浙江
由于受到美國出口管制的約束，中國內(nèi)存芯片巨頭長鑫存儲（CXMT）在獲取生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）所需的先進設(shè)備方面面臨重重阻礙，難以在主流AI內(nèi)存市場上與國際巨頭直接競爭。然而，最新業(yè)界動態(tài)顯示，長鑫存儲正試圖通過轉(zhuǎn)向“定制化DRAM”來辟蹊徑，尋找突破口。
報道指出，隨著人工智能硬件的發(fā)展重點逐漸從單純依靠GPU算力擴展至提升高速內(nèi)存性能，長鑫存儲將戰(zhàn)略重點轉(zhuǎn)向了3D集成電路（3D IC）和3D DRAM技術(shù)。這種新型架構(gòu)設(shè)計有望在不依賴傳統(tǒng)HBM設(shè)備的前提下，有效解決數(shù)據(jù)傳輸?shù)男阅芷款i。
據(jù)了解，已有不少無晶圓廠（Fabless）芯片設(shè)計公司就此類新型定制化設(shè)計向三星電子等韓國半導(dǎo)體巨頭提出合作意向。然而，三星和SK海力士目前均采取了極為審慎的態(tài)度。對這兩家韓國巨頭而言，通過大規(guī)模量產(chǎn)和出貨標(biāo)準(zhǔn)型DRAM模塊是其當(dāng)前最主要的利潤來源，盲目切入高度定制化和相對小眾的3D DRAM市場不僅違背現(xiàn)有的成熟商業(yè)模式，還會帶來巨大的研發(fā)與市場風(fēng)險。雖然韓國雙雄也在開展3D DRAM和3D IC的前沿技術(shù)研究，但在短期內(nèi)并無推進大規(guī)模商業(yè)化的計劃。
韓國巨頭的避險策略恰好為長鑫存儲等中國芯片廠商創(chuàng)造了難得的市場切入窗口。不過，押注定制化DRAM同樣面臨不小的挑戰(zhàn)與不確定性。盡管中國半導(dǎo)體廠商已成功研制出多款3D DRAM樣品芯片并開始對接客戶項目，但該架構(gòu)能否在實際的AI推理場景中提供等同甚至超越HBM的性能表現(xiàn)，目前仍未可知。
此外，成本控制與量產(chǎn)良率也是擺在長鑫存儲面前的巨大難題。首批產(chǎn)品進入量產(chǎn)階段后，前期的大量試錯與研發(fā)投入可能推高成本，且最終的市場規(guī)模能否支撐起商業(yè)化回報尚有待驗證。但對于缺乏HBM關(guān)鍵設(shè)備獲取渠道的中國廠商而言，積極探索3D內(nèi)存新賽道，無疑是打破現(xiàn)有技術(shù)封鎖與市場僵局的主動之舉。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
