湖北
近日，據業內可靠消息來源披露，三星已正式重啟其 1.4 納米（SF1.4）代工工藝的商業化進程。該公司將該工藝的量產時間節點調整至2029年，并已全面展開與全球頂尖半導體設備合作伙伴的深度協同研發。
此前，三星電子曾計劃在更早節點推進 1.4 納米工藝落地。然而，為集中資源保障 2 納米（SF2）及 2 納米衍生工藝（SF2P）的核心市場競爭力，公司主動調整了技術路線圖，優先聚焦現有尖端工藝的良率穩定與性能優化。
事實證明，這一 “以質取勝” 的策略已取得階段性顯著成效，核心成果集中在兩大維度。首先是良率突破，2 納米工藝良率已實現穩定達標；其次是客戶拓展取得實質性進展，憑借優異的工藝綜合表現，三星已成功斬獲特斯拉（Tesla）下一代 AI 芯片的代工訂單。
在2納米節點取得里程碑式突破后，三星電子正將目光投向更長遠的技術迭代，正式開啟下一代 1.4 納米工藝的研發攻堅。據行業內部消息，三星電子已于近期向應用材料、泛林集團等核心設備合作伙伴同步了詳盡的 1.4 納米工藝技術規劃，并提出了下一代先進設備的定向定制開發需求。
所有協同開發的新型工藝設備將優先交付給三星電子旗下最先進的半導體研發中心 ——NRD-K。該研發中心目前已完成ASML 下一代高 NA 極紫外（High-NA EUV）光刻設備的部署進場。高 NA EUV 技術預計將從 1.4 納米工藝節點起，正式應用于芯片部分核心層的制造。
隨著半導體工藝復雜度呈指數級上升，三星電子此次提前向全球供應鏈釋放明確的設備規格需求，旨在為合作伙伴留出充足的研發與驗證周期，確保設備參數與工藝要求高度適配。
隨著1.4納米研發重回快車道，全球晶圓代工三巨頭的尖端技術競賽正進入全新白熱化階段。目前，臺積電計劃于2028年前后實現1.4 納米商業化量產，英特爾也在全力推進同代際工藝節點的研發落地。三星電子憑借逐步企穩的良率表現和高 NA EUV 的前置協同研發，正加速縮小與頭部競爭對手的技術差距。
此外，三星電子的技術戰略藍圖已同步延伸至存儲領域。據透露，三星已向設備廠商下達了下一代 V12 NAND 閃存的設備采購需求。V12 NAND 預計將于 2030 年左右進入大規模量產，該產品將通過全新的多晶圓堆疊結構，實現相較于傳統 NAND 閃存跨越式的容量躍升與性能提升。
從整體戰略維度看，三星此番在先進制程上的節奏調整與前瞻布局，清晰展現出其“筑牢當下、卡位未來”的產業思路。一方面以成熟穩定的2納米工藝搶占當下高端代工市場份額，另一方面提前聯動供應鏈啟動1.4納米技術攻關，同步在存儲賽道完成下一代NAND的技術鋪墊。
這種雙線并進、長短結合的技術路線，既是頭部半導體企業應對制程極限挑戰的必然選擇，也將進一步推高全球先進制程的競爭門檻。隨著三巨頭在1.4納米節點的角逐逐步進入實質階段，全球高端芯片制造的產業格局，也將伴隨技術迭代的加速迎來新的變量。
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