DRAM，正在被顛覆

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那些涌入 SK 海力士公司在納斯達克上市，融資 280 億美元的投資者應該意識到：這家全球領先的存儲芯片制造商賴以生存的商業模式即將轉變為需要更多戰略和財務冒險的模式。

到目前為止，SK海力士公司采取的措施都是正確的，但目前還不清楚該領域的領先企業將如何應對這種變化。當然，這一切的導火索是人工智能（AI）的蓬勃發展。更強大的AI系統在與處理器（計算機或服務器的大腦）之間傳輸數據時，已經將內存芯片的性能推向了極限。

在計算機發展史的大部分時間里，處理器芯片上的計算都是速度最慢的部分。

現在情況發生了逆轉，因為英偉達公司生產的現代圖形處理單元的運算速度要快得多，而從內存芯片來回傳輸的數據速度相比之下仍然很慢。想象一下，一位天才學者，他記事的速度根本跟不上，而他的筆記本就是他的記憶芯片。

內存嚴重不足

“人工智能機器由于模型規模龐大，內存帶寬嚴重不足，”英特爾公司前首席執行官Pat Gelsinger表示。這意味著人工智能芯片沒有發揮其全部潛力，也限制了即使是最先進的聊天機器人能夠記住的信息量。

例如，Anthropic 的 Fable 5 的工作內存只能容納大約七部小說的文本量。要求它考慮得更多，它就必須開始放棄之前的想法。

多年來，人工智能開發者一直試圖讓他們的模型記住更多的信息，因為這樣它們就可以在金融或后臺企業工作等領域執行更復雜、更連續的任務。但它們也受到物理定律的限制。服務器，也就是數據中心里運行人工智能系統的計算機，使用了一種叫做高帶寬內存（HBM）的技術。

其理念是將存儲芯片的基本組件堆疊起來，從而縮短數據往返處理器（GPU）的傳輸距離。然而，這項技術存在缺陷。

他說：“我們今天所熟知和喜愛的HBM內存其實很糟糕。熱量會被困在內存芯片的底層，溫度升高會迫使GPU降低運行速度。”

一種解決方案是讓世界三大內存芯片生產商 SK 海力士、三星電子和美光科技直接將內存集成到處理器本身。

這位天才學者無需寫下任何東西，因為她的腦海中就相當于有一個記事本。

這將使人工智能模型的功能增強許多倍，但也意味著三大內存芯片制造商（由于需求旺盛，其總市值在過去一年中增加了 3 萬億美元）必須改變其經營方式。

進入定制時代

過去一直生產標準化芯片并像商品一樣出售的行業，現在必須生產定制產品。

“這對他們來說是一種全新的商業模式，”Gelsinger說道。作為風險投資公司Playground Global的普通合伙人，他投資于專注于將內存和計算能力融合到同一塊硅片上的初創公司。

他預計三大巨頭至少還能再享受兩到三年的好時光，之后才會開始受到沖擊，因為設計和大規模生產新的定制芯片需要數年時間。

英偉達已通過與總部位于加利福尼亞州的 Groq 公司達成一項價值 200 億美元的授權協議來應對即將到來的變化，Groq 公司致力于在處理器上構建快速內存。

這對 SK 海力士及其同行構成了一定的威脅，與此同時，它們將不得不開始預測英偉達、英特爾、Alphabet Inc. 旗下的谷歌以及其他先進處理器制造商的未來銷售額，并在研發和芯片制造方面投入適量的資金來滿足這些公司的需求。

換句話說，現在的問題不再是盡可能多地制造相同的內存芯片，而是在計算機大腦的銷售市場中，對誰會贏誰會輸做出正確的判斷。

選擇正確，你將獲得一位可以長期合作的客戶；選擇錯誤，你將面臨堆積如山的昂貴籌碼。

SK 海力士選擇在 2024 年通過與臺積電合作來分散風險，臺積電為幾乎所有主要的科技公司生產芯片。

這將使這家韓國存儲器公司能夠向多家相互競爭的科技巨頭出售產品，而不是只押注于一家。

目前，它正受益于市場的熱情高漲。

內存市場的繁榮如此強勁，以至于投資者紛紛拋售英偉達的股票，轉而買入SK海力士及其同行的股票，因為人工智能領域的投資重心正在轉移到基礎設施建設的其他領域。（SK海力士的股價在過去12個月里上漲了600%。）

對于過去五十年略顯沉悶的商品化市場而言，這是一個驚人的轉變。“記憶在歷史上從未如此令人興奮過，”Gelsinger激動地說。

對于那些蜂擁而至的公司和投資者而言，“激動人心”或許只是“風險”的另一種說法。

這種情況能持續多久？

這究竟是內存超級周期的開端，還是曇花一現？看漲者認為，人工智能的長期需求以及產能投資的結構性滯后，可能會使內存供應緊張的局面持續到2026年。事實上，供應商自身也表現出異常樂觀的態度：例如，SK海力士指出DRAM供應存在“結構性制約”（因為生產正在轉向HBM），并預計市場將持續上漲，其2026年的產量已全部預售完畢（公司2025年業績指引）。

隨著超大規模數據中心運營商簽署多年供應協議，以及每臺AI服務器的內存容量持續增長，我們可以預見，內存供應周期可能會比以往更長，而地緣政治的不確定性（出口管制、中國推進自給自足等）或許會加劇這一趨勢。

此外，一些外部因素——例如生產中心發生大地震或停電（這些事件此前都曾沖擊過內存市場）——可能會因產能突然中斷而延長供應短缺的局面。一些業內人士也指出，政府的出口限制（例如限制向某些國家銷售先進芯片）可能會無意中導致允許出口的市場供應緊張，因為制造商會謹慎分配庫存。如果供應或需求方面出現多種不利因素，這些因素構成了一種結構性背景，可能會支撐價格長期維持在高位。

然而，歷史經驗告誡我們保持謹慎：內存短缺往往來勢洶洶、迅速蔓延。“超級周期”一詞雖被頻繁提及，但像資深分析師吉姆·漢迪這樣的懷疑論者卻諷刺地指出，這個詞已被濫用——這看起來更像是一場典型的短缺，通常會持續一到兩年（TechInsights，2025）。我們已經看到了一些標志性跡象：重復下單、積壓訂單激增以及價格呈拋物線式上漲——這些動態往往預示著一旦客戶停止訂購或新晶圓廠開始投產，市場就會出現逆轉。從歷史上看，DRAM市場從低谷到高峰再到均值回歸的典型周期約為2-3年。

就目前而言，低谷出現在2022年末/2023年初（當時庫存積壓嚴重，價格暴跌）。而現在，我們已經進入了上升期一年多的時間。供應方面的應對措施正在醞釀之中：存儲器廠商預計2024-2025年的資本支出將會增加，新的生產線（以及1β、1γ等制程節點）將提高產量，而至關重要的是，HBM4預計將在2025-2026年問世。下一代HBM可以通過提高每堆疊的GB數（從而提高每片晶圓的比特數）來緩解部分供應壓力。

此外，當前的需求驅動因素可能會降溫：如果人工智能工作負載未能迅速實現盈利，超大規模數據中心可能會減少支出；而恐慌性搶購的設備制造商可能會突然發現自己庫存過剩（臭名昭著的“雙倍訂單后遺癥”）。此外，還存在政策干預的風險——例如，政府可能會釋放戰略儲備或與行業達成協議以穩定價格（這在存儲器發展史上并非罕見）。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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