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當下,功率半導體行業正在出現一個看似矛盾的景象:一邊是SiC產能消化、襯底降價、部分企業承壓;另一邊是英飛凌、芯聯集成、意法半導體、安森美等廠商繼續加碼擴產,MOSFET、IGBT甚至出現漲價信號。
這不是行業判斷失靈,而是功率半導體進入了新的結構性周期:低端產能過剩,高端有效產能不足;汽車需求波動,AI和電網需求接力;單顆器件競爭,正在升級為系統級交付能力競爭。
新能源車仍是基本盤
過去幾年,功率半導體最重要的需求主線是新能源汽車。雖然新能源汽車現在有所放緩,但是這個需求仍在。但增長邏輯但邏輯從增量變成高壓化。400V平臺時代,硅基IGBT仍可覆蓋大量主流車型;但當800V甚至1000V成為中高端車型的快充賣點,SiC MOSFET的價值就從性能升級件變成了系統效率和充電體驗的基礎件。
IEA在《Global EV Outlook 2026》中的數據顯示,2025年全球電動車銷量超過2000萬輛,占新車銷量約四分之一;2026年預計達到2300萬輛,占比約28%。同時,IEA提到2025年已出現首批1000V車型,250kW以上超充適配車輛雖然存量占比仍低于5%,但銷量隨超充/兆瓦級充電設施擴張而增長。
車端仍然是功率器件最穩定的基本盤。
Yole相關研究也指出,未來幾年汽車仍是功率SiC增長的主要驅動力,而800V BEV正在成為重要拉動因素;同時,AI數據中心、可再生能源等也在成為新的增長來源。
這就解釋了為什么行業會出現“看起來矛盾”的狀態:SiC部分環節在降溫,8英寸SiC卻在升溫;低端器件不缺,高端車規器件仍然緊張;整體擴產很多,但真正能被客戶驗證、能穩定供貨、能進入主驅和AI電源系統的產能,依然不夠。
被AI重新點燃的功率器件周期
如果說過去功率半導體的最大敘事是新能源汽車,那么2026年以后,一個新變量越來越難忽視:AI數據中心。
AI行業過去談得最多的是GPU、HBM、先進封裝、光模塊和交換芯片。但當AI集群越做越大,問題開始往更底層走:電從哪里來?怎么進機房?怎么進機柜?怎么進服務器?怎么以更低損耗喂給GPU?
這時候,功率器件就不再是一個不起眼的電源零部件,而成了AI基礎設施繼續擴張的底座。
AI算力越強,對供電效率、功率密度和熱管理的要求越高。傳統服務器電源還能在相對穩定的功率區間里工作,但AI服務器的負載變化更劇烈,機柜功率密度更高,電源系統必須變得更高效、更緊湊、更可靠。
近期關于下一代AI數據中心供電架構的研究也指出,AI負載正在推高數據中心電力需求、瞬態電流和熱壓力,并暴露出傳統48V機柜架構、低壓交流配電和工頻變壓器接口的局限。
所以,AI對功率半導體的拉動,不只是多買幾顆MOSFET或PMIC這么簡單。它可能改變整個數據中心的供電架構。
從服務器電源,到機柜級電源,再到數據中心級中壓直流、固態變壓器、高壓DC/DC轉換,功率半導體正在從“電子系統里的基礎元件”,變成“AI基礎設施能否繼續擴張的關鍵變量”。
這也是為什么今年以來MOSFET、IGBT、PMIC等產品重新出現漲價預期。財聯社報道提到,AI數據中心需求爆發擠占8英寸成熟制程產能,單臺AI服務器對高壓MOSFET、電源管理MOSFET需求提升,加劇了8英寸產能緊缺;新潔能、捷捷微電、芯聯集成等廠商均已出現不同程度的價格調整。
功率半導體的故事,因此被重新打開了。
過去它是新能源汽車供應鏈的一環;現在,它正在變成AI、汽車、儲能、電網和工業電源共同爭奪的基礎產能。
全球龍頭的防守反擊
在這樣的背景下,可以看到,不少功率半導體龍頭企業正在擴產加碼。
2026年7月2日,英飛凌剛剛舉行了盛大的開業儀式,宣布其歷史上面額最大的單筆投資——德國德累斯頓Smart Power Fab 正式提速開業。 這是英飛凌史上單筆投資額最大(50億歐元)的廠區,獲得歐盟芯片法案下德國政府近9.2億歐元的補貼。該廠投產后直接將英飛凌在德勒斯登基地的 300mm功率半導體及模擬/混合信號芯片產能拉升了一倍,打造出全球最大的智能功率器件與模擬芯片生產重鎮。
