存儲芯片史上最罕見的逆襲！

本周，國產存儲雙雄先后更新IPO進度，預計將在下半年先后登陸A股！

一旦上市，以它們當下的靚麗業績，大概率將成為科創板的前三。

但回顧它們的來時路，每一步，都是驚心動魄，簡直就是從死人堆里爬出來的。

畢竟，存儲芯片是全球高科技產業的博弈棋局中，最殘酷的賽道之一。

過去二十年，全球存儲行業形成了極為穩固的壟斷格局：

DRAM內存市場，韓美三巨頭瓜分了全球95%的份額；NAND閃存市場，韓美日五巨頭壟斷超90%市場。

這種壟斷格局的背后，是大量昔日巨頭的破產、倒閉，大浪淘沙；

也是剩下來的這批王者，靠專利封鎖、設備卡喉等鑄造起來的強大護城河。

咱們中國，是全球最大的工業國，擁有最大規模的電子產業鏈，最大的消費市場。

但偏偏在存儲芯片產業上，曾經自給率趨近于零。

十年前的2016年，中國芯片進口就高達2271億美元，超過了石油進口的1166億美元，躍升為最大進口商品。

而在那兩千多億美元的進口芯片中，存儲芯片的占比高達三分之一。

手機、電腦、服務器，整個IT產業鏈的底座都被捏在海外巨頭手中，一旦被封鎖斷供，后果不堪設想。

就是這個關鍵時候，中國落下了兩枚至關重要的棋子：

合肥長鑫存儲，專攻DRAM內存；

武漢長江存儲，攻堅3D NAND閃存。

其實當時，還有一些其他企業同時進場了，譬如福建晉華，但它們最終沒能扛過來。

十年風雨，十年血戰。

只有這兩家企業，在西方的封鎖、打壓、降價絞殺之下，硬是突圍而出了。

很多人無法理解，為什么存儲芯片國產化，比造手機、造屏幕、造普通芯片難上百倍。

因為存儲芯片不是簡單的芯片制造。

它是極致精密的材料科學、極致穩定的工藝控制、數百萬項底層專利壁壘、高度封閉的設備供應鏈共同構筑的工業堡壘。

在長江存儲、長鑫存儲起步之前，西方早已完成了全產業鏈閉環封鎖。

每一個環節，都筑起了壁壘，杜絕任何中國企業突圍的可能。

第一重封鎖：專利圍墻。

在DRAM和傳統2D NAND領域，三星、美光、SK海力士、鎧俠，這些海外巨頭通過數十年的研發，積累了數百萬項基礎專利。

這些專利層層嵌套、互相鎖死，形成了密不透風的專利圍墻。

任何一家新入局企業，只要敢走傳統技術路線，要么侵權敗訴、巨額賠款，要么直接被趕出市場。

海外巨頭們長期奉行“專利圍墻戰略”，堵死了所有的低端追趕通道。

為什么現在幾乎沒有存儲顆粒初創企業？

因為90%都死在專利訴訟和技術撞車上了，根本沒有量產的機會。

第二重封鎖：設備禁運。

存儲芯片制造，高度依賴刻蝕機、薄膜沉積、離子注入、檢測量測等半導體設備。

而在2016年國產存儲起步之初，全球高端存儲設備，幾乎100%被美日企業壟斷。

美國隨時可以一紙禁令，切斷所有的核心設備供應。

當時，福建晉華就是死在了這一步，轟然倒塌。

第三重封鎖：技術人才。

存儲芯片是超級經驗學科，良率調試、工藝迭代、缺陷修復，全部依賴數十年產業積累的資深工程師。

過去，海外存儲巨頭均簽訂嚴格競業協議、用高薪鎖死核心人才，另加嚴禁技術人員流向中國。

這就造成了中國幾乎沒有成熟的存儲研發人才梯隊，一切必須從零開始摸索。

第四重封鎖：價格絞殺。

這是最狠的殺招。

過去十年，存儲芯片經歷了兩輪大熊市，尤其是2022-2024年，最大跌幅超過60%。

而這，恰恰是中國存儲芯片雙雄突破技術良率瓶頸，開始籌備擴產的關鍵時候。

結果就是，長江存儲和長鑫存儲在這三年里，合計虧損超過了500億元，一度陷入資金鏈極度緊張的境地中，幾乎被絞殺。

但在國家的支持下，他們最終挺過來了，并一步步壯大、崛起，成為中國存儲賽道上最強大的兩支生力軍。

先看長鑫存儲。

長鑫專注DRAM芯片，這是存儲行業門檻最高、專利最密、巨頭掌控最嚴的賽道。

相比于邏輯芯片，DRAM對工藝穩定性、漏電控制、一致性良率要求更高，稍有偏差就是整片晶圓報廢。

在長鑫誕生前，全球DRAM產業已經完成多輪洗牌，被韓美三巨頭完全壟斷。

擺在長鑫面前的，是兩條死路和一條險路。

第一條死路：跟隨國際傳統路徑，從老舊的低端制程慢慢迭代。

