河南
快科技7月23日消息，阿斯加特官方宣布，海姆達爾內(nèi)存與瓦爾基里二代耀系列內(nèi)存，在華碩Z890主板上成功超頻至8800MT/s。這是國產(chǎn)DDR5內(nèi)存首次沖上高頻天花板，零報錯零藍屏通過烤機驗證。
該內(nèi)存搭載長鑫存儲單顆容量為3GB（24Gb）、位寬為8bit的顆粒，架構(gòu)與制程雙重升級，標配24G×2雙通道48GB超大容量。
長鑫3G8顆粒相比傳統(tǒng)2GB顆粒在單條容量上提升了50%，加之原生6000MT/s頻率配合CL36低時序，為沖擊更高頻率打下堅實基礎(chǔ)。
除了顆粒自身實力之外，華碩Z890 AYW GAMING WIFI W主板的12+1+2+1供電設(shè)計同樣功不可沒。這是一款4DIMM（2DPC/2SPC）設(shè)計的主板，扎實的PCB布局確保了高頻下供電穩(wěn)定和信號完整。
需要提及的是，華碩BIOS針對高頻內(nèi)存的優(yōu)化調(diào)校讓超頻更加友好。即使不熟悉手動調(diào)參的玩家也能輕松釋放硬件潛力，降低了高頻內(nèi)存的使用門檻。
國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的頻率天花板正在被一次次刷新。從微星在AMD平臺將長鑫顆粒推向8200MT/s，到七彩虹與微星在Intel平臺達成8600MT/s，再到如今阿斯加特聯(lián)手華碩沖上8800MT/s，國產(chǎn)顆粒的高頻能力正在快速逼近國際一線水準。
國產(chǎn)DDR5正在用實力證明，高端內(nèi)存市場不再是國際廠商的專屬領(lǐng)地。
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