日本的半導(dǎo)體實(shí)力，藏在一張合照里

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過(guò)去兩年，英偉達(dá)黃仁勛頻頻走訪中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)。除了敘舊以外，更多是這兩個(gè)地方的芯片供應(yīng)鏈對(duì)其GPU及相應(yīng)芯片和機(jī)架供應(yīng)造成了關(guān)鍵影響。但最近，黃仁勛造訪了日本，并拜訪了日本供應(yīng)鏈合作伙伴之后，我們才發(fā)現(xiàn)，原來(lái)日本也是這波AI浪潮背后不可以的大贏家。

據(jù)介紹，上述合照中，除了黃仁勛以外，還包括Tokyo Electron、鎧俠、愛德萬(wàn)測(cè)試、村田制作所、信越化學(xué)工業(yè)、住友電氣工業(yè)、瑞薩電子、TDK、京瓷、旭化成、三井金屬、太陽(yáng)誘電、日東紡績(jī)以及芝浦機(jī)電等在內(nèi)的多家企業(yè)CEO。

有網(wǎng)友甚至打趣道，這張照片中少了任何一個(gè)公司，全球AI芯片產(chǎn)業(yè)甚至可能會(huì)停擺。當(dāng)然，這是一種夸大的說(shuō)辭，但這也體現(xiàn)了上述企業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈的重要性。

不可或缺的芯片設(shè)備巨頭

隨著大模型參數(shù)規(guī)模不斷擴(kuò)大，以及生成式AI應(yīng)用快速落地，全球?qū)τ贏I算力的需求正在持續(xù)增長(zhǎng)。作為當(dāng)前AI基礎(chǔ)設(shè)施核心的GPU和AI加速芯片，正在進(jìn)入快速擴(kuò)產(chǎn)階段。

但AI芯片的制造難度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)芯片。一方面，AI芯片需要采用更先進(jìn)的制造工藝，以提升晶體管密度和能效比；另一方面，隨著單顆芯片性能提升空間逐漸接近極限，產(chǎn)業(yè)開始轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝，通過(guò)Chiplet架構(gòu)將計(jì)算芯片、HBM等多個(gè)芯片整合在一起。這意味著，無(wú)論是先進(jìn)邏輯制造，還是先進(jìn)封裝技術(shù)，都需要更加復(fù)雜和精密的半導(dǎo)體設(shè)備支持。

在這一趨勢(shì)下，日本半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)正在成為AI芯片擴(kuò)產(chǎn)的重要受益者。其中，合照中出現(xiàn)的Tokyo Electron、愛德萬(wàn)測(cè)試和芝浦機(jī)電，正是這個(gè)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先玩家。

首先看半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商之一——Tokyo Electron。據(jù)介紹，該公司業(yè)務(wù)覆蓋涂膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗等晶圓制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著臺(tái)積電、三星、英特爾等企業(yè)持續(xù)擴(kuò)大先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝產(chǎn)能，其提供的相關(guān)設(shè)備需求也持續(xù)增長(zhǎng)。

在上個(gè)月接手日經(jīng)采訪的時(shí)候，該公司CEO也表示，存儲(chǔ)器制造商正準(zhǔn)備部署下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和更先進(jìn)的DRAM技術(shù)，而NAND閃存生產(chǎn)商則在增加芯片的層數(shù)，從而提高其容量。邏輯芯片也在向更復(fù)雜的2納米生產(chǎn)工藝發(fā)展。

Tokyo Electron CEO進(jìn)一步指出，公司正在大力投資以把握這些趨勢(shì)。其中一個(gè)重點(diǎn)是3D集成，即將多個(gè)芯片和功能封裝到單個(gè)單元中。該業(yè)務(wù)去年創(chuàng)造了約300億日元（1.9億美元）的收入。河合表示，今年的銷售額有望增長(zhǎng)超過(guò)60%，到2030年甚至可能超過(guò)3000億日元。

這位CEO還表示，當(dāng)前人工智能驅(qū)動(dòng)的繁榮與以往的半導(dǎo)體周期有所不同。需求不僅由人工智能服務(wù)器驅(qū)動(dòng)，還受到機(jī)器人、高性能計(jì)算、通信基礎(chǔ)設(shè)施以及未來(lái)“物理人工智能”應(yīng)用等領(lǐng)域更廣泛的技術(shù)變革的推動(dòng)。

