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7月7日消息，據報道，為應對臺積電與三星即將推出的1.4納米級芯片技術，英特爾計劃在標準的14A工藝基礎上，推出一項名為14A2（即14A Gen2）的改良版制程。
針對14A2工藝，英特爾考慮在原定背部供電的基礎上，同時保留部分前部供電，形成前后雙側供電方案，以應對更先進制程下互連尺寸進一步縮小帶來的技術挑戰。
此外，英特爾計劃在14A工藝中采用名為PowerDirect的背部供電技術，將供電網絡轉移至晶圓背面。在作為半節點升級版本的14A2工藝上，英特爾計劃進一步縮小最低金屬互連層M0間距。
目標是從14A的約28納米壓縮至約21納米，以提升晶體管密度并提高High-NA EUV光刻設備的經濟性。
按照路線圖，英特爾計劃于2026年10月向外部客戶提供14A工藝0.9版本工藝設計套件，隨后爭取在18個月內獲得大型無晶圓廠芯片設計企業的訂單。2028年啟動風險試產、2029年實現量產。
與此同時，臺積電A14晶圓廠預計2027年底試產、2028年下半年量產。三星則計劃2029年量產1.4納米工藝。三巨頭將在1.4納米節點正面交鋒。
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