山東
IT之家 8 月 13 日消息，英特爾 CEO 陳立武在談及美國芯片產業復興時透露，曾被認為屬于“商品化業務”的新型存儲架構，如今已經成為具有戰略意義的領域，也是他本人重點關注的項目之一。他還表示，存儲行業正處于創新的關鍵時期，并暗示英特爾正在探索將存儲堆疊在 CPU 上方的方案。
經過多年的商品化競爭，存儲芯片在最近幾個季度重新成為戰略資產，而且這種情況可能還會持續一段時間。因此，全球主要的 3D NAND 和 DRAM 制造商如今都變成了利潤豐厚的企業。英特爾 CEO 陳立武對此顯然非常關注。
陳立武表示：“過去我的想法是，‘不要投資存儲芯片，因為這是一項商品化業務’，但現在情況已經不同了。”他繼續說道：“現在有大量新技術正在出現。所以，我們正在關注一些新的存儲架構，這也是我重點關注的項目之一。我想你們剛剛也看到相關新聞：我聘請了我的好友李錫熙（Seok-Hee Lee），他曾經負責 SK 海力士。所以，你們大概能猜到我正在考慮什么。不過，我們現在還沒有準備好公布具體計劃。”
陳立武沒有透露這個重點項目的具體內容，甚至沒有明確說明這是否屬于他本人在英特爾重點推動的戰略項目，還是屬于他投資的某家公司。不過，他確實提到，將存儲芯片堆疊在 CPU 上方可能非常有意義，但沒有進一步解釋具體方案。
陳立武的這番表態，也是在英特爾一項 XBM 專利曝光之后作出的。該專利提出了一種無需使用 HBM 硅中介層的方案。
“我認為 CPU 和存儲之間有很多方式可以真正實現堆疊。”陳立武說，“同時，我們也應該嘗試為存儲尋找一些新的架構。我認為，在某種程度上，存儲領域還存在大量尚未實現的創新，因此這里有一個非常好的發展空間。”
據IT之家了解，英特爾其實最初就是一家存儲芯片公司。1968 年成立后，英特爾曾在存儲芯片領域取得相當不錯的成績。但到了 20 世紀 80 年代，日本企業逐漸占據領先地位，英特爾遭受嚴重虧損，最終不得不徹底退出存儲芯片市場。
此后，英特爾曾多次嘗試重新進入存儲領域。公司先后涉足 NAND 和 Optane 存儲業務，或者試圖通過 RDRAM 這類新型存儲技術尋找新的增長機會。不過在這三次嘗試中，英特爾最終都放棄了相關存儲業務，而且沒有造成特別嚴重的財務損失。
考慮到當前 3D NAND 和 DRAM 制造商的盈利能力，生產存儲芯片如今確實再次成為一門不錯的生意，而且未來一段時間內可能仍將保持較高利潤。
不過，如果英特爾想重新進入存儲市場，就需要投入大量資本，至少建設一座晶圓廠，同時還需要投入研發資金開發具有競爭力的制造工藝，并且需要足夠長的時間才能形成規模。
如果企業擁有足夠資金，授權獲得相關技術當然也是一種選擇。但很難相信在當前這個階段，英特爾會更愿意把資本投入存儲業務，而不是用于核心產品和晶圓代工業務。
此外，投資者會如何看待這類投資也存在很大疑問。畢竟，英特爾目前仍在努力成為晶圓代工市場中的強勁競爭者，同時公司此前已經因為未能實現戰略目標而退出了 3D NAND 以及 3D XPoint / Optane 業務。
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