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外電引述供應鏈消息指出，英特爾下一代「Nova Lake-S」處理器生產策略大轉向，從原訂約六至七成委由臺積電2納米代工，改為多數由自家生產，外包降至20%以下，等于大砍臺積電逾六成訂單量。
外媒指出，英特爾相關策略改變，關鍵在于自家18A制程良率顯著提升。業界分析，此舉反映英特爾先進制程良率大躍進，拉近與臺積電的差距。
市場關注，若英特爾大幅縮減Nova Lake釋單臺積電代工規模，是否影響臺積電2納米接單？業界認為，臺積電2納米產能供不應求，即使英特爾砍單，仍可望迅速由蘋果、輝達、超微（AMD）及其他高效能運算（HPC）客戶填補，研判對臺積電整體產能利用率影響相當有限，惟英特爾后續是乘勢出擊，爭取更多晶圓代工訂單，值得關注。
根據投資銀行KeyBanc Capital Markets先前研究，英特爾原本規劃Nova Lake采取雙重供應模式，主要運算晶粒約六至七成委由臺積電以2納米制程生產，其余則由英特爾以自家18A制程制造，希望兼顧供貨彈性與生產風險。然而，最新供應鏈消息透露，英特爾已重新檢討生產配置，決定將約八至九成運算晶粒轉回自家18A制程，臺積電相關代工訂單將大幅縮減。
業界分析，若相關規劃成真，將是英特爾近年推動制造策略最重要的轉折點之一，因為過去幾年由于制程推進不如預期，英特爾陸續將部分高階產品交由臺積電代工，借此縮短產品上市時程，也讓市場一度認為英特爾高度仰賴臺積電的先進制程支援。如今若能重新將Nova Lake大部分產能拉回自家生產，不僅代表18A已具備穩定量產能力，也顯示英特爾重新建立對自家制造體系的信心。
業界指出，英特爾在Panther Lake產品已量產數月之后，旗下18A制程持續累積實際生產經驗，目前缺陷密度（D0）已降至約0.1至0.2的成熟區間，芯片報廢率同步下降，已足以支撐高階產品大規模量產，不再是影響產品時程的瓶頸。
業界認為，18A是英特爾近年最具代表性的先進制程，導入RibbonFET環繞式閘極電晶體（GAA）與PowerVia背面供電等新架構，被視為與臺積電2納米正面競爭的重要技術平臺。若Nova Lake大幅增加以18A生產比重，代表英特爾對該制程的成熟度已有相當把握。
英特爾先進封裝也要急起直追
英特爾全力沖刺18A先進制程之際，同步加速先進封裝領域布局，傳出其EMIB-T先進封裝技術后段良率已提升至九成以上，并吸引Google、Meta及微軟等大型云端服務供應商（CSP）評估導入，顯示英特爾正藉由先進制程與先進封裝雙引擎，強化AI芯片供應鏈競爭力。
業界指出，AI芯片朝向更大尺寸、更高頻寬與更高整合度發展，先進封裝的重要性已不亞于先進制程，目前市場仍由臺積電CoWoS技術居于領先地位，但在全球AI芯片需求持續攀升下，CoWoS產能長期供不應求，也讓英特爾看見切入契機，積極擴大先進封裝版圖，希望成為國際芯片大廠另一個選擇。
英特爾近年持續優化EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）技術，其中，最新EMIB-T鎖定AI應用需求打造，可支援超大型封裝設計，并能靈活整合ASIC、HBM及I/O等不同晶粒，在兼顧成本與良率下，提供不同于傳統矽中介層（Interposer）的解決方案，加上后段封裝良率突破九成，提升客戶導入意愿。
除2.5D封裝外，英特爾同時強化3D封裝技術Foveros Direct技術，透過銅對銅（Copper-to-Copper）直接鍵結技術，提高芯片堆疊密度與傳輸效率，瞄準資料中心、高效能運算（HPC）及AI加速器等高階市場，與臺積電SoIC等先進封裝技術正面交鋒。
（來源：經濟日報 ）
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