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作者| 丁卯
編輯|張帆
封面來源|視覺中國
過去三十年,Fabless模式的興起,將臺積電推上了全球半導體權利的巔峰。
在“不與客戶競爭”的定位之下,臺積電有效規避了芯片設計巨頭對于IP泄露風險的擔憂,在全球范圍內虹吸了蘋果、高通、英偉達等頭部客戶的核心訂單。
作為典型的重資產、高壁壘賽道,訂單密度決定了臺積電晶圓代工的發展上限。大規模訂單使臺積電的產能利用率長期維持在85%–95%的高區間,有效攤薄了固定成本和設備折舊成本,保證了盈利能力的厚度。根據財報,2026年首季臺積電的毛利率達到了66.2%的歷史新高。這種恐怖的盈利能力又轉化為年均數百億美元的龐大資本開支,反哺其工藝迭代與良率爬坡,最終形成了“訂單增收—反哺研發—技術升級—再吸納訂單”的正向循環,不斷夯實臺積電的產業地位。根據集邦咨詢的數據,截至2025年,臺積電在全球晶圓代工的市場份額已經接近70%,形成了一家獨大的壟斷格局。
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臺積電市占率 數據來源:集邦咨詢,36氪整理
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臺積電長期維持高毛利區間 數據來源:wind,36氪整理
然而,AI時代的到來徹底打破了原有的供需天平。
隨著大模型和數據中心的爆發,全球對先進制程的需求呈指數級增長,導致臺積電的尖端產能供不應求,演變為稀缺的“戰略配額”。“一芯難求”之下,臺積電全面上調5nm以下先進制程代工報價,2nm晶圓報價更是飆升至每片30,000美元的天價。高昂的溢價直接轉化為硬件BOM成本,砸向上游設計巨頭,整條產業鏈陷入了給臺積電“打工”的尷尬現實。
更致命的是,愈演愈烈的地緣政治沖突也讓全球芯片巨頭陷入了前所未有的供應鏈安全焦慮——全球尖端芯片生產嚴重依賴臺積電,一旦發生不可抗力,科技產業將面臨系統性癱瘓的風險。
一邊是被持續擠壓的產業利潤,一邊是懸于頭頂的地緣風險隱患,多重矛盾的重壓徹底擊穿了市場對臺積電一家獨大的容忍底線。一場圍剿臺積電的戰爭正式拉開了帷幕。
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特朗普的“國產化”
圍剿的第一刀,來自特朗普的“國產化”。
發展美國本土制造業,特別是以芯片為代表的高科技制造業,是特朗普政策2.0的核心目標之一。與拜登溫和拉攏的立場不同,特朗普主張用“關稅壁壘+國家干預”,強力推動高端制造業回流。其核心訴求明確且激進:2030年前,把全球至少20%先進制程晶圓制造鎖定在美國本土。
對外,特朗普以25%半導體進口關稅為利劍,持續敲打臺積電,迫使其擴大在美投資、轉移尖端產能。迫于政治壓力,臺積電多次遞交“投名狀”,包括先后投資650億美元建設三座晶圓廠,并追加1000億美元用于新建三座晶圓廠、兩座封裝廠及一個研發中心,被動向美國輸送核心產能與技術資源。
對內,特朗普則動用國家資本全力托舉英特爾,去年8月底,美國政府以89億美元股權投資成為英特爾大股東,通過變相“國有化”深度綁定英特爾,為其代工業務兜底賦能。
依托國家資本輸血,英特爾得以從財務困境中抽身,全力攻堅技術。從技術制程上看,目前Intel 3/4/7等制程已趨成熟,18A和18A-P先進制程也在2025年下半年逐步量產,在技術上具備了與臺積電分庭抗禮的籌碼。
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圖:臺積電、英特爾、三星芯片制程對比 數據來源:交銀國際,36氪整理
