JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布公告,宣布完成SPHBM4標(biāo)準(zhǔn)制定,其中“SP”表示的是“標(biāo)準(zhǔn)封裝(Standard Package)”的首字母縮寫。SPHBM4和HBM4在容量擴(kuò)展上沒有分別,不過SPHBM4在接口基礎(chǔ)裸片(Interface Base Die)部分采用了不同的設(shè)計,可安裝在標(biāo)準(zhǔn)有機(jī)基板,而不是硅基板上。
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SPHBM4類似于人工智能(AI)加速器中常用的HBM4,使用了相同的DRAM芯片和堆疊結(jié)構(gòu),但是采用不同的緩沖芯片,以便在標(biāo)準(zhǔn)封裝中進(jìn)行組裝。SPHBM4的DRAM通過分布式接口與主機(jī)計算芯片相連,接口分為多個獨(dú)立通道,各通道之間完全相互獨(dú)立,且通道之間不一定保持同步。
以往每個HBM堆棧采用的都是1024位接口,HBM4堆棧采用2048位接口,位寬翻倍是2015年HBM內(nèi)存技術(shù)推出后的最大變化。SPHBM4則與HBM4不同,選擇了往另一個方向發(fā)展,每個堆棧的接口數(shù)量更少了,降至512位。為了實(shí)現(xiàn)相同的數(shù)據(jù)傳輸速率,SPHBM4的每個通道接口均配備一條16位數(shù)據(jù)總線,以雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)運(yùn)行,速度是相應(yīng)HBM4通道(64位數(shù)據(jù))的四倍,這項(xiàng)改進(jìn)也使得有機(jī)基板所需的凸點(diǎn)間距得以放寬。
由于SPHBM4與HBM4采用了相同的DRAM核心層,每個堆棧的總?cè)萘勘3忠恢拢怯袡C(jī)基板布線帶來了額外的優(yōu)勢:可支持更長的SoC到內(nèi)存通道,這可能增加SPHBM堆棧的總數(shù)量,從而提升總內(nèi)存容量。
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