山東
IT之家 7 月 31 日消息，微星（MSI）昨日（7 月 30 日）發(fā)布博文，宣布在標(biāo)準(zhǔn) EXPO DDR5 內(nèi)存上，通過(guò)啟用 High-Efficiency 模式，其性能可以媲美 EXPO ULL 內(nèi)存。
IT之家注：EXPO 是 AMD 推出的內(nèi)存一鍵超頻技術(shù)，專(zhuān)為 AM5 平臺(tái)和 DDR5 內(nèi)存設(shè)計(jì)，通過(guò)調(diào)整參數(shù)和時(shí)序，能夠更好地契合 AMD 銳龍（Ryzen）處理器的架構(gòu)特性，發(fā)揮平臺(tái)最大潛力。
而 EXPO ULL 中的 ULL 代表超低延遲，在維持相同的內(nèi)存頻率與主要時(shí)序（如 6000 MT/s CL36）的前提下，進(jìn)一步收緊 tRRD、tFAW、tWTR、tWR、tRFC 等二級(jí)和三級(jí)次要時(shí)序，從而深度壓低內(nèi)存的讀寫(xiě)延遲。
微星的測(cè)試平臺(tái)為：
- CPU：AMD Ryzen 7 9800X3D
- 主板：MSI B850MPOWER
- 內(nèi)存：
- 2 根芝奇 G.SKILL F5-6000A3038F16GX2-TZ5NXRK (EXPO ULL) 16GB
- 2 根芝奇 G.SKILL F5-6000J3038F16GX2-TZ5N (Standard) 16GB
- 顯卡：MSI GeForce RTX 5090 32G VANGUARD SOC
- CPU 散熱器：MSI MPG CORELIQUID P13 360
- 電源：MSI MEG Ai1300P PCIE5
- 操作系統(tǒng)：Microsoft Windows 11 25H2
IT之家此前報(bào)道，EXPO ULL 內(nèi)存首發(fā)價(jià)遠(yuǎn)超預(yù)期，芝奇 DDR5-6000 CL28 新品溢價(jià)高達(dá) 79%。
微星在博文中表示，默認(rèn)設(shè)置下，時(shí)序?yàn)?CL30-38-38-96 的標(biāo)準(zhǔn) EXPO 內(nèi)存延遲為 79.4 ns；EXPO ULL 內(nèi)存延遲為 71.4 ns。
啟用 High-Efficiency Mode 后，標(biāo)準(zhǔn) EXPO 內(nèi)存延遲降至 71.6 ns，接近 EXPO ULL 內(nèi)存的 71.4 ns。微星稱(chēng)，該模式不會(huì)大幅改善 EXPO ULL 內(nèi)存延遲，因此已使用 ULL 內(nèi)存套裝的用戶無(wú)需啟用。
內(nèi)存規(guī)格延遲（未啟用 High-Efficiency 模式）延遲（啟用 High-Efficiency 模式）EXPO 6000 CL30-38-38-96 (Standard)79.4ns71.6nsEXPO 6000 CL30-38-38-32 (ULL)71.4ns71.1ns
該功能已納入 MSI CLICK BIOS X，可在“Overclocking”頁(yè)面找到。用戶可在 Tightest、Tighter、Balance 和 Relax 共 4 檔預(yù)設(shè)中選擇。
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