與此同時,在經營上,英特爾拆分設計與代工業務,獨立運營代工板塊,復刻臺積電的中立模式,從組織架構上打消硅谷巨頭的IP泄露顧慮。
特朗普政治大棒與英特爾技術轉正的雙重夾擊下,硅谷科技巨頭的態度也發生了微妙轉變。微軟率先將自研的Maia 3 AI砸向英特爾18A-P工藝;蘋果也啟動M系列芯片在18A-P節點的流片評估;特斯拉更是官宣落地全面合作,計劃采用英特爾下一代14A工藝制造其車載及Austin Terafab自研AI芯片。
疊加上英偉達、AMD、谷歌等巨頭的備用方案,北美客戶出于“供應鏈去風險化”的考量,已實質性開啟了對臺積電的訂單分流。
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華為的“韜(τ)定律”
圍剿臺積電的第二股勢力,是以華為為代表的中國本土半導體產業的崛起。
過去幾年,中美地緣政治沖突的激化,使中國半導體陷入關鍵設備斷供、先進制程受阻的雙重困境。為沖破技術封鎖,國內加速推進半導體供應鏈的“國產替代”,培育出覆蓋芯片設計、晶圓代工、封裝測試、存儲制造的全鏈路自主安全產業生態,以此降低對臺積電先進制程的依賴。
面對先進制程受阻的客觀現實,華為通過設計改良、架構創新、系統優化等方式,走通了一條“等效先進制程”的突圍之路。
在2026年國際電路與系統研討會上,華為發布了以“邏輯折疊”為核心的“韜(τ)定律”,為全球半導體與電子系統演進提供了新的技術思路。
傳統的摩爾定律下,芯片性能的提升依賴于“幾何微縮”,即通過臺積電的先進制程不斷壓縮晶體管尺寸,實現單芯片性能迭代的目標。
但華為提出的“韜定律”,則是以“時間縮微”替代“幾何縮微”,通過邏輯折疊(LogicFolding)壓縮信號傳播時延(時間常數τ),不斷提升晶體管密度,達到芯片綜合性能與等效集成密度。
根據華為的披露,目前這套技術體系已實現規模化落地,過去六年華為依托韜定律成功設計并量產381款芯片。而今年秋季面世的新一代麒麟芯片,率先采用了邏輯折疊技術,雖然該芯片的邏輯折疊僅針對關鍵路徑選擇性應用,但從測算結果看,CPU核心頻率仍達到3.1GHz,實現了性能的大幅提升。
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圖:華為芯片迭代性能進展 數據來源:何庭波論文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》
按照華為的預測,到2031年,基于“韜定律”的高端芯片晶體管密度將達到1.4納米制程的同等水平。
事實上,華為芯片架構創新的順利落地,離不開國內晶圓制造與封測產業生態的強力支撐。以中芯國際為代表的本土晶圓代工廠,依托多重曝光、工藝迭代、材料優化等技術手段深挖成熟制程潛力,持續縮小與入門級先進制程的技術差距。
同時,中芯國際也聯合長電科技等本土封測龍頭,發力Chiplet、2.5D/3D先進封裝技術,繞開EUV設備限制,走出了一條差異化的發展路徑,有效對沖了國產芯片因高端先進制程受限帶來的供應鏈風險。
這種另辟蹊徑的打法,不僅重構了國內高端芯片的研發量產邏輯,更關鍵的是,一旦迎來放量,將從底層架構徹底瓦解臺積電的技術優勢,重塑全球半導體的競爭格局。
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三星的“二次反擊”
圍剿臺積電的進程中,老對手三星是另一股不容忽視的力量。
