天津
(全球TMT 2026年07月17日訊)7月16日-17日，第七屆第三代半導體材料及裝備發展研討會在北京舉辦。三安光電亮相并發表《碳化硅功率半導體在AI服務器電源的解決方案》主題演講，面向全產業鏈分享公司碳化硅方案在AI服務器電源領域的最新產業化成果。
三安光電650V SiC MOSFET在典型負載下最高效率達96.71%，相比傳統硅基方案，系統整體能效提升約5%。以一兆瓦系統五年運行周期測算，單套系統電費可節省約60萬美元，同時實現散熱能耗降低30%、運維成本下降20%。即便計入SiC模塊初期溢價，整套方案投資回報周期僅2.1-2.8年，五年整體綜合成本可下降23%。
三安光電構建覆蓋長晶、襯底、外延、芯片設計制造的碳化硅全產業鏈垂直整合布局，已具備從材料端到應用端的完整交付能力。公司可靠性實驗室通過CNAS認證，測試標準覆蓋JEDEC、MIL、AEC-Q101等主流規范。目前，三安光電碳化硅產品已在新能源汽車、光伏儲能、充電樁、服務器電源及AI數據中心等領域批量應用，累計向超過800家國內外客戶交付碳化硅芯片及器件4億顆。公司明確下一代技術規劃：加速8英寸碳化硅襯底量產，壓降缺陷與生產成本；依托AI智能檢測實現制造全流程管控；聯動國內產業鏈伙伴突破關鍵技術，構建碳化硅完整產業閉環。
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