山東
IT之家 8 月 7 日消息，SK 海力士在其 FMS 2026 峰會新聞稿中確認，其繼 321 層 V9 "4D NAND" 后的新一代閃存產(chǎn)品 V10 采用 375 層堆疊設(shè)計。這也是 SK 海力士首款采用晶圓鍵合技術(shù)的 NAND 產(chǎn)品。
SK 海力士宣稱 V10 NAND 實現(xiàn)了上代產(chǎn)品 2.5 倍的每瓦性能，專為需要兼顧能效和性能的 AI 基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)境而優(yōu)化。SK 海力士計劃 2027H1 量產(chǎn)基于 V10 NAND 的企業(yè)級固態(tài)硬盤。
SK 海力士在展示 V10 1Tb TLC 晶圓的同時還展示了兩款成品顆粒：32DP 2CH 型號堆疊了 32 個 NAND Die，是首款類似封裝的 TLC；而 4 通道封裝版本面積僅 13.5mm × 12.5mm，比傳統(tǒng)的 14mm × 18mm 更為小巧。
此外，SK 海力士還展示了基于 V9H 1Tb TLC NAND 的 UFS 5.0 解決方案 UG500：其提供 512GB 和 1TB 兩種容量，能效較 UFS 4.1 改進 19%。同時展出的還有基于 1c nm 16Gb Die 的 LPDDR6 顆粒。
SK 海力士的首款性價比 PCIe Gen5 QLC 固態(tài)硬盤 PQF02 也有展出。其基于 V9 QLC NAND，提供 1TB 和 2TB 版本，采用 4 通道主控，支持從 2230 到 2280 的 M.2 外形規(guī)格。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
