湖南
大家都知道，不管是intel，還是三星，其實在7nm工藝的時候，就用上了EUV光刻機。
臺積電雖然在第一代7nm的時候，用的是浸潤式DUV光刻機，但第二代7nm的時候，也換上了EUV光刻機，并將第二代7nm工藝，標注為7nm EUV，用于區(qū)別。
至于7nm之后的工藝，比如變種的6nm，標準的5nm以及更高級的4nm、3nm等就不用說了，全部采用的是EUV光刻機來制造。
為什么會這樣，其實原因非常簡單，那就是如果有了EUV光刻機，誰會愿意用DUV來造5nm這樣的先進芯片呢，不是沒苦硬吃么？
浸潤式DUV光刻機，不管有多么先進，采用的都是193nm的光源，經(jīng)過水的折射后，波長變成134nm，其主流的1.35NA 浸潤式機型單曝光極限是38nm。
理論上來講，采用雙重曝光，可以穩(wěn)定量產(chǎn)22nm、16nm，如果是四重曝光（SAQP），可以到 7nm，甚至是5nm。
但是所謂的四重曝光，大家知道是什么意思么？
我們可以拿寫字來說，比如要寫一個“王”字，如果有EUV光刻機，那么在白紙上直接一次寫出“王”字，一次就可以了，時間要的短，成功率也高。
但如果沒有EUV光刻機，相當(dāng)于筆太粗沒法一次性寫下去，所以我們要分四次來寫才行，第一字寫一個“一”，然后第二次調(diào)整紙張，再寫一個“一”，再寫“|”，最后再寫“一”。
四次寫，是不是需要的時間，是一次寫的4倍？
另外，四次寫，要保證這個“王”字寫的正確，是難度更高了？如果白紙移動的不太對，就會出錯，這個就是良率，寫的越多次，出錯的就越大，良率就越低。
所以多次曝光的成本，遠比一次就成功的成本大多了，因為多次曝光需要的時間更久，各種材料肯定也更多，良率更低了。
所以像三星、臺積電、intel們，在有EUV光刻機的情況下，沒有誰會傻傻的用浸潤式DUV來制造7nm及以下的芯片。
只有我們，買不到EUV光刻機，所以只能用浸潤式DUV來造7nm，5nm芯片，但大家不要覺得，我們就不需要EUV光刻機了，我們技術(shù)更強，所以只要有浸潤式DUV就夠了，增白講如果有EUV，誰愿意用DUV么？沒苦硬吃的事，沒誰愿意干的。
接下來，希望國產(chǎn)光刻機崛起，早點突破EUV，否則這樣吃苦的日子，確實是很難熬的。
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