存儲設備的新一波浪潮，誰能抓住？

過去兩年，HBM一直被視為存儲界的“試金石”。但如今，這一現狀正發生階段性變化。

根據TrendForce最新研究，2026年第一季度，64GB DDR5 RDIMM服務器內存模塊的單位晶圓收入和盈利能力，首次超越HBM產品。 這意味著，目前存儲行業最賺錢的產品不再是緊貼AI GPU的HBM，而是AI服務器內部大量使用的DDR5內存。

相應的，頭部存儲廠商之間的 DRAM 擴產競爭也愈演愈烈。

新一輪DRAM擴產競賽， 已然打響

據悉，SK海力士正籌劃一場史上規模最大的DRAM產能擴張。據The Elec報道，SK海力士已向核心供應商披露計劃，擬在2030至2031年間將DRAM月產晶圓數量從目前約55萬片提升至約100萬片，幾乎翻倍。這與SK集團會長崔泰源（Chey Tae-won）在2026年COMPUTEX展會上的公開表態相吻合——他當時宣稱公司將"以全速在五年內將整體晶圓產能翻倍"。

該計劃的核心目標是：將目前每月約55萬張（包含中國無錫工廠約20萬張產量）的DRAM月產能，提升至2030年的100萬張左右。此次擴產將高度集中于龍仁半導體集群。

根據規劃，SK海力士將龍仁一期晶圓廠劃分為6個潔凈室，首個潔凈室（Phase 1）的設備搬入時間已從原定的2027年5月提前至2月。在完成設備調試并新增6萬張產能后，剩余產能將在隨后的3年內逐步釋放，共計增產36萬張。按此推算，僅龍仁一期晶圓廠就能在2030年上半年新增每月36萬張的DRAM產能。

與此同時，目前正在擴建的清州M15X晶圓廠也將貢獻增量。該廠預計將于今年下半年以每月4萬張的規模啟動運營，并在明年達到約8萬張的產能。

從現有規劃來看，SK海力士新增產能均聚焦于DRAM領域，這主要源于AI數據中心建設和AI訓練/推理對高性能計算硬件的需求呈爆發式增長，直接引發HBM和服務器用高密度DRAM的巨大需求。至于NAND閃存，未來將主要通過技術升級（如增加層數）來推進。

在HBM4E方面，SK海力士也在加快交付進度。6月18日，SK海力士12層堆疊HBM4E已向各大核心客戶送出樣品。HBM4E是第七代HBM，預計SK海力士的HBM4E將被用于英偉達的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，Rubin Ultra計劃于明年發布。

值得注意的是，5月29日，三星電子宣布，已開始向主要全球客戶交付業內首批12層48GB HBM4E樣品。美光的HBM4產能爬坡進展也相對順利，計劃于2027年量產HBM4E。隨著新一代HBM產品的量產，這三家存儲龍頭的供應競爭將進一步加劇。

這場AI盛宴的幕后，最開心的遠不止存儲廠商，還有那些賣“鏟子”的半導體設備商。那么，在浪潮洶涌之下，誰才能抓住真正的機會？

半導體設備商的 “潑天富貴”

本輪擴產的第一波設備紅利，首先砸向先進DRAM前道制程。但受益的遠不止光刻機——刻蝕、沉積、清洗、量測等各類前道核心設備，乃至后道堆疊專用設備，均因工藝復雜度躍升而需求激增。

光刻機是第一個也是最硬的需求缺口。當DRAM制程邁入10nm及以下節點后，傳統光刻需依靠多重曝光才能刻出目標電路，直接推高工藝復雜度，并帶來良率走低、成本攀升等難題。先進光刻設備成為行業剛需，各大廠商甚至提前布局High-NA EUV。今年3月，SK海力士便披露將向ASML采購總價約80億美元的EUV光刻機，交付至2027年底，全面服務于下一代工藝。光刻機的緊俏也拉動了配套設備的價值重估——涂膠顯影設備在多重曝光流程中配置量同步倍增。