與此同時(shí)，AI芯片復(fù)雜度提升，也讓測(cè)試環(huán)節(jié)的重要性進(jìn)一步凸顯。相比傳統(tǒng)芯片，AI GPU、AI ASIC不僅集成度更高，同時(shí)引入Chiplet、HBM等復(fù)雜架構(gòu)，對(duì)于晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試以及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試提出更高要求。

愛德萬(wàn)測(cè)試正是這一趨勢(shì)下的重要受益者。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備企業(yè)，其測(cè)試系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片以及高性能計(jì)算芯片測(cè)試領(lǐng)域。隨著AI芯片價(jià)值量提升，測(cè)試環(huán)節(jié)在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中的價(jià)值也不斷提高。

據(jù)相關(guān)介紹，高性能和人工智能半導(dǎo)體中使用的片上系統(tǒng)測(cè)試儀的需求激增，是推動(dòng)愛德萬(wàn)測(cè)試走向幕前的重要原因。愛德萬(wàn)測(cè)試還指出，其高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的內(nèi)存測(cè)試儀業(yè)務(wù)持續(xù)強(qiáng)勁。

其核心業(yè)務(wù)是半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)，用于驗(yàn)證芯片在出貨前是否功能正常并符合性能和耐用性標(biāo)準(zhǔn)。隨著人工智能和高性能計(jì)算中使用的芯片變得越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)更先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備的需求也越來(lái)越大，以確保質(zhì)量和可靠性。

芝浦機(jī)電（Shibaura Mechatronics）則是一家日本半導(dǎo)體及顯示制造設(shè)備企業(yè)，主要提供晶圓清洗、濕法刻蝕等半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，同時(shí)也布局平板顯示制造設(shè)備等領(lǐng)域。

作為半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的重要設(shè)備供應(yīng)商，芝浦機(jī)電并不直接參與芯片設(shè)計(jì)或制造，而是通過(guò)提供晶圓加工過(guò)程中不可或缺的工藝設(shè)備，服務(wù)于全球晶圓廠和存儲(chǔ)廠商。隨著人工智能產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，AI芯片、HBM等高性能半導(dǎo)體需求持續(xù)增長(zhǎng)，推動(dòng)先進(jìn)邏輯制程、存儲(chǔ)制造以及先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張。而先進(jìn)制程和3D堆疊技術(shù)對(duì)晶圓潔凈度、表面處理和缺陷控制提出了更高要求，使清洗和濕法工藝的重要性不斷提升。

憑借在晶圓清洗和濕法處理設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)積累，芝浦機(jī)電有望受益于AI驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體制造投資周期，成為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施背后的關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商之一。

MLCC市場(chǎng)的半壁江山

MLCC（多層陶瓷電容器）以及相應(yīng)的被動(dòng)元器件，也是最近火熱的AI熱點(diǎn)之一。過(guò)去，被動(dòng)元件通常被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中較為成熟、技術(shù)壁壘相對(duì)較低的環(huán)節(jié)，但隨著AI服務(wù)器向更高算力、更高功耗方向發(fā)展，其重要性正在被重新認(rèn)識(shí)。

AI加速器、GPU以及高性能計(jì)算平臺(tái)需要消耗大量電能，并且對(duì)供電穩(wěn)定性提出了更高要求。以英偉達(dá)GB200、GB300等新一代AI系統(tǒng)為代表，單機(jī)柜功耗持續(xù)提升，電源架構(gòu)正在從傳統(tǒng)12V向48V甚至更高電壓方向演進(jìn)，同時(shí)芯片附近的電源管理也面臨更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。在這一過(guò)程中，MLCC、電感、濾波器等被動(dòng)元件承擔(dān)著電源穩(wěn)定、噪聲抑制、瞬態(tài)響應(yīng)優(yōu)化等關(guān)鍵作用，需求量和性能要求同步提升。

尤其是在GPU、ASIC等AI芯片附近，由于芯片工作頻率不斷提高，電流變化速度加快，電源網(wǎng)絡(luò)（PDN，Power Delivery Network）需要具備更低的阻抗和更快的響應(yīng)能力。這推動(dòng)了高容量、高可靠性、小型化MLCC以及硅電容等新型被動(dòng)器件的發(fā)展。相比傳統(tǒng)消費(fèi)電子，AI服務(wù)器對(duì)被動(dòng)元件的要求更高，不僅需要更大的容量密度，還需要更低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL），以減少電源波動(dòng)對(duì)芯片性能的影響。