同時,針對AI爆單,英飛凌在年中也追加了預算。在近期的財報與市場溝通中,英飛凌大中華區及全球高管透露,由于英飛凌的AI服務器(如適配NV下一代GB300等架構)電源組件需求遠超預期,其AI相關業務營收預計在2026財年達到15億歐元(2025財年僅為7億歐元),2027財年直奔25億歐元。
與此同時,英飛凌還在重構業務組織。從2026財年第四季度開始,英飛凌將原四大事業部汽車電子事業部(Automotive,ATV)、綠色工業功率事業部(Green Industrial Power,GIP)、功率與傳感系統事業部(Power & Sensor Systems,PSS)以及互聯安全系統事業部(Connected Secure Systems,CSS),調整為三大事業部:Automotive、Power Systems和Edge Systems。其中,新設的Power Systems將整合AI數據中心電源、電網基礎設施、工業、通信等非汽車功率相關業務。這一調整意味著,英飛凌正在把功率半導體從傳統汽車和工業應用中進一步抽象出來,單獨作為面向AI、電力基礎設施和能源轉型的核心增長平臺。
意法半導體在意大利Catania建設200mm SiC一體化制造基地,總投資預計約50億歐元,并獲得意大利政府約20億歐元支持;該項目計劃2026年開始生產,2033年滿產后產能最高可達每周1.5萬片晶圓。
安森美也在捷克推進端到端SiC制造能力,計劃進行最高20億美元的多年期投資,覆蓋硅和碳化硅晶圓制造、拋光、外延等環節。
這些項目表明,全球功率龍頭仍在押注SiC和先進功率器件,并沒有因為SiC短期消化壓力而停止投資。過去,汽車是全球功率龍頭功率業務最重要的敘事;現在,AI數據中心、電網、電源基礎設施的重要性正在快速上升。它們看中的不是某一個季度的新能源汽車銷量,而是未來十年整個能源系統的電氣化、數字化和高壓化。
在2026年上半年,英飛凌、TI、意法等全球20多家功率巨頭因為AI和電網需求擠爆產能,連續在4月1日和7月1日掀起了兩輪“漲價潮”(部分AI電源組件甚至傳出 lead time 達40周、漲幅驚人)。
本土功率半導體,
進入有效產能建設期
再看國內,中國同時擁有全球最大的新能源汽車市場、最快迭代的AI硬件生態、龐大的儲能和光伏產業鏈,以及正在快速增長的機器人和工業自動化場景。
這些產業都有一個共同特點:高度迭代。中國車企一年改款幾次,800V平臺快速下沉;AI服務器和智算中心的電源架構還在變化;儲能PCS、充電樁、機器人執行器和工業電源都在追求更高效率、更小體積和更低成本。
這是本土功率廠商的絕佳窗口期,但不再只是國產替代,不只是替代海外一顆芯片,而是更快參與客戶定義、更快完成驗證、更快調整封裝和模塊方案、更快把成本打下來。
6月11日,芯聯集成正式發布公告,公司擬在紹興市,與相關方合資建設一條月產能5萬片的12英寸數模混合芯片生產線,該項目作為公司的四期項目,計劃總投資約200億元,其中公司出資30.12億元,持股25.1%。
可以看出,芯聯集成不是單純做一類器件,而是在往“系統級代工平臺”走:8英寸硅基、12英寸硅基、6英寸/8英寸SiC、高壓BCD、MEMS、模組封裝、應用驗證和可靠性測試,全都在做。芯聯集成管理層此前提出三條增長曲線:硅基功率器件、SiC MOSFET芯片及模組、高壓大功率BCD模擬IC,并預計2026年收入突破100億元。
根據芯聯集成披露,2025年公司已經構建8英寸硅基、12英寸硅基、6/8英寸碳化硅三大產線;其8英寸硅基產能為17萬片/月,12英寸硅基產能為3萬片/月,6英寸SiC MOSFET產能為8000片/月。公司還表示,2026年8英寸硅基和6英寸SiC產能利用率預計繼續保持90%以上,12英寸硅基產能利用率有望達到80%以上。
芯聯集成收購芯聯越州也有很強的產業信號:通過全資控股芯聯越州,公司可一體化管理母公司10萬片/月和芯聯越州7萬片/月的8英寸硅基產能,重點支持SiC MOSFET、高壓模擬IC等業務。