刻蝕與薄膜沉積是最大受益者，兩者合計占DRAM產線設備投資的近五成。先進DRAM的真正難點在于存儲電容器的構建。進入1b節點后，平面架構的電容尺寸已達物理極限，產業轉向三維垂直結構：在氧化硅/氮化硅疊層中刻蝕深溝槽，孔徑僅數十納米，深寬比突破100:1。這直接催生了高深寬比刻蝕設備（負責溝槽成型，側壁垂直精度達納米級）和原子層沉積（ALD）設備（負責溝槽內壁均勻鍍膜）的高速增長。

數據顯示，如今3D NAND 為提升存儲密度，將存儲單元垂直堆疊，層數不斷增加，目前主流產品已超過 300 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕設備的需求量和性能要求呈指數級增長，比如從32層提高到128層時，刻蝕設備用量占比從35%提升至48%。堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積設備提出了更高要求。

同時，清洗設備需求飆升——高深寬比刻蝕后的副產物極易在底部堆積，傳統清洗液無法有效浸潤，而光刻步驟翻倍使清洗工序增至200道以上，倒逼超臨界流體清洗等高端方案快速滲透。

CMP設備同樣是不可或缺的關鍵環節。在前道先進DRAM制程中，CMP貫穿淺槽隔離、電容層平坦化和多層互連等多個節點，工藝復雜度躍升直接推高設備需求。

此外，DRAM 晶圓完成前段工藝制造后，將進入 HBM 堆疊工藝工序，同時也會帶動一整套專用設備的新增需求。比如：要將多層DRAM晶圓垂直堆疊，晶圓減薄機必須將芯片厚度從常規的數百微米減至50微米以下，而變薄后的晶圓極易翹曲和碎裂，這對減薄機的精度和應力控制提出嚴苛挑戰；混合鍵合設備則要在常溫下實現銅-銅直接擴散連接，界面平整度需控制在亞納米級；TSV刻蝕與檢測設備更要在薄片上打通數十萬個垂直通孔，并逐一排查電氣連通性。而混合鍵合前的原子級表面處理、超薄晶圓減薄配套及TSV平坦化均依賴CMP完成。

半導體設備廠商，

誰抓住了這波浪潮？

在回答“誰抓住了機會”之前，有必要先看清這波浪潮的體量。

泛林集團（Lam Research）CEO在2026年1月的財報電話會上預測，2026年全球晶圓廠設備市場將躍升至1350億美元，雖受潔凈室短缺制約，但下半年增長強勁。HBM與先進封裝成核心引擎，預計后者增速超40%，NAND升級亦加速推進。

科磊（KLA）預測2026年WFE規模將突破1400億美元，且2027年增速有望進一步提升。這是一場千億美元級別的設備盛宴。而在這場盛宴中，不同賽道的設備商受益邏輯各不相同。

關于這波浪潮的受益者，先看國際廠商。

光刻機的最大受益者必然是ASML，這一點不用贅述。涂膠顯影設備的主要供應商是東京電子，其市占率長期穩定在90%左右，EUV光刻涂膠顯影設備的市占率更是達到100%，

泛林半導體是刻蝕領域的絕對龍頭，其Kiyo、Flex系列設備是行業標配。目前，泛林集團已推出專為 4F2 和三維 DRAM 制程設計的 Akara 刻蝕系統，同時還提供適用于硅通孔制程的 Syndion 刻蝕系統、以及向硅通孔結構沉積銅金屬的 Sabre 3D 電鍍系統等設備。

應用材料則是在沉積領域與泛林形成雙雄對峙。近日，應用材料發布兩款面向3D芯片微縮技術的全新制造設備，聚焦先進邏輯與存儲芯片在高深寬比結構下的核心工藝挑戰。其中，Centris Spectral設備采用高密度微波等離子體技術，可在低溫條件下于復雜3D結構內沉積致密、均勻的氮化硅薄膜，顯著提升GAA晶體管與高層數3D NAND的良率與穩定性。