與此同時(shí)，AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶來(lái)的服務(wù)器數(shù)量增長(zhǎng)，也直接擴(kuò)大了被動(dòng)元件的用量。一臺(tái)高性能AI服務(wù)器中需要大量MLCC用于主板、電源模塊以及加速卡等多個(gè)環(huán)節(jié)，而隨著HBM、先進(jìn)封裝以及Chiplet架構(gòu)的發(fā)展，芯片封裝內(nèi)部和周邊區(qū)域?qū)τ诟咝阅苋ヱ铍娙莸男枨笠膊粩嘣黾印Ｒ虼耍琈LCC正在從傳統(tǒng)電子設(shè)備中的基礎(chǔ)元件，逐漸演變?yōu)橹蜛I算力基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分。

在這一趨勢(shì)下，日本企業(yè)憑借長(zhǎng)期積累的材料、工藝和制造優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了全球MLCC市場(chǎng)的重要地位。其中，村田制作所、京瓷、TDK株式會(huì)社等企業(yè)正在圍繞AI服務(wù)器、高性能計(jì)算和先進(jìn)封裝場(chǎng)景，推出更高性能的電容、電感以及電源解決方案，成為AI供應(yīng)鏈中容易被忽視但不可或缺的一環(huán)。

首先看村田方面，作為全球領(lǐng)先的被動(dòng)元器件廠商，村田在MLCC領(lǐng)域長(zhǎng)期保持領(lǐng)先地位，其優(yōu)勢(shì)不僅來(lái)自陶瓷材料和精密制造能力，也在于圍繞高性能計(jì)算場(chǎng)景持續(xù)拓展新型電容技術(shù)。面向AI服務(wù)器功耗快速提升帶來(lái)的電源完整性挑戰(zhàn)，村田正在布局包括MLCC、硅電容在內(nèi)的組合式電容解決方案。其中，硅電容憑借更薄的尺寸、更低的寄生參數(shù)以及更優(yōu)的高頻特性，可以進(jìn)一步靠近AI芯片端，縮短供電路徑并降低電源噪聲。村田認(rèn)為，未來(lái)AI數(shù)據(jù)中心需要從單一元件優(yōu)化轉(zhuǎn)向整個(gè)PDN（電源分配網(wǎng)絡(luò)）的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)，因此正通過(guò)電容器、仿真工具以及電源完整性技術(shù)服務(wù)，為下一代AI服務(wù)器提供更加穩(wěn)定、高效的供電方案。

京瓷是日本綜合性電子零部件企業(yè)，在精密陶瓷材料和MLCC領(lǐng)域擁有長(zhǎng)期技術(shù)積累。憑借自主開發(fā)的高純度介電材料以及薄層化制造工藝，京瓷持續(xù)推進(jìn)MLCC向“小型化、高容量化、高可靠性”方向發(fā)展。面向AI服務(wù)器等高功耗應(yīng)用，京瓷近年來(lái)推出更高容量的小型MLCC產(chǎn)品，以滿足AI設(shè)備對(duì)空間利用率和電源穩(wěn)定性的需求。 隨著AI算力提升帶動(dòng)電源管理需求增長(zhǎng)，京瓷正在強(qiáng)化其在高性能計(jì)算和服務(wù)器市場(chǎng)中的被動(dòng)元件布局。

太陽(yáng)誘電是全球主要MLCC供應(yīng)商之一，在高可靠性、高容量陶瓷電容領(lǐng)域具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。針對(duì)AI服務(wù)器中芯片功耗提升、電源噪聲控制和高速響應(yīng)需求，太陽(yáng)誘電積極開發(fā)面向IC電源去耦的高性能MLCC產(chǎn)品。公司近年來(lái)推出用于AI服務(wù)器的基板內(nèi)置型MLCC，，通過(guò)將電容進(jìn)一步靠近芯片，降低電源路徑損耗和噪聲，提高供電穩(wěn)定性。 這類產(chǎn)品有望成為未來(lái)AI服務(wù)器高密度電源架構(gòu)的重要組成部分。

卡AI脖子的芯片材料

如果說(shuō)半導(dǎo)體設(shè)備決定了芯片制造能力，那么半導(dǎo)體材料則決定了先進(jìn)制造的基礎(chǔ)。

日本企業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域占據(jù)重要地位，覆蓋硅片、光刻材料、封裝材料、電子化學(xué)品等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。進(jìn)入AI時(shí)代，隨著芯片性能提升以及先進(jìn)封裝快速發(fā)展，這些材料的重要性進(jìn)一步凸顯。