芯聯集成不是孤例,國內功率半導體正集體進入“有效產能建設期”的一部分。
士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片項目總投資規劃120億元,分兩期建設;一期投資70億元,規劃年產42萬片、月產3.5萬片8英寸SiC功率器件芯片,2026年1月4日已經通線,2026—2028年持續產能爬坡,預計2029年完全達產;二期計劃新增年產30萬片、月產2.5萬片產能,最終一期和二期合計形成月產6萬片8英寸SiC產能。
根據時代電氣2026年3月投資者關系活動記錄,2025年公司半導體子公司收入55.32億元,同比增長26.72%;其中IGBT收入48.53億元,同比增長29.88%。公司還提到,宜興產線自2025年6月底實現芯片線滿產后持續滿載運營。另據2026年6月的投資者互動信息,時代電氣三期株洲SiC產線已于2025年底投產,目前處于產能爬坡過程中,公司車規級SiC產品已有小批量交付。
揚杰科技方面,公司2025年年報提到,首條SiC車規級功率半導體模塊封裝項目已建成并投產。2026年4月投資者關系記錄中,揚杰科技還表示,8英寸晶圓項目、車規級功率芯片制造項目等核心項目預計將在2026年下半年陸續投產,同時公司汽車電子、AI數據中心及儲能業務均為戰略重點方向。
晶盛機電2026年5月投資者關系記錄顯示,其子公司浙江晶瑞電子材料正在加速年產60萬片8英寸SiC襯底項目投產,并啟動新一期基礎設施建設;同時,馬來西亞8英寸碳化硅襯底工廠預計2026年底通線投產。
天岳先進方面,2026年3月報道顯示,公司早在2024年提出96萬片產能規劃并分步實施,8英寸產品已建立穩定的大規模供應體系,并與全球頭部功率器件企業保持長期合作。
天科合達也在IPO材料相關報道中披露,已實現2英寸至8英寸SiC襯底規模化生產,并成功研發12英寸SiC襯底產品。
這背后不是簡單擴大規模,而是補齊平臺能力。中國功率半導體過去長期面臨一個問題:單點器件可以突破,但系統能力不夠完整。而現在,新能源車、AI服務器、機器人、儲能、光伏逆變器、充電樁這些應用,都在倒逼功率廠商從“賣一顆芯片”變成“提供一套經過驗證的電力電子解決方案”。
產業矛盾:一邊過剩,一邊漲價
這輪功率半導體周期最容易誤判的地方,就是把“擴產”直接等同于“景氣”。
事實上,行業并不是所有環節都好。
TrendForce在2026年全球SiC功率器件報告中判斷,SiC行業正進入2—3年的產能消化階段,需求集中釋放后疊加短期波動,行業正在從技術驅動轉向成本驅動,中低端車型將成為SiC滲透率提升的關鍵變量。
SiC已經過了“只要性能好就能賣高價”的階段。接下來,車企會更關注成本,尤其是在中低端車型上,SiC能不能從高端車下沉到主流車型,取決于整個產業鏈能否把成本打下來。
所以,功率半導體未來會長期存在一種結構性分化:普通6英寸SiC產能可能需要消化,但高良率8英寸SiC依然稀缺;普通硅基功率器件競爭激烈,但車規級IGBT、MOSFET和模塊能力依然有壁壘;低端消費和工控市場價格敏感,但AI服務器、主驅逆變器、儲能PCS和高壓快充更看重可靠性與供貨穩定;單顆芯片門檻下降,但從芯片到模塊、再到系統驗證的門檻正在升高。
這就是所謂的“一邊過剩,一邊缺貨”。
行業不缺產線,缺的是被客戶真正承認的產能;不缺器件,缺的是能進車規、能上AI電源、能長期穩定交付的器件;不缺擴產故事,缺的是穿越周期的訂單質量。
結語
綜上所述,當下的功率半導體領域,正在經歷的絕非一輪簡單的周期性景氣回升,而是一場圍繞“有效產能”的價值重估。
在這場變局中,新能源汽車依然是托底的基本盤,AI數據中心則充當了最大的爆發變量;與此同時,8英寸SiC正在重刻成本曲線,高壓BCD與先進模塊封裝則在加速補齊系統級短板。
可以說,功率半導體的下半場,名為擴產,實為電氣化浪潮下核心基礎設施的卡位戰。
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