長期以來,在晶圓代工領域,三星在先進制程的良率上始終被臺積電壓制。根據2026年行業數據,臺積電2nm工藝量產良率已穩定攀升至85%–90%,而反觀提前重倉GAA(全環繞柵極架構)的三星,其2nm工藝良率仍徘徊在55%–60%左右。若扣除后續封測環節的損耗,最終成品綜合良率僅為40%上下。
盡管在技術層面,三星難以直接抗衡臺積電,但其通過資本與生態兩大維度發起了對臺積電的另類包抄。底層的邏輯在于,2026年三星撞上了存儲芯片的超級紅利周期,憑借巨額的穩定的現金流支持,三星祭出了價格戰的殺手锏。據多個媒體披露,三星已將2nm晶圓報價下調至2萬美元/片,對比臺積傳聞的3萬美元/片的報價,折價高達33%。
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圖:存儲業務帶動三星盈利能力回升 數據來源:wind,36氪整理
巨大的成本優勢,吸引了大量價格度敏型或處于流片(Tape-out)階段的中小型芯片設計商,更關鍵的是以AMD、Meta為代表的部分巨頭,也在對抗英偉達霸權的考慮下,向三星拋出了橄欖枝。
當然,巨頭對三星的青睞,除了低價,更重要的是看中了三星全球獨有的“存儲+代工+先進封裝”垂直一體化能力。三星作為全球存儲巨頭,手握HBM等核心存儲資源,在算力供應鏈緊缺的當下,部分企業愿意適度容忍良率短板,以換取整體供應鏈的安全邊際。諸如AMD在與三星簽署晶圓代工評估的同時,也深度綁定了三星的HBM4供應備忘錄。
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機會與風險并存
綜上所述,過去,市場普遍認為,臺積電領先的技術代差和極致良率是其無法撼動的護城河。但如今,護城河外,美國在用國家機器暴力截流,中國在用架構創新降維超車,而老對手三星也依托資本和一體化生態虎視眈眈的搶食市場。
這種背景下,臺積電似乎也并非鐵板一塊。不可否認的是,這場由政治、資本、技術與生態交織的圍剿之戰,并非以擊垮臺積電為目的,而是試圖通過“一超多強”的動態制衡,消解全球先進制程過度集中帶來的經濟和政治風險。
各方勢力的全面下場,正在加速全球先進制程版圖的重塑。英特爾在特朗普政府的強力托舉下完成變相“國有化”,依托18A工藝以及組織架構的中立,開始蠶食臺積電在北美高性能計算的份額。
而華為為代表的中國陣營,則通過架構創新與先進封裝空間異構的組合拳,扎根本土市場,從根本上擺脫對臺積電先進制程的依賴,構建全鏈路自主可控的半導體底座。
與此同時,老對手三星,則憑借存儲周期灌注的巨額現金流打響價格消耗戰,并依托全球獨一檔的垂直一體化能力,不斷穩固自身在高端代工中的核心地位。
至此,全球晶圓代工正式告別單一寡頭時代,進入地緣約束下的多路線制衡新階段。行業核心邏輯也從“效率優先、成本最優”轉向“安全第一、多元分散”。隨之而來的,是臺積電長期獨占的產業鏈超額利潤開始松動,行業利潤向芯片設計、存儲、封裝等環節分流,單一晶圓制造的產業價值權重持續下降。
然而,去風險的背面,也面臨著巨大的經濟反噬。
過去三十年,全球科技產業的快速發展高度依賴臺積電集中制造所釋放的高性價比紅利,而地緣驅動的產能分散、逆效率建廠、關稅壁壘的層層加碼,無疑正在推高芯片制造的系統性成本,形成不可逆的產業溢價。
這部分溢價并不會消失,而是沿著產業鏈逐層傳導:從芯片設計的毛利收縮,到云商、硬件制造商的成本抬升,最終全部轉嫁至終端市場。
誠然,地緣博弈打破了臺積電一家獨大的壟斷格局,化解了全球芯片供應鏈過度集中的系統性風險,但也徹底終結了半導體產業數十年的低成本全球化紅利。
站在當下時點,值得深思的是,究竟誰才是這場圍剿之戰的最終埋單者?
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