這條路，會直接撞上海外的數萬項基礎專利圍墻，起步就是侵權，永遠陷于訴訟的汪洋大海之中，最終被淹死。

第二條死路：完全從零自研底層架構。

從零起步的話，研發周期將長達十年以上、需要千億級投入，很可能在行業快速迭代的節奏中，尚未成型就被時代淘汰了。

以上兩條路，風險都極大。

而長鑫存儲，選擇了一條更驚險的躍進之路。

他們趁著西方巨頭們還沒有足夠重視，通過收購的方式獲得了一批專利資產，既規避了專利雷區，又能迅速跳代切入主流制程。

收購的對象，是已破產的德國奇夢達。

奇夢達，是上一輪價格戰中倒下的全球頂級DRAM巨頭，擁有正統的DRAM底層架構、完整的工藝體系、兩萬余項核心專利、2.8TB工程技術文檔。

這樣稀缺的專利資產，放在今天的政治氛圍中，那是中國絕無可能買到的了。

但放在當時，由于西方資本的輕視，讓長鑫撿到了這個幸運的機會。

主導這次收購的關鍵人物，正是長鑫存儲董事長朱一明。

朱一明擁有清華、硅谷背景，是兆易創新創始人，一手將兆易創新做大。

2015年前后，他想切入做DRAM芯片，但發現韓美三巨頭的專利墻太厚了，自研肯定繞不開。

于是開始琢磨收購奇夢達的可能性。

奇夢達是前全球第二大DRAM廠，技術積累深厚，但在2009年金融風暴中倒下。

朱一明在存儲芯片行業浸淫了十幾年，自然知道奇夢達的價值，但苦于自身資金不足。

2016年，他接觸了合肥國資，雙方合資拿出180億元，其中兆易創新出資36億，合肥產投基金出144億，成立長鑫存儲，共同推進收購之路。

收購完成后，長鑫迅速整合技術資料、消化核心技術邏輯，一步步在其技術體系之上，自主迭代升級。

這一步，是長鑫最智慧與關鍵的破局之舉。

由此得以跳過國際巨頭已經淘汰的20nm以上老舊制程，一步到位切入19nm主流工藝，與三星、海力士同場競技。

但避開了專利圍墻，馬上就面臨設備封鎖。

長鑫的建廠量產階段，正是美國半導體制裁逐步升級的關鍵期。

結果顯而易見，部分高端量測設備、精密工藝設備進口受限、交付延期、售后停擺，都是常態。

海外設備廠商一旦接到禁令，很快就會停止提供核心調試服務、禁止更新高端固件、嚴禁協助優化先進制程良率。

沒有外援、沒有技術支持，長鑫團隊徹底進入閉門攻堅、自主摸黑迭代的狀態。

DRAM的良率調試，是百萬級參數的精細博弈。

溫度、氣壓、流速、光刻精度、刻蝕速率、薄膜厚度、漏電控制，任何一個微米級偏差，都會導致整片晶圓報廢。

2018—2019年，是長鑫最艱難的兩年。

工程樣片反復流片、反復失敗，良率波動極大，成本居高不下，外界唱空之聲也不斷。

但長鑫研發團隊選擇了最笨的辦法：

全流程復盤、全參數建數據庫、全工藝自主迭代優化。

通過對數萬組工藝數據的逐條拆解、上千次配方的迭代、日夜不間斷的輪班調試，一點點修復缺陷、一點點拉升良率。

2018年7月，長鑫成功產出中國大陸第一顆自主可控8Gb DDR4工程樣片，改寫了“中國無DRAM芯片”的空白。

2019年9月，在西方全面技術封鎖下，國產首條DDR4芯片產線正式規?；慨a。

長鑫量產后，西方的絞殺進一步收緊。

第一招，專利訴訟。

韓美三巨頭輪番發起專利排查、訴訟威脅，試圖用司法手段拖垮長鑫的商業化進程，制造市場恐慌，嚇退長鑫的合作客戶。

但因為長鑫提前布局了專利池，依托自有迭代專利+合法繼承的西方技術體系，硬生生扛住了西方的多輪訴訟，從此合法上桌。

第二招，價格絞殺。

2018-2019年、2022-2024年，海外巨頭進行了兩次大規模的降價傾銷，DRAM價格斷崖式下跌60%，行業進入超級寒冬。

尤其是第二輪寒冬，長鑫正處于擴產的關鍵時候，局面尤為嚴峻。

根據招股書的數據，長鑫2022年虧損了83.28億元，2023年進一步擴大至虧損163.40億元，2024年也虧損了71.45億元。

三年合計，虧損高達318億元。

關鍵時刻，依靠合肥國資和國家大基金的多輪融資、借款、專項增資，才度過了難關。

在最殘酷的行業寒冬里，長鑫逆勢打磨技術，完成了從19nm到17nm的工藝迭代，完成了DDR4到DDR5的產品升級，推出了LPDDR5移動端產品，開始研發尖端的HBM AI存儲芯片。

