【三星電子擴大與英偉達NAND供應合作 加速V9、V10閃存布局】財聯社7月21日電,三星電子正擴大與英偉達在NAND閃存領域的合作,在此前已開展DRAM、高帶寬內存(HBM)及晶圓代工合作的基礎上,進一步深化存儲芯片供應關系。據報道,三星已開始量產第十代V-NAND(V10)并向英偉達供貨,同時擴大第九代V-NAND(V9)產能,并推進第十一代500層級V-NAND(V11)開發。據悉,三星目前已具備月產超過10萬片V-NAND的產能,其中約60%產能分配給V9產品。
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