廣東
6月16日，晶湛半導體宣布Micro LED光通信技術取得新突破，公司開發的8-12英寸Si基GaN Micro LED光源產品，取得了電流密度500 A/cm2下的1.6 GHz帶寬的標桿級實測成果，Micro LED光源功耗可低于1 pJ/bit。
據介紹，晶湛半導體從外延材料端著手優化，通過設計制備高質量GaN基多量子阱（MQW）外延結構，有效抑制量子限制斯塔克效應（QCSE）、提升載流子復合速率，同時精細化調整 Micro LED器件結構，縮小有源區面積以降低器件電容、改善RC時延問題。
在晶湛半導體與中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所陸書龍課題組合作中，測得500 A/cm2的超低電流注入條件下實現1.6 GHz的-3dB截止頻率，器件功耗低于1 pJ/bit。
圖1：左)晶湛半導體Micro LED帶寬實測S21曲線；右)Micro LED光源帶寬bench mark
晶湛半導體基于自主研發的8英寸、12英寸硅基GaN外延技術，并結合晶圓對晶圓（W2W）、芯片對晶圓（D2W）鍵合工藝，實現了Micro LED光通信器件性能優化。
相關技術可與現有高速存儲及通信系統架構兼容，面向數據中心短距離高速互連應用需求。憑借低功耗、低散熱及抗電磁干擾等特點，Micro LED光通信方案有望成為未來數據中心短距互連技術路線之一。
晶湛半導體成立于2012年，總部位于蘇州工業園區，主要從事硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延材料研發與產業化，產品應用方向包括電力電子和微顯示等領域。
來源：晶湛半導體
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