上海
7月9日，長鑫科技集團股份有限公司（簡稱“長鑫科技”）披露招股意向書，擬首次公開發行A股并在上交所科創板上市。公司本次擬初始公開發行股票668,808.8608萬股，約占發行后總股本的10.00%。公司預計發行日期為7月16日，中金公司和中信建投為聯席保薦人。
本次IPO長鑫科技擬募集資金295億元，主要投向存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目、DRAM存儲器技術升級項目、動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發項目，擬使用募集資金金額分別為75億元、130億元和90億元。
長鑫科技成立于2016年，主要從事DRAM產品的研發、設計、生產及銷售。招股書顯示，公司是我國規模最大、技術最先進、布局最全的DRAM研發設計制造一體化企業。公司采取“跳代研發”策略，已完成從第一代工藝技術平臺到第四代工藝技術平臺的量產，并實現從DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等產品覆蓋和迭代升級。
2019年9月，長鑫科技推出自主設計生產的8Gb DDR4產品，招股書稱其實現了中國大陸DRAM產業“從零到一”的突破。目前，公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠。根據Omdia數據，按照產能、出貨量和銷售額統計，長鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。
財務數據顯示，2023年至2025年，長鑫科技營業收入分別為90.87億元、241.78億元和617.99億元；歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-163.40億元、-71.45億元和18.75億元。2025年，公司實現扭虧，同期扣非歸母凈利潤為53.16億元。
2026年上半年，受全球算力需求增長、主要廠商產能調配以及DRAM產品供不應求等因素影響，公司業績進一步大幅增長。公司預計2026年上半年營業收入為1,100億元至1,200億元，歸母凈利潤為500億元至570億元。
值得注意的是，長鑫科技截至2025年末仍存在累計未彌補虧損約366.50億元。若上述業績預計最終實現，長鑫科技上半年的歸母凈利潤便可一舉彌補過去十年的所有虧損。
長鑫科技背后的關鍵人物是創始人、董事長朱一明。朱一明同時也是兆易創新創始人、董事長。截至招股意向書簽署日，朱一明通過清輝集電、合肥集鑫肆拾壹號企業管理合伙企業（有限合伙）及兆易創新間接持有長鑫科技2.642%的股權。
封面來源：公司官網
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