美國(guó)科研機(jī)構(gòu)：不可否認(rèn)，中國(guó)芯片通過(guò)10年攻堅(jiān)，有所突破，但仍落后國(guó)際水平10年左右

2026年，一家美國(guó)科技媒體——Tom’s Hardware 在梳理中國(guó)十年半導(dǎo)體發(fā)展歷程時(shí)給出了一個(gè)頗具爭(zhēng)議的評(píng)價(jià)：中國(guó)半導(dǎo)體取得顯著進(jìn)展，但在先進(jìn)制程和核心設(shè)備領(lǐng)域，整體仍落后國(guó)際領(lǐng)先水平約10年。

這句話聽(tīng)起來(lái)刺耳，卻也并非全然失真。

問(wèn)題的關(guān)鍵，不在于“落后10年”這四個(gè)字，而在于——這10年，中國(guó)到底干成了什么？又還有哪些真正的硬骨頭沒(méi)有啃下？

2015年，中國(guó)正式啟動(dòng)“中國(guó)制造2025”戰(zhàn)略，把半導(dǎo)體列為核心突破方向。當(dāng)時(shí)中國(guó)芯片自給率不足20%，高端芯片幾乎全部依賴進(jìn)口。

同一年，紫光集團(tuán)試圖以230億美元收購(gòu)美光科技，這場(chǎng)并購(gòu)最終被美國(guó)政府否決。那一刻，中國(guó)企業(yè)徹底明白：核心技術(shù)，買不來(lái)。

此后十年，是一段真正意義上的“補(bǔ)課期”。

存儲(chǔ)芯片的逆襲：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 推出Xtacking架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)邏輯與存儲(chǔ)晶圓分離制造，在128層、232層3D NAND上取得突破；長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 建成DRAM量產(chǎn)線，推出DDR4、DDR5、LPDDR5產(chǎn)品；福建晉華雖受制裁沖擊，但為產(chǎn)業(yè)積累了人才與經(jīng)驗(yàn)。

十年前，中國(guó)在存儲(chǔ)領(lǐng)域幾乎是空白。十年后，至少在技術(shù)路徑和量產(chǎn)能力上，已經(jīng)擁有“參與全球競(jìng)爭(zhēng)”的門票。

制造能力的躍遷：在晶圓代工領(lǐng)域，中芯國(guó)際 通過(guò)浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)結(jié)合自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了7nm工藝的量產(chǎn)驗(yàn)證。這是在沒(méi)有EUV設(shè)備情況下完成的技術(shù)跨越。對(duì)比國(guó)際巨頭：臺(tái)積電 已進(jìn)入3nm量產(chǎn)階段；三星電子 推進(jìn)GAA晶體管結(jié)構(gòu)；英特爾 正向Intel 20A、18A邁進(jìn)。

差距確實(shí)存在，但必須看到：在遭遇出口管制的環(huán)境下，中國(guó)企業(yè)并未停擺，而是在受限條件下逼出了工程創(chuàng)新能力。

全球EUV光刻機(jī)供應(yīng)商只有一家——ASML。EUV設(shè)備涉及高功率激光等離子體光源、超高精度反射鏡系統(tǒng)、真空腔體、納米級(jí)控制系統(tǒng)等數(shù)十個(gè)學(xué)科融合。截至2025年，ASML在EUV領(lǐng)域擁有上千項(xiàng)核心專利，設(shè)備單價(jià)高達(dá)數(shù)億美元。

而中國(guó)：已發(fā)布65nm級(jí)干式DUV設(shè)備；正在測(cè)試國(guó)產(chǎn)浸潤(rùn)式設(shè)備；EUV仍處于實(shí)驗(yàn)與原型階段。在DUV領(lǐng)域，差距可能是數(shù)年；在EUV領(lǐng)域，10年以上的技術(shù)差距并不夸張。

