廣東
今天，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域沸騰了，中國首次提出指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新原則。而觸發(fā)點(diǎn)是華為正式發(fā)表“韜（τ）定律”，提出以“時(shí)間縮微”替代“幾何縮微”，通過邏輯折疊等創(chuàng)新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體與電子系統(tǒng)的持續(xù)演進(jìn)。并且，華為以量產(chǎn)的381款芯片，證明了該定律的可行性、有效性以及商業(yè)前景。
這不只是一次技術(shù)定律的發(fā)布，更是一次產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑的宣示，給中國建設(shè)科技強(qiáng)國、實(shí)現(xiàn)科技自立自強(qiáng)帶來多重啟示。與其被路徑依賴鎖死，不如另辟蹊徑通向“珠穆朗瑪”。
近年來，摩爾定律面臨物理極限和經(jīng)濟(jì)效益雙重挑戰(zhàn)，如何跨越傳統(tǒng)工藝路徑的局限，探索出一條全新的可持續(xù)演進(jìn)路線，成為人工智能時(shí)代的必答題。華為最先遭到技術(shù)封鎖，最早遇到這道題，也率先做出了創(chuàng)新探索。“韜（τ）定律”不以幾何尺寸論英雄，而以邏輯折疊和時(shí)間效率取勝，在摩爾定律之外開啟“第二曲線”，豐富了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑。這樣的中國方案，富有中國智慧。
由于擺脫了單純對光刻精度的依賴，“韜定律”在晶體管密度提升上展現(xiàn)了驚人的潛力。華為在會議上給出了明確的路線圖：預(yù)計(jì)到2031年，基于“韜定律”的高端芯片，晶體管密度將達(dá)到等效1.4納米制程的水平。這意味著，在不必須依賴下一代EUV光刻機(jī)等極端昂貴設(shè)備的前提下，華為依然有能力通過架構(gòu)創(chuàng)新維持并提升芯片的性能密度。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