熬過寒冬，方得春天。

進入2025年，長鑫迎來歷史性盈利拐點，全年凈利潤超過300億元，2026年Q1更是單季度凈利潤330億元。

一下子，就將十年的投入和虧損全部賺回來了。

而這次的募資所得，預計將全部投入到產能擴張和尖端DRAM、HBM芯片的研發中。

兩年之后，長鑫存儲肯定將會是全球市場上最強大的存儲芯片巨頭之一。

我們再看長江存儲。

如果說長鑫是驚險一躍，那長江存儲走的就是換道超車之路。

跟長鑫類似，在長江存儲起步之前，全球3D NAND的所有專利、工藝、設備、標準，也全部被海外五巨頭牢牢鎖死。

不一樣的是，NAND賽道上沒有長江可收購的海外資產。

但，長江有技術人才。

當時長江存儲的CTO、首席科學家叫霍宗亮，是全球3D IC領域的技術天才。

他是北京大學的微電子學博士，畢業后就去了三星半導體研發中心任職高級工程師，深度參與2D NAND的技術研發。

2010年回國后，他去了中科院微電子所擔任研究員、博導，進一步深入研究3D IC技術。

他很早就預判到，平面微縮的路線要走到盡頭了，3D堆疊是唯一的出路。

2016年，長江存儲創建，他就被邀請擔任核心技術負責人、CTO，從零開始搭建3D NAND的研發體系。

他頂住了業界的質疑，在2017–2019年經歷了238次實驗，最終研發成功了Xtacking鍵合技術。

這是長江存儲最偉大的突破。

在西方壟斷的底層技術規則之上，重建了一套屬于中國的全新技術體系。

要知道，在早期的全球NAND產業，所有企業都被困在這樣的技術邏輯里：

想要提升存儲容量，只能無限增加單片晶圓的堆疊層數。

層數越高、難度越大、良率越低、成本越高、瓶頸越明顯。

如果跟著這個邏輯去研發，遲早都要陷進死胡同里。

而在霍宗亮的帶領下，長江存儲一開始就放棄了“單片堆疊層數”的內卷，走出了一條全新的道路。

長江存儲獨創的Xtacking架構，是這么干的：

將芯片拆分為兩大核心模塊：存儲單元晶圓、外圍邏輯電路晶圓。

兩片晶圓分別用獨立最優工藝加工，再通過高精度鍵合技術垂直互聯。

這一下子，就繞過了西方數十萬項傳統架構的專利壁壘，跳出了海外巨頭的專利牢籠。

更重要的是，突破了西方架構的物理極限：

加工難度大幅下降、芯片性能大幅提升、讀寫速度成倍增長、良率大幅拉高、成本顯著降低、堆疊上限無限打開。

這套架構創新，對于NAND行業來說，是石破天驚的。

相當于光刻機進入浸沒式DUV時代，CPU進入先進封裝時代一樣。

2018年，Xtacking架構亮相全球閃存峰會，直接斬獲全球年度最佳創新技術，一下子就震驚了整個半導體行業。

