中天晶科：12英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)取得突破！

近日，中天晶科宣布，繼8英寸碳化硅晶體后，公司已成功突破12英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)。

來(lái)源：中天晶科

回顧技術(shù)攻堅(jiān)歷程，2022年10月，中天晶科首塊8英寸碳化硅晶體成功問(wèn)世；歷經(jīng)三年技術(shù)深耕，2025年3月，公司首塊12英寸碳化硅晶體成功出爐，實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅材料的跨越式升級(jí)。

碳化硅是新能源汽車(chē)、5G通信、軌道交通等國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。近年來(lái)，隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等清潔能源、5G通訊及高壓智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，滿足高功率、高電壓、高頻率等工作條件的碳化硅基器件的需求也突破式增長(zhǎng)。同時(shí)，人工智能、AR眼鏡等新興領(lǐng)域的崛起，進(jìn)一步凸顯了碳化硅高頻、高功率、耐高溫的性能優(yōu)勢(shì)，為碳化硅材料開(kāi)辟了新的應(yīng)用賽道，市場(chǎng)需求持續(xù)擴(kuò)容。

碳化硅襯底作為第三代半導(dǎo)體的基石，其尺寸與品質(zhì)直接決定了產(chǎn)業(yè)鏈的性能上限與成本空間。尺寸越大，單片晶圓可產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，降本增效效果越顯著。12英寸碳化硅襯底材料，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，既能提升產(chǎn)能規(guī)模，又能降低單位芯片成本，提升產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)效益，為碳化硅材料規(guī)模化、普及化應(yīng)用筑牢基礎(chǔ)。

當(dāng)前全球碳化硅市場(chǎng)中，6英寸產(chǎn)品仍為商用主流，8英寸產(chǎn)品正加速產(chǎn)業(yè)化落地。在此背景下，12英寸碳化硅晶體的集中技術(shù)突破，標(biāo)志著全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入關(guān)鍵轉(zhuǎn)型節(jié)點(diǎn)。此前，天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、晶越半導(dǎo)體、天成半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、合盛硅業(yè)、南砂晶圓、環(huán)球晶圓、爍科晶體等多家行業(yè)企業(yè)，已相繼宣布在12英寸碳化硅單晶、襯底研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展。

據(jù)悉，中天晶科寧波晶體材料有限公司（CECS）成立于2019年11月，由華達(dá)半導(dǎo)體有限公司（中國(guó)電子集團(tuán)子公司）投資設(shè)立，注冊(cè)資本為4.7億元人民幣，致力于寬帶隙半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)。公司主要專(zhuān)注于大型高性能碳化硅材料和外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、新能源、柔性電網(wǎng)、工業(yè)設(shè)備、家用消費(fèi)電子設(shè)備及其他領(lǐng)域。

來(lái)源：中天晶科

值得關(guān)注的是，晶圓尺寸擴(kuò)容會(huì)導(dǎo)致晶體內(nèi)部應(yīng)力控制與缺陷管理難度呈幾何級(jí)上升，這是全球碳化硅領(lǐng)域共同面臨的技術(shù)難題。中天晶科研發(fā)團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)多輪嚴(yán)苛技術(shù)攻關(guān)，成功突破大尺寸晶體生長(zhǎng)核心壁壘。此次12英寸碳化硅晶體研發(fā)成功，依托公司核心設(shè)備自主研發(fā)+工藝技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新雙輪驅(qū)動(dòng)模式，通過(guò)自主設(shè)計(jì)制造專(zhuān)用長(zhǎng)晶設(shè)備，實(shí)現(xiàn)設(shè)備與工藝深度適配，為大尺寸晶體穩(wěn)定、高質(zhì)量生長(zhǎng)提供了堅(jiān)實(shí)技術(shù)保障。

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