河北
前沿導讀
據新加坡媒體《聯合早報》發布的專欄新聞指出，未來的ai發展需要更大規模的算力投入，而中國半導體產業在基礎的芯片上面存在困境，這是需要直面的問題。中國半導體應該實行雙軌并行的策略，一方面積極通過合法渠道與國外企業展開合作，另一方面要加速自主技術的發展，構建出一條可信任的替代選項，二者缺一不可。
雙軌發展
從概念上來說，一邊與國外企業建立合作、共同發展產業，一邊儲備力量開發自主可控的技術產業鏈，這二者并不矛盾。
華為就是一個典型的例子，華為此前是高度融入全球化發展的企業，無論是人才培養還是實際產品，都有國外體系的支撐。但是華為內部有危機感，提前預想到了可能會有被斷供技術的情況，所以在內部孵化了以自主可控為導向的“備胎”計劃，這一點在何庭波多年前發布的信件當中有所說明。
芯片和軟件系統是運轉一切科技產品的基石，切斷了芯片供應和軟件體系的授權，基本就相當于切斷了繼續發展科技的機會，而中國半導體產業較為薄弱的地方恰恰就是芯片和軟件系統。
deep seek的出現，讓國際層面看到了中國企業在技術優化上面的實力，一家中國初創的ai企業可以用相對較低的成本訓練出比肩美國GPT水平的大模型，這是讓國際層面感到震撼的節點。
deep seek的成功固然可喜可賀，但deep seek最初的大模型訓練，在底層芯片上采用的是此前購買的英偉達芯片，軟件生態依賴于英偉達的CUDA。
如今deep seek已經官宣，最新的V4大模型基于華為昇騰芯片實現全棧適配，從英偉達的CUDA生態轉向華為的CANN框架。這是一次國產技術的強強聯合，也是一次脫離海外技術生態的初步嘗試。
采用英偉達芯片、在英偉達技術生態下訓練ai，deep seek所采用的思路是算法效率。通過混合專家架構、多頭潛在注意力機制等技術創新，顯著降低訓練和推理的算力需求，這彰顯的是中國企業在發展策略上面探索出來的差異化競爭路線。
在國外成熟生態的加持，中國企業可以嘗試不同的技術路徑。路徑走通后，再與國內相關企業合作，基于國產技術生態發展ai，最大化提升技術水平和自主可控性。
在自主生態尚未成熟、尚未能承載前沿研發重任之前，通過合規渠道獲取國際技術的支持，采用國外的芯片發展技術，旨在為國內產業爭取重要的時間窗口，以確保研發不被孤立，能持續對標國際前沿。
追逐戰
目前國際巨頭均已經開始先進制程的軍備競賽，臺積電依靠深厚的技術底蘊持續打磨第一代EUV光刻機，使用第一代EUV光刻機制造1.4nm節點的先進芯片。英特爾、三星則是直接采購第二代EUV，試圖使用頂級設備制造1.4nm芯片來縮短與臺積電的技術差距，甚至是反超臺積電。
而中國大陸地區，自始至終都沒能獲得2018年采購那臺EUV光刻機，被卡在了采用DUV光刻機制造7nm芯片的節點。
先進芯片制造極度依賴全球化合作，ASML的曝光設備、日本的材料、美國的刻蝕、沉積、離子注入設備，幾乎每一個環節都依賴于西方技術主導的生態圈。中國企業在7nm尖端制程上的突破，更多是依賴此前購買的存量設備以及行業內成本較高的制造技術，并非真正意義上的獨立制造能力。
華為提出了韜定律以及邏輯折疊技術，在最基礎的設計層面動手將電路進行堆疊式設計，在不依賴EUV的情況下提升芯片性能，緩解因缺少制造設備而造成的產品性能羸弱。預計2031年將核心頻率提升至5GHz，晶體管密度提升至400 MTr/mm2以上，等效1.4nm工藝。
盡管華為對于邏輯折疊技術的麒麟芯片已經進行了目標規劃，但是臺積電、三星等廠商并不會原地踏步等著競爭對手追趕。
臺積電在官網上已經發布了未來規劃：2027年量產A16（1.6nm）工藝，2028年量產A14（1.4nm）工藝。
三星則是緊追臺積電：現階段深耕2nm芯片，預計2029年推出1.4nm工藝，目標在2030年完成1nm研發，2031年直接量產1nm工藝。
在沒有解決EUV難題的情況下，盡管華為采用了全新技術來提升芯片性能和工藝，但是與國際水平相比仍然處于追逐的狀態。
這是一種在先進設備領域的硬件差距，僅靠用設計進行彌補是不夠的，更何況還涉及到散熱、能效、產業生態等多個領域的技術問題。解決先進設備的供應問題，依然是中國半導體產業未來重點推進的項目。
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