這就是所謂“落后10年”的核心含義——并非全產(chǎn)業(yè)落后，而是先進(jìn)制程關(guān)鍵設(shè)備仍存在代差。

如果把時(shí)間撥回2015年：沒(méi)有先進(jìn)存儲(chǔ)廠；沒(méi)有成熟的FinFET量產(chǎn)能力；設(shè)備高度依賴進(jìn)口；產(chǎn)業(yè)鏈割裂嚴(yán)重。而今天：從材料、設(shè)備、設(shè)計(jì)到制造形成較完整產(chǎn)業(yè)體系；本土EDA、刻蝕、沉積、檢測(cè)設(shè)備快速成長(zhǎng)；國(guó)家大基金完成三期布局，投資規(guī)模數(shù)千億；人才儲(chǔ)備與研發(fā)投入持續(xù)增長(zhǎng)。

十年時(shí)間，中國(guó)并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)全面超越，但完成了“從零到體系”的建設(shè)。這不是彎道超車，這是補(bǔ)課追趕。

美國(guó)、日本、歐洲在半導(dǎo)體基礎(chǔ)科研上的積累超過(guò)40年。中國(guó)真正大規(guī)模投入，不過(guò)十年。技術(shù)不是靠資金堆出來(lái)的，而是靠代際積累。EUV系統(tǒng)背后涉及：光源公司、鏡片供應(yīng)商、精密機(jī)械企業(yè)、控制軟件系統(tǒng)。這些環(huán)節(jié)大多被歐美日企業(yè)壟斷。想完全重建體系，意味著重新發(fā)明一個(gè)產(chǎn)業(yè)。

先進(jìn)制程不僅是理論問(wèn)題，更是良率問(wèn)題。量產(chǎn)穩(wěn)定性、設(shè)備維護(hù)能力、供應(yīng)鏈協(xié)同能力，都需要時(shí)間驗(yàn)證。

如果十年前問(wèn)：中國(guó)能不能做7nm？多數(shù)人會(huì)搖頭。今天，它已經(jīng)存在。如果十年前問(wèn)：中國(guó)能不能做高層數(shù)3D NAND？沒(méi)人相信。今天，它已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)。這說(shuō)明什么？說(shuō)明差距可以縮小。但必須承認(rèn)——先進(jìn)光刻機(jī)是當(dāng)前最大壁壘。突破EUV，不只是設(shè)備問(wèn)題，而是整個(gè)基礎(chǔ)工業(yè)能力的升級(jí)。

“落后10年”聽(tīng)上去刺耳，卻也是一種現(xiàn)實(shí)坐標(biāo)。落后不可怕，可怕的是停滯。真正值得警惕的不是差距，而是自滿。從2015到2025，中國(guó)半導(dǎo)體走過(guò)的路并不輕松：被制裁；被斷供；被圍堵。但產(chǎn)業(yè)沒(méi)有崩潰，反而在壓力下加速重構(gòu)。這十年，證明了中國(guó)可以補(bǔ)課；下一個(gè)十年，決定能否實(shí)現(xiàn)原創(chuàng)突破。

中國(guó)芯片確實(shí)沒(méi)有在十年間實(shí)現(xiàn)全面領(lǐng)先。但同樣不可否認(rèn)的是——這十年完成的體系建設(shè)，是過(guò)去幾十年都未曾有過(guò)的。如果說(shuō)今天還落后10年，那么關(guān)鍵問(wèn)題只有一個(gè)：十年之后，還會(huì)落后嗎？歷史不會(huì)給出答案，但產(chǎn)業(yè)會(huì)。芯片之戰(zhàn)，從來(lái)不是一年兩年的勝負(fù)，而是代際之間的較量。真正的突破，或許不會(huì)轟轟烈烈，卻會(huì)在實(shí)驗(yàn)室、在車間、在無(wú)數(shù)工程師的深夜調(diào)試中悄然發(fā)生。

落后是一種現(xiàn)實(shí)，但追趕，是一種態(tài)度。而這，才是十年攻堅(jiān)真正留下的價(jià)值。

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