近日南昆士蘭大學(xué)陳蕾博士與合作者在熱電材料Mg3Bi2-xSbx 單晶中發(fā)現(xiàn)了多種非平庸聲子模式,揭示了該體系中本征低熱導(dǎo)的來(lái)源。相關(guān)論文以“Uncovering complex phonon interactions in Mg3Bi2-xSbx: topology and avoided crossings”為題發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊Nature Communications上。
熱電技術(shù)能夠?qū)U熱直接轉(zhuǎn)化為電能,對(duì)推動(dòng)工業(yè)余熱回收與清潔能源利用具有重要價(jià)值。在眾多候選材料中,Mg3Bi2-xSbx 系列化合物憑借卓越的電子輸運(yùn)性能和超低晶格熱導(dǎo)率,已成為中溫區(qū)最受關(guān)注的熱電材料之一。但其本征低導(dǎo)熱性的起源始終缺乏清晰的微觀解釋。材料的熱傳導(dǎo)主要由聲子(晶格振動(dòng)的量子)攜帶。精準(zhǔn)理解聲子行為對(duì)按需設(shè)計(jì)低熱導(dǎo)率材料具有關(guān)鍵意義。本研究首次在該體系中同時(shí)發(fā)現(xiàn)兩類異常聲子現(xiàn)象:其一是受晶體對(duì)稱性保護(hù)的拓?fù)渎曌咏徊?/b>,類似于拓?fù)潆娮硬牧现械牡依它c(diǎn),具有天然的穩(wěn)定性;其二是橫向聲學(xué)支與基面內(nèi)光學(xué)支之間的能帶反交叉,二者發(fā)生強(qiáng)烈雜化,使聲學(xué)支極度軟化,從而大幅抑制熱傳導(dǎo)。研究團(tuán)隊(duì)結(jié)合非彈性中子散射(INS)實(shí)驗(yàn)與第一性原理計(jì)算,在Mg3Bi2-xSbx 單晶中直接觀測(cè)到上述現(xiàn)象,從微觀層面揭示了該體系超低熱導(dǎo)率的成因,并為熱電材料中拓?fù)渎曌游锢淼膶?shí)驗(yàn)研究開辟了新方向。
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圖1晶體結(jié)構(gòu)與聲子相互作用示意(a)Mg3Bi2-xSbx 晶體結(jié)構(gòu);(b)布里淵區(qū)內(nèi)拓?fù)渎曌咏徊纥c(diǎn)三維分布;(c-d)Γ–M 方向上拓?fù)浣徊媾c能帶反交叉的聲子色散示意圖。
本研究將非彈性中子散射實(shí)驗(yàn)與第一性原理計(jì)算緊密結(jié)合,在Mg3Bi2-xSbx單晶中首次同時(shí)觀測(cè)到兩類異常聲子現(xiàn)象:
① 拓?fù)渎曌咏徊妫?/b>在Γ–M高對(duì)稱方向,縱向聲學(xué)支(LA)與低能光學(xué)支形成受晶體對(duì)稱性保護(hù)的交叉點(diǎn),類似于拓?fù)潆娮硬牧现械牡依它c(diǎn),天然抵抗微擾破壞,聲子線寬同時(shí)隨模式反轉(zhuǎn)而對(duì)應(yīng)反轉(zhuǎn),這是熱電體系中拓?fù)渎曌拥?b>首個(gè)直接實(shí)驗(yàn)證據(jù)。
② 聲學(xué)-光學(xué)能帶反交叉:橫向聲學(xué)支(TA)與基面內(nèi)光學(xué)支發(fā)生強(qiáng)烈雜化耦合,導(dǎo)致聲學(xué)支極度軟化,聲子群速度大幅降低,從而顯著抑制熱傳導(dǎo)。這一反交叉特征在INS譜中表現(xiàn)為明顯的譜線展寬,與計(jì)算定量吻合。
INS 實(shí)驗(yàn)是在真實(shí)材料中直接「看見」聲子的技術(shù)手段。本研究通過逐點(diǎn)掃描動(dòng)量空間,在Γ–M縱向方向明確觀測(cè)到LA支與光學(xué)支的交叉及模式反轉(zhuǎn),在橫向方向則觀測(cè)到TA支的顯著展寬.這是反交叉區(qū)聲學(xué)-光學(xué)聲子強(qiáng)烈雜化的直接信號(hào)。實(shí)驗(yàn)與計(jì)算定量吻合,為拓?fù)渎曌拥拇嬖谔峁┝说谝皇謱?shí)驗(yàn)證據(jù)。
