海外巨頭Capex大幅上修，半導體設備ETF國泰（159516）大漲超5%

近期，臺積電二季度業績說明會釋放重磅信號：2026年資本開支（Capex）預算由520億美元～560億美元上調至600億美元～640億美元，年內二度上修，中值較年初提升15%。上調原因有二——AI算力需求驅動下的產能供不應求，以及設備價格通脹帶來的采購成本上升，直接驗證了設備環節量價齊升邏輯。

在海外巨頭擴產加速與國內存儲擴產共振下，半導體設備板塊正進入業績與訂單雙擊窗口。半導體設備ETF國泰（159516）大漲超5%，近20日凈流入超156億元，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測試等核心環節，是布局本輪擴產周期的核心工具。

臺積電Capex年內二度上修，設備采購"量價齊升"邏輯獲直接驗證

臺積電Q2業績觸及指引上延，先進制程主導地位持續強化，Capex上修的理由中"設備價格通脹"尤為關鍵。據東北證券點評，臺積電2026Q2收入402億美元（同比+33.7%），毛利率67.7%超指引上限，7nm及以下占晶圓收入77%，HPC收入環比+20%占比升至66%，AI主導的結構分化進一步加深。Capex上修至600億美～640億美元，分配約70～80%投向先進制程，約10%～20%投向先進封裝及測試。上修原因有二：一是產能供不應求、客戶持續推動擴產，二是設備價格通脹、公司以漲價后價格采購設備。設備環節供需緊張與議價權提升獲直接驗證。遠期口徑同步上修：亞利桑那追加1000億美元投資，中國臺灣未來數年將建設13座先進制程與先進封裝廠。

國泰海通證券指出，臺積電2026年資本開支增速（同比+55%）五年來首次超越收入增速（同比+40%），行業正式進入產能大規模建設初期。華泰證券復盤歷史周期后判斷，本輪設備板塊不同于過去消費電子驅動下的產能過剩，AI Token消耗與先進制程/HBM缺口使得晶圓廠Capex能見度更高、擴產周期更長，設備板塊有望走出獨立超額行情。全球設備商最新季報全面上調指引，ASML將2026年全年營收指引上調至430億歐元～450億歐元，東京電子、愛德萬等日本設備龍頭全年漲幅均超80%。

伯恩斯坦深度測算：每增量GW數據中心算力需約58億美元設備投入，WFE遠期空間持續上修

伯恩斯坦7月20日發布重磅深度報告，首次將AI數據中心GW級建設與WFE需求進行量化關聯測算。報告指出，每增加1GW/年的數據中心算力增量，將需要約5萬片/月（WSPM）的新增晶圓產能，對應約58億美元設備投入。其中DRAM占設備需求的約一半（~50%），NAND約占20%，HBM約占15%，先進邏輯約占10%。在2030年新增50GW/年的基準情景下，2027年～2029年累計WFE需求將超過700億美元，年均WFE支出超240億美元，WFE市場有望從2026年的約1400億美元進一步攀升至2029年的近3000億美元。

伯恩斯坦表示，如果投資者對AI算力建設的中長期趨勢保持信心，當前設備板塊即便經歷大幅上漲后仍有進一步上行空間，并明確表示"我們仍然對半導體設備板塊持積極看法，尤其偏好AMAT，因為增量晶圓需求中DRAM/HBM占主導（AMAT在該領域敞口最高）"。

全球半導體銷售額同比翻倍，存儲漲價與先進制程擴產雙輪驅

SIA公布2026年5月全球半導體銷售額達1206.1億美元，同比翻倍（+104.1%），連續31個月同比正增長，月度銷售額持續刷新歷史紀錄。國元證券指出，以美國為中心的AI需求急劇噴發，帶動韓國及中國臺灣等制造商全力加速供貨。美洲市場銷售額暴增至去年同期的2.3倍，中國同比增長88.8%，歐洲同比增長60.7%。全球半導體景氣度高位運行，SEMI預計2026年全球WFE銷售額達1439億美元（yoy+23%），2028年有望攀升至2295億美元，創下連續5年增長新紀錄。

存儲擴產與先進制程投資形成雙輪驅動。三星、SK海力士與美光三大存儲廠2026年大舉擴產HBM，HBM在整體DRAM產量中占比預計從2025年的12%升至2026年的15%，2027年可能進一步提高至30%。韓國宣布合計1.3萬億美元的長期投資規劃。東北證券判斷，緊缺不僅限于先進制程，AI數據中心帶動PMIC與傳感器需求放量，成熟制程同樣出現短缺，國內晶圓代工在先進制程擴產與成熟制程漲價兩條主線上有望跟隨受益。

半導體設備ETF國泰（159516）跟蹤中證半導體材料設備主題指數，成分股覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測試等核心環節。在臺積電Capex上修驗證量價齊升邏輯、伯恩斯坦量化測算打開WFE遠期空間、全球半導體銷售額翻倍確認景氣高位、國內存儲擴產與先進制程突破提供國產替代增量的多重催化下，該ETF是投資者把握半導體設備擴產周期的核心工具。

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