河南
快科技8月1日消息，據(jù)媒體報道，包括SK海力士在內(nèi)的多家存儲芯片供應(yīng)商計劃在今年內(nèi)量產(chǎn)并商用LPDDR6內(nèi)存。
其中SK海力士已于2026年3月完成LPDDR6產(chǎn)品的開發(fā)驗證，該產(chǎn)品基于第六代10納米級（1c）工藝制造，規(guī)格為16GB，標志著新一代移動內(nèi)存技術(shù)正加速進入量產(chǎn)階段。
按照行業(yè)慣例，LPDDR產(chǎn)品的導(dǎo)入通常需要經(jīng)歷四個關(guān)鍵節(jié)點，依次為顆粒單體驗證、研發(fā)驗證、小批量導(dǎo)入驗證，最后才進入正式量產(chǎn)階段。
相比上一代LPDDR5X，新產(chǎn)品在性能和功耗方面均實現(xiàn)了顯著跨越。數(shù)據(jù)處理速度提升33%，單引腳傳輸速率高達14.4Gbps。功耗方面，LPDDR6的整體功耗較前代降低20%以上，在高負載場景下能夠提供最大帶寬性能，在日常使用中也有助于有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。
盡管LPDDR6內(nèi)存在速率和能效方面都取得了明顯進步，但其成本也隨之水漲船高。博主智慧芯片案內(nèi)人表示，今年將有三家供應(yīng)商量產(chǎn)LPDDR6內(nèi)存，但多數(shù)手機品牌并不會大規(guī)模采購，即便有也只是象征性地推出限量版本，不會進行大規(guī)模放量銷售。
核心原因在于內(nèi)存價格過高，手機廠商已經(jīng)難以承受其成本壓力。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度，全球通用DRAM合約價環(huán)比暴漲90%至95%。進入第二季度，DRAM合約價再漲58%至63%，NAND閃存也環(huán)比上漲70%至75%。
與2025年同期相比，內(nèi)存成本累計漲幅已接近300%。在低端機型的物料清單中，內(nèi)存成本占比已超過65%，遠遠超出了正常水平。在如此巨大的成本壓力之下，絕大多數(shù)廠商已無力采購LPDDR6內(nèi)存。
小米集團總裁盧偉冰此前曾預(yù)判，內(nèi)存漲價的趨勢至少會延續(xù)到2027年底，甚至可能持續(xù)至2028年。他表示，如今任何一款手機的定價都會受到內(nèi)存成本大幅上漲的直接影響。
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