山東
2026年6月9日，中瓷電子在平臺(tái)表示：氮化鋁薄膜基板作為低成本非氣密封裝方案的關(guān)鍵封裝材料呈現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。
中瓷電子
全球新一輪AI技術(shù)爆發(fā)帶動(dòng)算力需求激增，在AI算力領(lǐng)域，隨著AI應(yīng)用進(jìn)入大規(guī)模推理階段，高功耗帶來的熱量正讓傳統(tǒng)散熱方案逼近天花板。高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板（熱導(dǎo)率可達(dá)170-200 W/(m·K)，在陶瓷材料中僅次于碳化硅和金剛石）憑借其顛覆性的散熱性能和與硅芯片熱匹配的特性，已成為AI計(jì)算領(lǐng)域不可或缺的戰(zhàn)略性基礎(chǔ)材料。此外，氮化鋁還具有高機(jī)械強(qiáng)度和良好的耐蝕性，被認(rèn)為是最具發(fā)展前途的高導(dǎo)熱陶瓷材料。
AI的這幾個(gè)板塊，真的很需要它！
AI服務(wù)器與GPU集群
在英偉達(dá)新一代產(chǎn)品體系中，陶瓷基板的應(yīng)用主要由芯片功耗大幅提升所驅(qū)動(dòng)。其新一代芯片（如Rubin與Ultra）的功耗已分別達(dá)到2850-3000W，傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂PCB在高溫下易發(fā)生融化、翹曲，且難以保障高頻信號(hào)的傳輸完整性。因此，當(dāng)前的技術(shù)路線是在HDI（高密度互聯(lián)）板中采用PCB與陶瓷基板的混壓方案，而非完全替代。即在電流高、熱量集中的核心區(qū)域使用陶瓷基板，在高精密電路部分仍保留PCB。
高速光模塊
AI帶動(dòng)算力需求，直接拉動(dòng)了數(shù)據(jù)中心建設(shè)和升級(jí)，從而對(duì)光模塊產(chǎn)生了爆炸性需求，作為光模塊封裝關(guān)鍵材料，陶瓷外殼和基板市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。
高速光模塊的核心痛點(diǎn)是光電芯片的高密度散熱與高頻信號(hào)的低損耗傳輸。氮化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)170-200 W/(mK)，是800G/1.6T高速光模塊的首選，可將光芯片結(jié)溫控制在60℃以下，較傳統(tǒng)基板散熱效率提升5倍以上。800G光模塊的ROS/COS組件中，采用氮化鋁陶瓷基板，可實(shí)現(xiàn)差分信號(hào)的高精度布線，信號(hào)傳輸損耗較FR-4基板降低40%，滿足數(shù)據(jù)中心長(zhǎng)距離傳輸需求。
CPO封裝
CPO（共封裝光學(xué)）作為下一代數(shù)據(jù)中心光互連的關(guān)鍵發(fā)展方向，其核心在于將光引擎與交換芯片或計(jì)算芯片通過先進(jìn)封裝技術(shù)集成在同一基板上。電信號(hào)的傳輸距離從“厘米級(jí)”瞬間縮短到了“毫米級(jí)”，功耗直接降了30%-50%，散熱壓力驟減。
雖然整體散熱壓力驟減，但是，將光引擎直接封裝到交換芯片旁邊，兩大高功率器件緊挨在一起，局部熱量驟增，這對(duì)基板的精度、平整度以及熱膨脹系數(shù)匹配度提出了極高的要求。陶瓷基板熱膨脹匹配性優(yōu)異，能分散應(yīng)力集中區(qū)域，為高功耗場(chǎng)景提供結(jié)構(gòu)保障。
注：本文不構(gòu)成任何投資建議。
參考來源：
同花順、金融研究中心、華清龍湖半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園、熱管理實(shí)驗(yàn)室、方正證券、中國(guó)粉體網(wǎng)
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