北京
隔夜美股三大指數集體收漲，道瓊斯工業平均指數上漲0.33%，標普500指數上漲0.85%，納斯達克綜合指數上漲1.13%；費城半導體指數單日暴漲5.21%，創年內最大單日漲幅，指數成分股中存儲芯片板塊全線反彈，美光科技收盤上漲8.83%，韓國存儲巨頭SK海力士美股ADR上漲7.12%，三星電子ADR上漲4.26%，這一輪異動拉開了全球半導體板塊情緒修復的序幕，需要從政策、行業、投資三個維度拆解背后的邏輯。
政策端預期轉暖打開上漲空間
本次半導體板塊反彈的核心觸發因素，是美國對華芯片出口管制政策迎來邊際松動信號。近期美國官方明確表示，將針對AI芯片出口出臺分級管制規則，而非此前市場擔憂的全面禁令：對于性能低于H800的中低端AI芯片、面向消費電子終端的成熟制程存儲芯片，將維持當前出口政策框架，不會追加新的限制。此外，韓國政府證實，三星電子、SK海力士在華芯片工廠的設備出口許可期限已延長至2025年，消除了產業鏈核心環節的政策不確定性。此前市場對管制升級的過度定價已經充分反映悲觀預期，政策預期轉暖直接推動估值修復。
行業周期拐點信號逐步確認
存儲芯片是本輪半導體周期下行調整最充分的板塊，截至2024年上半年，全球DRAM現貨價格已經較2022年高點下跌超55%，NAND Flash價格下跌超48%，價格下行已經觸碰到主流廠商的邊際成本線。從行業數據來看，當前全球主流存儲廠商已經連續三個季度下調資本開支，美光2024財年資本開支計劃從160億美元下調至120億美元，SK海力士今年資本開支削減幅度超30%，行業主動去庫存已經進入尾聲：根據集邦咨詢最新數據，2024年第二季度全球主流存儲廠商庫存周轉天數已經從去年四季度的112天下降至87天，回到行業正常區間。疊加AI服務器對高帶寬內存（HBM）需求持續超預期，美光最新財報顯示HBM訂單已經排至2024年末，行業供需格局改善的拐點已經明確，本次上漲是基本面預期修復的提前反映。
全球科技賽道投資情緒修復明確
本次費城半導體指數的大漲，帶動全球科技股風險偏好抬升：歐洲斯托克半導體指數昨日收盤上漲2.17%，A股半導體板塊早盤高開超1.5%，港股中芯國際收盤上漲2.3%。從估值來看，當前費城半導體指數的市盈率約為28倍，處于近五年40%分位，存儲板塊龍頭估值更是處于近十年20%以下的極低分位，估值修復空間充足。對于全球投資者而言，本次板塊反彈驗證了科技賽道周期反轉的邏輯，上游芯片的情緒修復也將逐步傳導至終端消費電子、AI應用等下游賽道，打開全球科技板塊的階段性修復窗口。
本文僅為產業事件分析，不構成任何投資建議，投資有風險，入市需謹慎。
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