另一款Producer Selectra鉬刻蝕機則首次實現對金屬鉬的高選擇性干法刻蝕，有效解決傳統濕法在數百層堆疊中刻蝕不均、底部難以觸及的難題，大幅改善3D NAND單元一致性與數據保持能力 。

SCREEN Holdings是全球晶圓清洗設備的市場領導者。根據YH Research數據顯示，2025年SCREEN控股在逐片處理半導體晶圓（基板）的單片式清洗設備領域，全球份額占到約38%。

Besi是混合鍵合設備的主要參與者。今年4月初，SK海力士采購了由應用材料與Besi聯合研發的混合鍵合量產成套設備，整套設備造價約200億韓元，折合1500萬美元，整合了應用材料CMP化學機械拋光、等離子處理設備與Besi混合鍵合機，也是SK海力士首套面向量產的混合鍵合設備。

Besi預測，到2030年，全球已安裝的混合鍵合系統累計數量將達到960至2000臺。市場規模方面，全球混合鍵合設備市場預計將從2023年的1.23億美元，以24.7%的驚人復合年增長率，飆升至2030年的6.18億美元。其中，亞太地區（尤其是中國大陸）將成為增長引擎，市場規模有望超4億美元。

再看國內的半導體設備廠商。2026年5月19日，長江存儲完成IPO輔導備案。6月12日晚間，證監會官網顯示，證監會同意長鑫科技首次公開發行股票并在科創板上市的注冊申請。長鑫存儲與長江存儲走向IPO，只是故事的A面。B面是：它們身后的國產設備商，正從工藝外圍的零星國產，逐步躋身左右存儲芯片良率上限的關鍵核心制程賽道。

北方華創是國內半導體設備領域的平臺型企業，產品線覆蓋刻蝕機、薄膜沉積設備（PVD、CVD）等多種關鍵設備。據悉，其PVD/CVD設備已加速進入國內DRAM龍頭廠商的供應鏈體系。去年10月，北方華創還在互動平臺表示，長江存儲是公司的戰略客戶，公司多款ICP及CCP刻蝕設備、薄膜沉積設備、爐管設備和清洗設備應用于長江存儲的芯片生產線。

中微公司等離子體刻蝕設備已大量用于先進三維閃存和動態隨機存儲器件的量產；拓荊科技專注于薄膜沉積設備，尤其是PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設備。PECVD是3D NAND芯片制造中的關鍵環節，直接影響芯片的多層堆疊能力。上述兩家公司的產品均已導入長江存儲供應體系。

華海清科是國內少數能量產CMP（化學機械拋光）設備的廠商。CMP是芯片制造中的關鍵工藝環節，直接影響到芯片的平整度和良率。盛美上海為國內存儲龍頭企業供應清洗設備；精測電子提供光學檢測、量測等設備；芯源微是涂膠顯影設備供應商；精智達專注于存儲芯片測試設備；至純科技為提供高純工藝系統等。

存儲設備的新浪潮，從來不是概念炒作的狂歡，而是技術迭代與市場需求雙向奔赴的必然。當 DDR5 憑借高密度優勢成為行業盈利核心，當 HBM 的工藝突破拉開高端競爭序幕，這場圍繞存儲的較量，早已回歸到技術實力與產業韌性的本質。

國際巨頭靠著數十年在核心設備、先進制程上的沉淀，依然占據著高端市場的主導權，其產能擴張與技術布局，直接牽動著全球存儲供應鏈的脈搏。但國產陣營的突圍之路同樣亮眼，北方華創、中微公司等企業緊跟國內存儲龍頭的擴產節奏，從配套環節一步步切入核心制程，用持續的技術迭代和客戶驗證，正慢慢打破海外壟斷的壁壘。

責任編輯 | 陳斌