河南
快科技7月30日消息，鎧俠官方今日宣布，已正式開始送樣采用第九代BiCS FLASH技術的3D閃存芯片，首批型號為1Tb容量的TLC顆粒。
此次送樣的BiCS9芯片主要針對中低容量存儲市場，旨在提供更高性能與更優(yōu)能效比的平衡方案，與此前行業(yè)追求極限堆疊層數(shù)不同，鎧俠在此代產(chǎn)品上采取了穩(wěn)健的策略，通過底層架構升級來提升性能表現(xiàn)。
技術細節(jié)方面，第九代BiCS FLASH采用了230層存儲陣列，雖然這一堆疊層數(shù)在物理層面上與前代BiCS8系列相近，但其核心電路進行了大規(guī)模改進，不僅應用了與下一代BiCS10相同的CMOS制造技術，NAND接口速率也一舉拉升至4.8 Gb/s。
這意味著，雖然層數(shù)未見爆發(fā)式增長，但在單位面積下的數(shù)據(jù)吞吐能力和響應延遲將有顯著改善，這有助于廠商制造出功耗更低、讀寫響應更快的消費級固態(tài)硬盤，尤其是在接口帶寬受限的移動計算平臺中表現(xiàn)將更具優(yōu)勢。
鎧俠同時明確了后續(xù)的技術路線圖，第十代BiCS FLASH計劃將陣列層數(shù)進一步提升至332層，專注于未來超大規(guī)模的數(shù)據(jù)中心以及高性能服務器場景，提供更大容量的單芯片解決方案。
目前該產(chǎn)品處于送樣階段，量產(chǎn)時間、價格與實際性能均未披露，采用該閃存的終端產(chǎn)品也尚未公布，其在大規(guī)模生產(chǎn)中的穩(wěn)定性以及對不同主控芯片的兼容性表現(xiàn)，仍有待后續(xù)觀察。
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