一家存儲芯片公司，單挑三星和SK海力士

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全球存儲半導體市場的巨大變革正從DRAM（HBM）蔓延至NAND閃存領域。日本重現昔日半導體王國輝煌的勢頭強勁。

日本NAND閃存領域的領軍企業鎧俠（Kioxia，前身為東芝存儲器）向全球存儲市場的兩大巨頭——三星電子和SK海力士——發起了直接挑戰。在人工智能（AI）數據中心快速發展推動高性能、大容量企業級固態硬盤（eSSD）需求激增的背景下，鎧俠此舉無疑是向兩大巨頭宣戰，誓要不惜一切代價奪回其被竊取的霸主地位。

仿佛為了印證這一點，鎧俠（Kioxia）近期在日本股市掀起了一股戲劇性的逆轉浪潮，市值超越了制造業的象征——豐田汽車公司，榮登榜首。業界關注的焦點在于，日本半導體企業憑借資本市場和技術實力所展現的復興宣言，究竟會止步于口號，還是會成為威脅韓國半導體生態系統的利刃。

“NAND 發明者不能屈居第三”

據商界人士透露，鎧俠控股社長大田信夫在近期舉行的股東大會及公開活動中正式宣布：“無論需要多少年，我都一定會重奪全球NAND閃存市場第一的位置。” 他在接受當地媒體采訪時強調：“作為全球首家發明NAND閃存的公司，如果一直停留在全球第三的位置，這是不可接受的。” 他補充道：“我將以自己的方式讓公司變得更加強大，重返巔峰。”

鎧俠的自信背后有著深厚的歷史底蘊。其前身東芝曾是NAND閃存的全球領先企業，于1987年率先研發并實現了NAND閃存的商業化。然而，自2000年以來，東芝逐漸失去了主動權，被三星電子和SK海力士（包括收購Solidigm）超越。這兩家公司憑借大型設備行業的優勢，進行了大膽的“膽小鬼博弈”式投資。隨后，母公司東芝的會計丑聞以及美國核電站業務的低迷，令鎧俠的處境雪上加霜，最終在2018年被一家由貝恩資本、SK海力士等組成的韓美日財團收購。

目前，在全球NAND閃存市場份額（基于2026年第一季度營收）中，三星電子以29%的份額穩居榜首，SK海力士（包括Solidigm）以18%的份額位居第二，鎧俠以14%的份額位居第三。美光和閃迪（西部數據）緊隨其后，市場份額在13%左右。大田社長的聲明被解讀為意圖發起全面反擊，這標志著這家NAND閃存創始企業在將本土市場拱手讓給韓國企業近20年后，再次以捍衛自身尊嚴為賭注。

人工智能淘金熱改變了企業價值

鎧俠重奪行業第一寶座的最有力現實背景是其前所未有的盈利增長以及隨之而來的資本市場的爆炸性支持。

隨著人工智能時代全面展開，用于存儲大型語言模型（LLM）訓練和推理所需海量數據的高性能企業級固態硬盤（eSSD）的需求呈指數級增長，與支持英偉達人工智能加速器的超高速動態內存（HBM）的需求相呼應。與全力投入HBM市場的競爭對手不同，鎧俠始終專注于NAND閃存和固態硬盤，并充分利用了人工智能數據中心帶來的這一市場下行效應。

事實上，鎧俠2025財年（2025年4月至2026年3月）的合并收入同比增長37%，達到23376億日元（約合22萬億韓元，146億美元），營業利潤飆升93.4%，達到8762億日元，刷新了公司歷史上的最高盈利紀錄。

這份遠超預期的盈利報告震撼了日本股市。鎧俠（Kioxia）在東京證券交易所上市的股票價格在短短一年內飆升數十倍，最終創下日本股市市值第一的驚人紀錄（盤中一度突破44萬億日元），超越了曾經的日本制造業霸主和象征——豐田汽車公司。憑借著在資本市場積累的雄厚實力和信任，鎧俠并未止步于此，而是積極拓展全球市場，甚至宣布計劃在美國紐約證券交易所上市（ADS），以吸引全球投資者。

可行性分析：技術優勢與投資缺口

專家分析了鎧俠重奪第一寶座的可能性，并表示：“雖然技術準備已經完成，但他們能否克服可持續投資規模上的差距，將決定他們的成敗。”

鎧俠最大的武器是其超越后起之秀的下一代技術實力。鎧俠攜手戰略合作伙伴——美國西部數據（WD），率先發布了業界首款第十代332層3D NAND閃存（BiCS FLASH）技術預覽。這項技術飛躍令目前仍在200層至300層初期競爭的三大存儲器巨頭——三星電子、SK海力士和美光——感到震驚。

全球市場研究公司Omdia和IwaiCosmo Securities評估認為，“鎧俠的下一代NAND閃存運用其專有的‘晶圓鍵合’技術，最大限度地提高了數據處理速度和能效。”并補充道，“鎧俠的NAND閃存完美滿足了美國大型科技公司（超大規模數據中心）對數據處理速度的迫切需求，其產品性能領先競爭對手2至4年。” 計算表明，如果鎧俠搶占超高層NAND閃存市場先機，便可迅速扭轉市場份額。

絆腳石和局限性

然而，對市場的冷靜評估仍然留下疑問。對于半導體行業而言，建立大規模生產線（設施投資）與技術研發同等重要，而這每年需要投入數萬億至數十萬億韓元。正是在這一點上，與韓國企業的差距顯得尤為顯著。

三星電子每年僅在其半導體部門就投入約40萬億至50萬億韓元用于設施建設，而SK海力士每年也向HBM及其清州和龍仁集群注資10萬億至20萬億韓元。相比之下，盡管鎧俠近期市值飆升，但就實際年度投資規模和現金流生成能力而言，它遠不及三星和SK。

就連包括《日經新聞》在內的日本地方媒體也指出：“如果日本擔憂韓國的獨霸市場，卻未能持續加大設備投入以縮小差距，那么鎧俠重奪榜首的宣言最終只會淪為一句空洞的口號。” 由于NAND閃存的生產結構是低品種、高產量，且價格波動性遠超DRAM，觀察表明，如果擁有規模經濟優勢的三星電子發起單價戰（一場膽量博弈），鎧俠將難以生存。

美日半導體聯盟的無形之手

鎧俠短期內超越三星電子成為全球NAND閃存第一的可能性不大。市場份額差距（超過15個百分點）相當顯著，而且幾乎不可能一下子扭轉大規模生產帶來的成本優勢。

然而，業界真正擔憂的并非技術或資金，而是地緣政治動態。隨著美國全力壓制中國在半導體領域的崛起，它選擇了日本作為替代，美日半導體聯盟也因此變得愈發公開。美國政府隨時可能以維護國內數據中心供應鏈安全為由，降低對韓國存儲器的依賴，并強制提高日本鎧俠（Kioxia）或美國美光（Micron）產品的采用率。事實上，日本媒體經常援引上世紀80年代美日半導體協議導致日本衰落的案例，提出這種設想：“這一次，美國可能會要求將生產基地轉移到日本鎧俠，或者支持鎧俠以遏制韓國。”

一位國內半導體行業官員表示：“雖然韓國在DRAM領域與HBM保持著巨大的差距，但在NAND市場，多功能性和大規模供應是核心，因此不應輕視鎧俠的復興和技術挑戰。”他還建議：“三星電子和SK海力士只有盡早穩定超高層（300層以上）閃存的量產良率，并捍衛其成本效益優勢，才能在高附加值eSSD市場保持技術領先地位，從而擺脫鎧俠的追擊。”

（來源：編譯自businesskorea ）

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