潮之后到來的“谷”，很可能會是半導體行業迄今為止從未經歷過的、深到難以想象、嚴酷到難以想象的谷。對于預計在2027至2028年以后到來的不景氣，應該做好心理準備：那將是靠半吊子的準備無法渡過的、極其嚴酷的不景氣。

10

存儲廠商股價高漲與“10億富豪”

眼下，存儲廠商的股價正在全線高漲。由于價格上漲帶來收益爆發性擴大，這可以說也是理所當然的。

具有象征意義的是，《日本經濟新聞》在2026年6月28日報道的、圍繞鎧俠的一則新聞。據稱，由于該公司股價上漲，所持股票的浮盈超過10億日元的相關人士——也就是所謂“10億富豪”，竟然誕生了600人。整個行業正被一種前所未有的慶典氛圍包圍。

但是，在這里有必要冷靜下來。所謂股價，是映照未來期待的一面鏡子。而當這種期待過高時，只要現實哪怕稍微低于期待，股價就會一口氣崩塌。

山越高，谷越深——這條法則不僅適用于市場規模，也同樣適用于股價。在泡沫頂點誕生的“10億富豪”，隨著不景氣的到來而資產大幅縮水的景象，在過去的所有泡沫中都曾反復上演。

11

正因為是景氣的現在

才要為不景氣做“具體準備”

這種景氣不會無限持續。正如歷史所顯示的那樣，存儲市場的正增長無論多長也會在5年內結束，其后將有深谷等待著。山越高，谷越深。正因如此，筆者想強烈呼吁現在正因景氣而沸騰的企業：“正是在景氣的時候，才應該為不景氣做好具體準備。”

處在泡沫的漩渦中時，人們會陷入熱狂仿佛會永遠持續的錯覺，但宴席必定會結束。問題在于，如何在宴席之后嚴酷的冬天中存活下來。具體來說，可以考慮以下準備。

第一，是徹底強化財務體質。現在，空前的利潤正在涌入存儲廠商手中。不能把這筆資金只用在眼前華麗的投資或股東回報上。應該積累即便連續數年虧損也能承受的充裕手頭資金（現金）。過去在不景氣中倒下，或者被迫出售自身的企業，其中很多都是在景氣期怠于做好財務上的“過冬準備”的企業。

第二，是對過度設備投資的自我克制。這是最困難、也是最重要的準備。景氣期，各家公司都會競相進行增產投資，但這些投資在2～3年后真正啟動時，市場很可能已經朝著谷底走去。硅周期的本質，正在于這種“投資滯后效應”。為迎合需求高峰而建設的工廠，往往在不景氣期間才竣工，從而成為巨大的固定成本負擔，折磨企業。要避免這種噩夢，就需要在景氣正盛的時候，冷靜審視投資計劃。

第三，是客戶組合的分散。當前的景氣，依賴于超大規模云服務商對AI數據中心投資這一極少數需求來源。如果這項投資停止，需求很可能在一瞬間蒸發。并且，筆者認為這種可能性很高。不應陷入僅依賴AI的“單腿打法”，而應該趁現在提前布局車載、工業設備、邊緣AI等中長期具有增長潛力的多元化市場。

12

伴隨中東局勢惡化而來的準備

到這里為止，我們討論的都是“需求消失”這一情景，也就是對硅周期宿命的準備。但是，風險并不只在需求側。供給側，尤其是“制造本身在物理上停止”這種地緣政治風險，也正是現在應該關注的。

實際上，以2026年3月伊朗襲擊卡塔爾（拉斯拉凡）液化天然氣（LNG）設施為導火索，直接打擊半導體制造物理基礎的“三重困境”，已經開始同時進行。

第四，是為氦氣（He）供應中斷做準備。氦氣對于干法刻蝕設備的晶圓背面冷卻不可或缺，沒有它，先進刻蝕會“立即癱瘓”。原子層沉積（ALD）、濺射、先進外延等許多需要精密溫度控制的設備，也都是通過在晶圓背面輸送氦氣才得以實現。尤其是2nm的GAA形成、以及超過400層3D NAND的HAR刻蝕（縱橫比100以上），都以極低溫的精密控制為前提；沒有氦氣，甚至無法在“每片晶圓上開出數萬億個孔”。

