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先進封裝已從后端工藝轉變為人工智能計算周期的核心產能瓶頸。市場趨勢在于封裝如何成為人工智能硬件輸出的物理控制層。在上一個半導體周期中，瓶頸通常是晶圓產能、領先的前端節點準入或光刻技術。而在這個周期中，瓶頸已轉移到將邏輯、HBM（高密度基板）、IC（集成電路）基板、中介層、橋接層、RDL（粗糙分類層）、散熱解決方案和測試集成到一個高良率系統中的能力。這是市場的關鍵轉折點：封裝已成為計算供應的單元。
最重要的市場信號是臺積電的AP需求正以高復合年增長率增長，而CoWoS產能實際上仍被英偉達、超大規模數據中心和領先的ASIC開發商占據。這使得CoWoS產能成為一項戰略資產。人工智能加速器的需求不再僅僅取決于英偉達、AMD、博通、谷歌、亞馬遜或微軟能否設計芯片，也不再僅僅取決于臺積電或三星能否制造晶圓。它取決于是否存在足夠的2.5D和HBM封裝產能來將這些芯片組裝成系統。這正是OSAT廠商擴大產能、采用先進封裝技術以及FOPLP技術普及的原因所在。
市場正進入高資本支出階段，同時也呈現出更加分化的趨勢。人工智能/高性能計算 (AI/HPC)、HBM、定制ASIC、AI服務器、CPO以及高端基板均面臨短缺。與此同時，移動、消費電子以及部分汽車和工業領域仍然具有更強的周期性，且對價格更為敏感。這導致后端市場呈現出雙速發展態勢。傳統OSAT的產量與先進封裝的價值并不相同。最終的贏家并非僅僅是那些擁有最大組裝能力的公司，而是那些在2.5D封裝、混合鍵合、HBM測試、扇出型RDL、大尺寸基板處理、KGD、CPO貼裝以及高功率SLT/老化測試等領域擁有稀缺能力的公司。
供應鏈日益受到關鍵瓶頸的制約，例如臺積電CoWoS產能、集成電路基板原材料、日東紡T-Glass、HBM封裝以及先進測試。臺灣、日本和韓國在關鍵領域占據主導地位，而美國和中國則大力投資以建立國內能力。此外，印度在轉向先進封裝領域之前，曾投資超過6家OSAT（外包半導體封裝測試公司）進入傳統封裝領域。先進封裝領域的總資本支出接近170億美元，反映了集成器件制造商（IDM）、晶圓代工廠和OSAT在先進封裝領域的貢獻，預計這一數字還將繼續增長。因此，先進封裝已成為一個具有戰略意義、資本密集且地緣政治意義重大的環節，它決定了有多少人工智能計算能力能夠真正進入市場。
先進封裝技術路線圖由三個同步集成方向構成：通過 2.5D/3D 和光纖 (FO) 向外擴展，通過 3D 堆疊和混合鍵合向上擴展，以及通過共封裝光學器件擺脫銅箔。這些并非獨立的技術趨勢，而是對同一系統問題的不同應對方案：人工智能硬件需要更高的帶寬、更近的內存距離、更高的芯片靈活性、更低的延遲、更低的每比特能耗、更優的供電能力以及更易管理的散熱。如今，封裝已成為解決這些權衡取舍的架構。
2.5D/3D 仍然是人工智能加速器時代的核心技術。CoWoS 集成是參考平臺，因為它解決了在高帶寬互連基板上放置大型邏輯芯片和多個 HBM 堆疊的迫切需求。硅中介層可提供高密度布線、均勻的 HBM 訪問和高性能，但同時也帶來了成本、光罩、面積和容量方面的限制。因此，技術爭論的焦點已從“是否需要 2.5D”轉向“哪種 2.5D 架構擴展性最佳”。臺積電的 CoWoS 仍然占據主導地位，日月光的 FOCoS 和安靠的 2.5D/HDFO 產品線正在擴展，而英特爾的 EMIB/EMIB-T 正在成為最可靠的基于橋接技術的替代方案。關鍵的技術轉變在于選擇性硅：在帶寬承載需求的地方使用高密度硅，而在有機布線、橋接布線或扇出布線能夠滿足需求的地方，則避免構建完整的大面積硅中介層。
（來源：編譯自yole ）
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