上海
據美國銀行最新分析報告，韓國總統李在明高調宣布的“2030年產能翻倍”目標面臨著嚴峻的現實考驗。
6月底，李在明宣布了一項規模高達800兆韓元的大型投資計劃，要在韓國西南沿海的光州、全羅地帶打造“存儲新聚落”，目標是在2030年讓三星與SK海力士的DRAM晶圓產能翻倍。
三星與SK海力士合計掌握全球過半DRAM市占率，在HBM領域更超過八成，美光7月初也宣布斥資93億美元在日本擴產HBM，預計兩年后出貨。
消息一出，市場擔憂供過于求導致價格崩跌，全球存儲類股應聲暴跌，美光單周下跌15%，鎧俠跌去一成，閃迪市值蒸發近兩成。
然而美國銀行在最新報告中指出，要評估韓國存儲芯片供給能否實質增加仍為時過早，2030年產能翻倍聽起來驚人，但拉長時間軸來看僅代表每年約15%的年復合增長率。
扣除舊廠因技術升級關閉以及制程微縮導致的產能減損后，實際運轉的晶圓產能擴張率每年將低于10%，到2030年的增長遠不及翻倍水平。
供應鏈更傳出，SK海力士2028年實際新增的產能可能只有最初規劃的六分之一。
另一方面還有物理限制，一位中國臺灣存儲芯片業者指出，光州和全羅目前的產業結構是石化與鋼鐵園區，基礎設施從零開始布建，光打底就要五年左右，后續潔凈室和機臺安裝還需三到四年，整個制造生態鏈建起來恐怕超過十年。
有資深產業分析師直言，該計劃在李在明任期屆滿前難以完成，目前宣示意義大于實質。
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