江蘇
關鍵信息：
- 美國商務部長稱，希望三星電子和SK海力士擴大在美半導體生產設施。
- 三星稱暫無具體討論，SK海力士回應無法確認，但均稱條件合適可考慮。
- 美光宣布到2035年在美投資超2500億美元，目標40%DRAM本土生產。
- 三星、SK海力士在美項目已推進，但韓國業界認為再擴產必要性不高。
美國商務部長稱，希望三星和SK海力士擴大在美半導體工廠
三星方面表示，“目前還沒有具體討論提議”；SK海力士則稱“無法確認”。
據彭博社報道，美國商務部長霍華德·拉特尼克9日表示，希望三星電子和SK海力士擴大在美國的半導體生產設施。
彭博社稱，拉特尼克當天在紐約州克萊出席美光半導體工廠混凝土澆筑儀式時表示：“我希望把美光的競爭對手三星電子和SK海力士也帶到美國來建廠。”他說，“美光已經走在前面，競爭對手會感到嫉妒，最終也不得不跟進。”不過，他沒有就此作出更具體說明。
拉特尼克還表示：“我們希望保護那些投資于美國優秀企業和知識產權的人。我認為，美光應盡可能快地建成工廠。”他還稱，“特朗普式經濟模式清楚表明，現在是投資美國前所未有的好時機。”
拉特尼克出席的這場活動，涉及美光于2022年公布的紐約超級晶圓廠項目。這意味著美光已從場地準備階段進入實際半導體生產廠房施工階段。美光計劃在該地塊最多建設4座半導體工廠，預計于2029年開始量產。項目全部建成后，預計將成為美國歷史上規模最大的半導體制造園區。
拉特尼克的表態，延續了特朗普政府一貫要求擴大美國境內半導體生產設施的主張。尤其值得注意的是，這番話是在三星電子和SK海力士近日宣布將投資800萬億韓元建設韓國西南地區半導體基地之后作出的。
不過，三星電子方面表示，“目前還沒有具體討論在推進”；SK海力士方面則回應稱“無法確認”。兩家公司原則上都認為，如果條件合適，可以考慮擴大在美國的生產設施。
目前，三星電子和SK海力士已宣布在美國建設的半導體設施，分別是晶圓代工廠和后道封裝工廠。三星電子正在得克薩斯州泰勒建設的晶圓代工廠已進入完工階段，計劃從明年起正式以2納米工藝啟動量產。SK海力士在印第安納州建設的封裝工廠則剛剛開工。
韓國半導體業界普遍分析認為，三星電子和SK海力士事實上很難滿足美國方面進一步擴大半導體設施的要求。外界已知的是，兩家公司此前因在美國建設半導體設施而承諾獲得的補貼，并未得到足額落實。
此外，兩家公司繼龍仁之后，又決定在韓國西南地區建設大規模存儲芯片工廠，現階段已制定出相當充分的供應計劃，因此在美國再建存儲芯片工廠的必要性實際上并不高。
一名半導體行業人士表示，三星電子決定在美國建設晶圓代工廠、SK海力士決定建設封裝工廠，也有靠近美國客戶的戰略考慮。“美國人工成本高，而且并沒有存儲芯片生產供應鏈，要在美國建設存儲芯片工廠并不容易。”
另一方面，美光當天在混凝土澆筑儀式上表示，到2035年將把在美國的投資規模擴大到2500億美元以上，約合377萬7500億韓元，高于其去年6月提出的2000億美元。美光稱，這項投資將支撐其“40%的DRAM在美國本土生產”的目標，并將在美國各地創造超過90000個就業崗位。
作者：金成民
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