SEMI發(fā)布最新報(bào)告：預(yù)計(jì)今年300毫米存儲(chǔ)設(shè)備投資將突破500億美元

2026年6月29日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布2026年第二季度版《12英寸晶圓廠展望報(bào)告》。

報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2026年全球存儲(chǔ)領(lǐng)域12英寸晶圓廠設(shè)備投資規(guī)模將迎來(lái)里程碑式突破，首次沖破500億美元關(guān)口，同比增長(zhǎng)29%，總規(guī)模達(dá)到520億美元；2027年行業(yè)投資勢(shì)頭將延續(xù)穩(wěn)步上行態(tài)勢(shì)，同比再增11%，投資規(guī)模攀升至570億美元。

從中長(zhǎng)期發(fā)展維度來(lái)看，2024至2029年，全球存儲(chǔ)板塊12英寸晶圓廠設(shè)備支出將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，復(fù)合年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)19%。與投資增速匹配，全球12英寸存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)能也進(jìn)入持續(xù)擴(kuò)張周期，2026年行業(yè)月產(chǎn)能有望達(dá)到410萬(wàn)片，2027年月產(chǎn)能將進(jìn)一步提升至420萬(wàn)片，持續(xù)夯實(shí)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)供給基礎(chǔ)。

相較于往期版本，本次2026年二季度報(bào)告大幅上調(diào)了存儲(chǔ)領(lǐng)域12英寸晶圓設(shè)備的整體投資預(yù)期。預(yù)期上調(diào)的核心原因，一方面是全球頭部云服務(wù)商持續(xù)加碼資本開(kāi)支，擴(kuò)大算力及存儲(chǔ)相關(guān)布局；另一方面是全球人工智能產(chǎn)業(yè)化落地提速，AI加速器市場(chǎng)需求長(zhǎng)期維持高位景氣度，帶動(dòng)上下游存儲(chǔ)設(shè)備需求持續(xù)釋放。

從細(xì)分賽道來(lái)看，不同存儲(chǔ)品類均實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。在圖形處理器、各類AI加速器的強(qiáng)勁拉動(dòng)下，高帶寬內(nèi)存、DDR5新一代內(nèi)存需求持續(xù)爆發(fā)，帶動(dòng)2026年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）設(shè)備投資同比增長(zhǎng)29%，整體規(guī)模增至370億美元。同時(shí)，人工智能規(guī)模化部署推動(dòng)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)攀升，利好閃存賽道發(fā)展，2026年三維閃存（3D NAND）設(shè)備投資預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)28%，規(guī)模達(dá)到140億美元。

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體廠商正持續(xù)深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域，集中布局先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)品與高堆疊層數(shù)3D NAND產(chǎn)品，技術(shù)迭代與產(chǎn)能布局雙輪驅(qū)動(dòng)，推動(dòng)行業(yè)存儲(chǔ)產(chǎn)能預(yù)期持續(xù)上調(diào)，這也是本次二季度報(bào)告上調(diào)相關(guān)產(chǎn)能預(yù)測(cè)的重要依據(jù)。

與此同時(shí)，行業(yè)技術(shù)升級(jí)也帶來(lái)了新的發(fā)展特征，先進(jìn)制程DRAM、高帶寬內(nèi)存、多層堆疊閃存等核心產(chǎn)品的技術(shù)迭代持續(xù)加快，芯片制造工藝復(fù)雜度大幅提升，受研發(fā)難度加大、生產(chǎn)工藝優(yōu)化周期拉長(zhǎng)等因素影響，行業(yè)實(shí)際有效產(chǎn)能的落地增速有所放緩，呈現(xiàn)出“投資高增、產(chǎn)能緩擴(kuò)”的發(fā)展格局。

整體而言，人工智能產(chǎn)業(yè)已成為全球存儲(chǔ)晶圓市場(chǎng)增長(zhǎng)的核心引擎，持續(xù)帶動(dòng)上游設(shè)備投資、產(chǎn)能建設(shè)高速擴(kuò)容，推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入新一輪上行周期。盡管高端存儲(chǔ)技術(shù)迭代抬高了產(chǎn)能落地門檻，放緩了有效產(chǎn)能釋放節(jié)奏，但行業(yè)長(zhǎng)期增長(zhǎng)邏輯并未改變。

未來(lái)隨著AI技術(shù)持續(xù)落地、算力基礎(chǔ)設(shè)施不斷完善，高端DRAM、高堆疊3D NAND等核心存儲(chǔ)產(chǎn)品的市場(chǎng)需求將持續(xù)擴(kuò)容，倒逼產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新、優(yōu)化產(chǎn)能布局，推動(dòng)全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)向高端化、高精密、高性能方向持續(xù)升級(jí)。

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