當然，雖然長江存儲一出生就掌握了業界最先進的技術，但發展路上依然伴隨著最嚴苛的科技制裁。

在高端制程、超高堆疊、晶圓鍵合、精密檢測等環節，美國持續收緊設備禁令，高端設備交付延遲、核心配件斷供、技術服務全面停止，全部一一出現。

面對設備卡脖子的困境，長江存儲被迫開啟了極致的國產化替代、工藝攻堅的漫長苦戰。

從2018年32層3D NAND初代產品艱難量產起步，長江存儲一步步完成迭代：

2019實現64層Xtacking量產，換道起步；

2021實現128層技術更新；

2022完成232層量產，反超三星，成為全球首個進入零售市場的200+層方案；

2024推出294層技術，繼續領跑。

截止2026年的今天，雖然SK海力士率先量產了321層更高堆疊層數的NAND芯片，但由于長江存儲掌握獨創的Xtacking技術，在高I/O速度、低功耗上仍然具有優勢。

在2022—2024年的存儲寒冬期，NAND芯片價格一度下跌了50%，長江存儲也一度虧損了200多億元。

但就跟長鑫一樣，熬過黑暗的周期后，2025年長江存儲首次實現全年規?；?，全球市場份額突破10%，躋身全球六大NAND廠商之一。

在這次IPO過后，預計長江存儲將能募資300–400億元，兩年后把產能從20萬片/月拉到50萬片/月，同時把3D DAND從294層沖到400層，坐穩全球NAND的前三寶座。

除此之外，長江存儲也在布局研發HBM芯片技術、企業級SSD主控領域。

很多人誤以為，長江存儲和長鑫存儲是競爭對手。

事實上，他們是在不同賽道上突進的國產雙雄。

長江攻堅NAND，解決的是數據存儲、長期留存的問題，也就是俗稱的硬盤。

長鑫攻堅DRAM，解決是設備運行、實時運算的問題，跟AI運算的關系更大，因此在這輪AI行情中受益更大。

但不管怎樣，兩條賽道都非常重要，缺一不可。

曾經，中國存儲自給率幾乎為零；

但經過十年奮斗，如今國產存儲自給率已大為提升，關鍵民用領域實現自主可控。

國產存儲行業也擁有了自主的技術體系、穩定的工藝體系、成熟的產業生態。

十年之間，山河巨變。

長江存儲和長鑫存儲從不同賽道出發，如今各自奔赴A股上市。

兩三年后，還將在AI賽道兵家必爭的HBM芯片上相遇，發起新一輪向韓美巨頭的沖鋒。

根據業內信息，長鑫存儲將在2026年底大規模量產HBM3芯片，2027年推出升級16層堆疊的HBM3，2028年推出對標SK海力士最先進產品的HBM4。

而長江存儲，將依托于自身先進的Xtacking技術，在2027年推出混合鍵合工藝的HBM3，并于2028推進大規模量產。

兩三年后再回首，全球存儲芯片版圖必將再一次被中國人改寫。