問題在于供應源的集中。全球供應中，43%由美國承擔，33%由卡塔爾承擔，He作為LNG設施的副產物被產出。前述襲擊使全球供應的三分之一在一瞬間消失。如果作為難以替代的稀有氣體He中斷，設備將立即停機，工廠將全面停擺。各工廠的庫存通常只有3個月，最長也不過半年。

即便如此，現在工廠還沒有停止，只不過是因為庫存、回收利用（TSMC可回收80%至90%的氦氣），以及“醫療→航空航天與國防→半導體→一般工業→裝飾用氦氣球”這一優先供應規則吸收了初期沖擊，危機并未解決，只是被“推遲”了。韓國企業已經在政府主導下與Linde、Air Products簽訂長期協議，TSMC正在將采購來源從卡塔爾轉向美國。正是在資金有余裕的現在，才應該把采購來源分散到多個國家、多個公司，戰略性增加庫存，并推進對回收設備的投資。這種“低調的準備”，將在關鍵時刻成為決定性的差距。

第五，是為石腦油不足引發的光刻膠供應緊張做準備。中東局勢惡化會通過霍爾木茲海峽封鎖，直接沖擊石油化工供應鏈。其中尤其需要警惕的是石腦油不足，其影響會從設備消耗部件一直波及光刻膠，而其中尤其嚴重的是光刻膠。

光刻膠以石腦油作為起始原料。它通過“石腦油→丙烯→PGME→PGMEA→光刻膠”這一長鏈條制造而成，尤其是EUV/ArF/KrF所必需的溶劑PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）的供應是關鍵。沒有光刻膠，最先進的光刻工序將寸步難行，所有半導體都會陷入無法制造的狀態。

這里想強調的是，光刻膠比氦氣更危險，理由有兩個。一個是“無法替代”。如果更改原料，就需要重新認證，而在先進制程節點上，這可能需要數年時間。另一個是“無法長期儲備”。光刻膠是“易變質品”，不適合長期保存，一旦供應中斷便無退路。而且，光刻膠是日本企業掌握全球超過90%份額（EUV光刻膠實質上為100%）的、真正意義上的日本戰略資產。而由于石腦油供應中斷，這一問題已演變為全球性的風險。

因此，正因為現在景氣，才應該就光刻膠及其原料，最大限度努力建立與供應商之間通過中長期合同實現穩定采購的框架。不過需要注意的是，光刻膠及其原料的制造基地不僅在日本，也分散于歐美、韓國、中國等全球各地。僅靠在日本國內確保石腦油供應并不能解決問題。不應止步于確保原料供應，還應該重新審視整個供應鏈，并把充裕利潤的一部分投向不過度依賴石油來源的替代材料研發，這是有價值的。

13

不同于“需求之谷”的“供應中斷”風險到來

第四和第五共同的一點是，它們都是一種不同于“需求之谷”的、“供應中斷”風險。硅行業周期的低迷屬于經濟周期，只要堅持下去，春天終將到來。但是，地緣政治造成的供應中斷，無論經濟好壞，都可能在某一天突然導致生產停滯。

而且麻煩的是，He中斷、設備零部件短缺、光刻膠不足這三重危機會相互放大。不是“1＋1＋1＝3”，而是會變成5倍、甚至10倍，一旦最薄弱的瓶頸環節崩潰，工廠便會停產。諷刺的是，這一風險最容易顯現的，正是在各家公司競相增產、He和石腦油需求都最大化的“景氣頂點”。應對需求低谷的準備與應對供應中斷的準備，必須像車之兩輪般同步推進。

正因為如今身處熱狂的漩渦中，筆者才刻意潑了一盆冷水。正如過去所有泡沫一樣，終點必定會到來。它會比許多人想象得更早、更突然地到來。而且，即便在景氣正盛之中，如果被He或光刻膠這些“難以看見的要害”擊中，產業也很可能在一瞬間陷入癱瘓。剩余的寬限時間，恐怕只有數個月，最長也不過半年多。

如何在宴席之后嚴酷的冬天中活下來，并為下一個春天做準備？以及如何為可能在宴席正酣時突然到來的供應中斷，完善業務連續性計劃（BCP）？應該冷靜思考這些問題并開始行動的時刻，正是這個因景氣而沸騰的“現在”。若袖手旁觀，終將為時已晚，最終被市場淘汰。

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