2026-2031年中國iHBM技術應用市場需求及開拓機會研究報告

iHBM技術為新散熱方案 一體化冷卻元件ICE為其核心載體

iHBM（integrated HBM）是一種內置散熱式高帶寬內存技術，其核心是在高帶寬內存封裝內部直接集成一體化冷卻元件ICE，通過在芯片內部熱量最為集中的區域開辟專用熱量排出通道，從結構層面根本性解決高帶寬內存面臨的散熱難題。
根據新思界產業研究中心發布的《2026-2031年中國iHBM技術應用市場需求及開拓機會研究報告》顯示，近年來，AI大模型參數量與算力密度指數級提升，推動高帶寬內存向更高堆疊層數、更高傳輸速率迭代，HBM（高帶寬存儲器）堆疊逐漸從12層、16層向20層及以上邁進。HBM通過增加堆疊層數與提升運行速度來實現性能的迭代升級，但隨之而來的功耗與熱量積聚已成為制約算力釋放的核心瓶頸之一。

傳統HBM采用被動間接散熱，熱量僅通過核心裸片單一通道傳導，存在散熱路徑長、熱阻高、易出現中心積熱等局限，且在高溫、高負載等嚴苛環境下易導致芯片降頻甚至失效，難以滿足未來AI數據中心對持續高負載運行的散熱要求。
iHBM依托MR-MUF晶圓級封裝工藝實現，可直接嵌入現有系統級封裝環境，具有兼容性強、熱阻低、散熱精準、無需大幅改動硬件設計、可規模量產等優勢，可滿足高性能計算（HPC）、AI數據中心等應用場景的散熱管理需求。
SK海力士為iHBM技術的先發者，2026年5月，SK海力士正式發布iHBM解決方案，并計劃將該技術率先應用于HBM5等下一代產品中。通過前瞻布局，SK海力士將進一步鞏固在AI存儲器領域的技術領導地位。
一體化冷卻元件ICE是iHBM技術的核心載體，功能是在HBM封裝內部額外構建散熱路徑，形成專用的熱量排出通道。ICE利用絕緣、高導熱性的硅基材料制成，硅基材料具備高導熱性、電絕緣性雙重關鍵特性。
韓國科學技術院（KAIST）Terralab實驗室指出，從HBM5開始，冷卻技術將成為決定HBM競爭力的關鍵因素。除SK海力士外，三星電子、微軟、長鑫存儲、瀾起科技等企業也在積極布局HBM散熱領域，如三星電子在HBM4中通過低電壓TSV技術與PDN優化，實現約30%的散熱效果提升。
新思界行業分析人士表示，目前全球HBM市場集中度高，其中SK海力士、三星電子、美光科技三家企業占據95%以上的市場份額。HBM在AI服務器GPU中為主流解決方案之一，隨著AI和高性能計算需求激增，全球HBM市場規模將進一步擴張，預計2026-2030年將從300億美元膨脹到千億美元，iHBM技術作為HBM散熱方案之一，市場空間有望隨之擴大。

2026-2031年中國iHBM技術應用市場需求及開拓機會研究報告

來源解讀：新思界

五章 iHBM技術行業市場競爭情況分析
第一節 iHBM技術行業競爭格局
一、行業競爭程度
二、供應商議價能力
三、消費者議價能力
四、替代品威脅
五、新進入者威脅
第二節 iHBM技術行業區域競爭力分析
第三節 國內iHBM技術行業國際競爭力分析
第四節 競爭總結
第六章重點下游企業分析
第一節 企業一
一、企業概述
二、企業對iHBM技術產品需求情況
第二節 企業二
一、企業概述
二、企業對iHBM技術產品需求情況
第三節 企業三
一、企業概述
二、企業對iHBM技術產品需求情況
第七章 iHBM技術行業重點企業分析
第一節 企業一
一、企業發展概況分析
二、企業iHBM技術產品結構
三、企業iHBM技術產品市場表現
四、企業iHBM技術產品競爭優劣勢分析
五、企業新產品動向分析
第二節 企業二
一、企業發展概況分析
二、企業iHBM技術產品結構
三、企業iHBM技術產品市場表現
四、企業iHBM技術產品競爭優劣勢分析
五、企業新產品動向分析
第三節 企業三
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第八章中國iHBM技術行業發展前景預測及投資潛力研究
第一節 中國iHBM技術行業發展前景預測
一、市場生產規模預測
二、市場銷售規模預測
三、應用領域一發展前景預測
四、應用領域二發展前景預測

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