河南
●蘇州中院正式判決英飛凌侵犯英諾賽科2件核心發明專利，英諾賽科一次性贏得兩案全部勝訴
●蘇州中院針對英飛凌一次性發出2張訴中臨時禁令裁定并立即生效，且最高院已正式復議裁定維持蘇州中院的2張訴中臨時禁令
2026年6月12日，最高人民法院正式發出2份訴中臨時禁令復議裁定書，裁定維持蘇州中院于2026年5月27日針對英飛凌一次性發出并于送達當日立即生效的2張訴中臨時禁令，英飛凌無法再對最高院的這2份復議裁定書繼續上訴，意味著英諾賽科贏得起訴英飛凌專利侵權兩案的歷史性重大勝訴，對英飛凌的專利侵權行為帶來核彈級的打擊和震懾，有力地保護了英諾賽科的高質量原創性GaN功率半導體技術創新成果，捍衛了中國第三代半導體行業的科技創新自立自強。
其實，早在2026年5月27日，蘇州中院就已經針對英諾賽科起訴英飛凌發明專利侵權兩案做出英諾賽科全面勝訴的兩份判決書并送達雙方當事人，蘇州中院經審理認定，英飛凌侵犯英諾賽科的兩項氮化鎵核心發明專利，并判令英飛凌立即停止侵權并賠償英諾賽科損失兩案合計1000萬元。隨同這兩份判決書同時送達雙方當事人的，是蘇州中院針對英飛凌一次性發出的兩案2張訴中臨時禁令裁定并立即生效。英飛凌隨即針對2份訴中臨時禁令裁定向最高人民法院提起復議，直至今天最高人民法院正式發出2份訴中臨時禁令復議裁定書，明確維持蘇州中院的2份訴中臨時禁令，這也正式宣告了英諾賽科的歷史性、史詩級的專利維權勝利。兩案訴中臨時禁令與兩案勝訴判決共同形成了對英諾賽科核心發明專利權的有力保護。
兩案所涉專利圍繞GaN功率器件的關鍵結構及制備技術，是英諾賽科長期自主研發與持續技術積累的重要科技創新成果。兩案訴中臨時禁令自2026年5月27日送達并立即生效后，英飛凌立即無法在中國大陸境內實施包括銷售、許諾銷售、進口相關侵權產品等在內的侵權行為。
此次勝利是英諾賽科在全球GaN功率半導體行業競爭中的關鍵突破，是對英飛凌此前在美國、德國發起的一系列無理訴訟圍剿的沉重打擊和有力回應，更是中國第三代半導體行業科技創新自立自強的集體勝利。作為GaN功率半導體的全球技術領導者，英諾賽科長期積累形成的自主知識產權應當受到充分尊重和嚴格保護。英諾賽科將繼續堅持自主創新，依法維護自身核心技術成果與合法權益，堅決捍衛公平競爭的市場秩序，堅定維護中國第三代半導體行業的生存發展空間。
來源：IPRdaily中文網（iprdaily.cn）
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