其中，出現(xiàn)在合照中的信越化學(xué)工業(yè)是全球半導(dǎo)體硅片領(lǐng)域的龍頭企業(yè)之一。硅片是芯片制造的基礎(chǔ)材料，而AI芯片對(duì)于晶圓質(zhì)量、缺陷控制和一致性提出了更高要求。憑借在硅片、光刻材料等領(lǐng)域的長(zhǎng)期積累，信越化學(xué)成為AI芯片供應(yīng)鏈的重要參與者。同時(shí)，隨著Chiplet、HBM和先進(jìn)封裝成為AI芯片發(fā)展的核心方向，公司在相關(guān)材料領(lǐng)域的布局也進(jìn)一步受益。

隨著AI芯片從“單芯片競(jìng)爭(zhēng)”轉(zhuǎn)向“系統(tǒng)級(jí)集成競(jìng)爭(zhēng)”，先進(jìn)封裝的重要性不斷提升。英偉達(dá)等廠商通過(guò)Chiplet和HBM技術(shù)，將計(jì)算芯片與高速存儲(chǔ)進(jìn)行高密度集成，這也推動(dòng)了封裝材料需求增長(zhǎng)。

在這一趨勢(shì)下，三井金屬憑借高性能銅箔技術(shù)成為AI產(chǎn)業(yè)鏈中的重要材料供應(yīng)商。其電子材料產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高頻高速電路板、IC載板和半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域。隨著AI服務(wù)器數(shù)據(jù)傳輸速率不斷提升，傳統(tǒng)銅箔已難以滿足高速信號(hào)傳輸需求，而具備更低表面粗糙度、更高可靠性的高性能銅箔正成為先進(jìn)封裝和高端PCB的重要材料。雖然三井金屬并不直接制造AI芯片，但其材料正在支撐AI系統(tǒng)性能提升。

旭化成則代表了日本在先進(jìn)封裝材料領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。作為一家綜合性材料企業(yè)，旭化成提供感光性聚酰亞胺、感光性干膜等關(guān)鍵電子材料。其中，感光性聚酰亞胺可用于芯片保護(hù)層和再布線層（RDL），感光性干膜則應(yīng)用于封裝基板制造。隨著AI芯片向Chiplet、2.5D/3D封裝發(fā)展，對(duì)高性能封裝材料需求持續(xù)提升，旭化成也成為AI產(chǎn)業(yè)鏈背后的重要材料企業(yè)。

最近半年受到行業(yè)關(guān)注的日東紡，則是AI服務(wù)器材料領(lǐng)域的新焦點(diǎn)。該公司成立于1923年，如今已發(fā)展成為全球領(lǐng)先的特種玻璃纖維及復(fù)合材料供應(yīng)商。其中，面向高速服務(wù)器的低熱膨脹系數(shù)玻璃布（T-Glass）成為市場(chǎng)關(guān)注重點(diǎn)。

隨著AI服務(wù)器功耗提升和數(shù)據(jù)傳輸速率提高，傳統(tǒng)PCB材料逐漸難以滿足需求。T-Glass作為高端覆銅板（CCL）的關(guān)鍵增強(qiáng)材料，可以降低熱膨脹、減少信號(hào)損耗，提高服務(wù)器主板可靠性，是AI服務(wù)器、高性能計(jì)算和先進(jìn)封裝的重要基礎(chǔ)材料。由于其制造涉及特殊配方和精密工藝，供應(yīng)高度集中，因此日東紡也被視為AI基礎(chǔ)設(shè)施中的“隱形卡位者”。

此外，住友電氣工業(yè)也是AI時(shí)代的重要受益企業(yè)。作為日本領(lǐng)先的電子材料和通信企業(yè)，住友電氣在光通信、半導(dǎo)體材料領(lǐng)域擁有深厚積累。隨著AI數(shù)據(jù)中心規(guī)模擴(kuò)大，高速光互聯(lián)成為算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而磷化銦（InP）正是其中的重要材料。

InP具備高速、高頻光電轉(zhuǎn)換優(yōu)勢(shì)，是800G、1.6T等高速光模塊中激光器和調(diào)制器的重要材料。面對(duì)AI數(shù)據(jù)中心對(duì)更高速率、更低延遲互聯(lián)的需求，住友電氣依托InP外延片、光器件以及光通信技術(shù)積累，正在擴(kuò)大相關(guān)產(chǎn)能，有望受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)。

總體來(lái)看，日本企業(yè)雖然并非AI芯片的直接制造者，但憑借在材料領(lǐng)域數(shù)十年的技術(shù)積累，正在AI芯片、先進(jìn)封裝、高速互聯(lián)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。