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圖2 拓?fù)渎曌訙y(cè)量結(jié)果。 在100 K下,通過非彈性中子散射實(shí)驗(yàn),分別在(a, b) Γ–M 和 (c, d) Γ–K 區(qū)域進(jìn)行恒定Q掃描測(cè)量。(a)圖中藍(lán)色和綠色星號(hào)分別對(duì)應(yīng)縱聲學(xué)聲子(LA)和光學(xué)聲子,大漸變色星號(hào)表示拓?fù)浣徊纥c(diǎn)。e, f 分別展示了在100 K下,Γ–M和Γ–K區(qū)域內(nèi)從(a–d)峰中提取的縱/橫聲子(藍(lán)色星號(hào):聲學(xué)聲子;紅色圓圈:光學(xué)聲子)的位置和線寬。實(shí)線為計(jì)算得到的聲子色散曲線。每個(gè)測(cè)得的聲子峰線寬以垂線形式繪制在(e)和(f)頂部。DFT模擬的LA與光學(xué)支(存在拓?fù)浣徊妫┮约皺M聲學(xué)聲子(TA)與光學(xué)支(存在避免交叉)分別用綠色和粉色高亮線標(biāo)示。
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圖4聲子態(tài)密度與溫度依賴性(a)Mg3BiSb、Mg3Sb2、Mg3Bi2 室溫廣義聲子態(tài)密度(GDOS)對(duì)比;(b)Mg3BiSb 的粉末平均格動(dòng)力學(xué)結(jié)構(gòu)因子 S(Q,E);(c–d)GDOS 與聲子峰位隨溫度(100–300 K)的演化。
此外,研究系統(tǒng)考察了Bi/Sb合金化對(duì)聲子結(jié)構(gòu)的影響:合金化的Mg3BiSb在低至中等能量區(qū)間的聲子態(tài)密度(DOS)顯著展寬,合金無(wú)序散射大幅增強(qiáng);溫度相關(guān)測(cè)量揭示低能聲子隨溫度升高明顯軟化,進(jìn)一步印證了該體系強(qiáng)烈的聲子非諧性。與端元化合物相比,合金化的Mg3BiSb在低至中等能量區(qū)間(1–10 meV)的聲子態(tài)密度顯著展寬,意味著合金無(wú)序散射大幅增強(qiáng)。溫度相關(guān)測(cè)量揭示低能聲子隨溫度升高明顯軟化,進(jìn)一步印證了該體系強(qiáng)烈的聲子非諧性與聲子-聲子相互作用,這正是Mg3BiSb熱導(dǎo)率極低的微觀根源。
上述發(fā)現(xiàn)將Mg3Bi2-xSbx確立為研究對(duì)稱性保護(hù)聲子拓?fù)?/b>與強(qiáng)聲子-聲子相互作用的模型體系,為熱電材料中的晶格工程提供了新的理論視角與實(shí)驗(yàn)路徑。值得一提的是,拓?fù)渎曌訉?duì)熱導(dǎo)的作用機(jī)制仍不十分清楚,期待未來(lái)更加深入的晶格動(dòng)力學(xué)研究。
南昆士蘭大學(xué)陳蕾博士、蒙納士大學(xué)尹越峰博士為論文共同第一作者,山東大學(xué)夏盛清教授,蒙納士大學(xué)趙偉堯博士,南昆士蘭大學(xué)洪敏教授為論文共同通訊作者。本研究得到了澳洲核科學(xué)組織的機(jī)時(shí)和經(jīng)費(fèi)支持,以及澳大利亞研究理事會(huì)的多項(xiàng)項(xiàng)目資助。
論文鏈接:Uncovering complex phonon interactions in Mg3Bi2-xSbx: topology and avoided crossings | Nature Communications
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