很重要的鎧俠和瑞薩

在日本的AI供應(yīng)鏈版圖中，鎧俠（Kioxia）和瑞薩也是最重要的參與者之一。

作為全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)企業(yè)，鎧俠長(zhǎng)期深耕NAND Flash技術(shù)，是全球3D NAND市場(chǎng)的重要廠商。隨著AI大模型、云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心快速發(fā)展，數(shù)據(jù)規(guī)模呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，存儲(chǔ)正在成為AI基礎(chǔ)設(shè)施中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

尤其是在生成式AI時(shí)代，AI系統(tǒng)不僅需要強(qiáng)大的計(jì)算能力，也需要高性能、大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。從模型訓(xùn)練的數(shù)據(jù)管理，到推理階段產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)處理，都推動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求持續(xù)增長(zhǎng)。同時(shí)，隨著AI服務(wù)器規(guī)模擴(kuò)大，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的容量、帶寬、可靠性以及能效提出了更高要求。憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的技術(shù)積累，鎧俠有望受益于AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)以及高速存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，成為支撐AI基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的重要力量。

除了存儲(chǔ)領(lǐng)域，在日本的AI供應(yīng)鏈版圖中，**瑞薩電子（Renesas Electronics）**也是重要參與者。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，瑞薩長(zhǎng)期布局汽車電子、工業(yè)控制、基礎(chǔ)設(shè)施和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，在MCU、MPU、模擬芯片以及嵌入式處理器領(lǐng)域擁有深厚積累。

AI時(shí)代帶來(lái)的機(jī)會(huì)不僅來(lái)自云端數(shù)據(jù)中心，也來(lái)自AI能力向邊緣和終端設(shè)備遷移。根據(jù)瑞薩官方定位，公司正在圍繞“從云端到邊緣再到端點(diǎn)”的AI應(yīng)用趨勢(shì)布局相關(guān)技術(shù)。在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，隨著AI服務(wù)器規(guī)模增長(zhǎng)，電源管理、接口連接、時(shí)鐘控制等基礎(chǔ)半導(dǎo)體需求持續(xù)提升，而瑞薩憑借模擬、電源和基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)芯片布局，有望受益于AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)。

與此同時(shí)，在汽車、機(jī)器人和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域，AI正在推動(dòng)終端從傳統(tǒng)控制系統(tǒng)向智能計(jì)算平臺(tái)演進(jìn)。這些場(chǎng)景對(duì)于低功耗、實(shí)時(shí)響應(yīng)和高可靠計(jì)算提出更高要求，而瑞薩長(zhǎng)期積累的車規(guī)級(jí)MCU、MPU以及功能安全技術(shù)，使其能夠參與AI邊緣計(jì)算和智能化應(yīng)用的發(fā)展。

如果說(shuō)鎧俠代表的是AI時(shí)代“數(shù)據(jù)增長(zhǎng)帶來(lái)的存儲(chǔ)機(jī)會(huì)”，瑞薩代表的則是AI從云端走向邊緣和物理世界后的計(jì)算與控制機(jī)會(huì)。兩家公司分別從存儲(chǔ)和嵌入式計(jì)算兩個(gè)方向，成為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與AI浪潮的重要力量。

從上面的介紹可以看到，雖然日本目前并沒有在大模型和AI芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域形成像英偉達(dá)、AMD等企業(yè)一樣的全球影響力，也不像韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)那樣憑借HBM、晶圓代工吸引大量關(guān)注，但日本依然是AI芯片供應(yīng)鏈中不可忽視的重要力量。從上游材料、半導(dǎo)體設(shè)備，到先進(jìn)封裝、光通信和關(guān)鍵零部件，日本企業(yè)憑借數(shù)十年積累的技術(shù)壁壘，掌握了大量難以替代的核心環(huán)節(jié)。

這種“低調(diào)的護(hù)城河”，也符合日本半導(dǎo)體企業(yè)長(zhǎng)期以來(lái)的發(fā)展路徑。相比追求終端市場(chǎng)的快速擴(kuò)張，日本企業(yè)更擅長(zhǎng)在產(chǎn)業(yè)鏈中深耕細(xì)分領(lǐng)域，通過(guò)材料、工藝和制造能力建立長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。在AI時(shí)代，競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)不再只是單一芯片性能的競(jìng)爭(zhēng)，而是涵蓋計(jì)算、存儲(chǔ)、封裝、材料、設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的系統(tǒng)級(jí)競(jìng)爭(zhēng)。隨著AI算力需求持續(xù)提升，這些過(guò)去容易被忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)正在重新獲得價(jià)值，而日本企業(yè)的長(zhǎng)期技術(shù)積累，也正在成為AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要支撐。

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