上海
預測顯示，三星電子有望在明年超越SK海力士，成為全球HBM市場份額最高的廠商。這意味著三星將在傳統DRAM和NAND閃存優勢基礎上，進一步補齊HBM短板，從而鞏固其在全球存儲半導體領域的主導地位。
全球投資銀行UBS近日發布報告稱，三星電子預計將在明年占據全球HBM市場41%的份額，超過SK海力士的39%，成為市場第一。該機構認為，隨著HBM4進入規?；瘧秒A段，HBM市場格局或將迎來變化。與此同時，SK海力士的市場份額預計將從今年的48%下降至明年的39%。另一家投資機構伯恩斯坦也給出了類似判斷，預計三星明年HBM份額將提升至46%，而SK海力士將降至37%。
三星HBM份額提升的重要推動力，在于HBM4需求來源正在擴大。過去幾年，英偉達一直是HBM最大的需求方，但隨著谷歌、AMD、AWS等企業加速開發AI芯片，HBM供應格局正在更加多元化。據UBS預測，谷歌在HBM市場的占比預計將從今年的18%提升至30%，AMD占比將從7%升至13%，而英偉達占比則可能從60%下降至41%。業內普遍認為，三星電子有望成為谷歌和AMD的重要HBM供應商。
事實上，三星此前在HBM3E競爭中一度落后于SK海力士，但其在HBM4上的提前布局正在幫助其實現反擊。三星HBM4采用1c DRAM工藝，并結合4nm晶圓代工技術，實現最高3.3TB/s的內存帶寬，超過客戶提出的3.0TB/s需求指標，展現出較強的技術實力。三星DS事業部負責人全英鉉此前也表示，客戶已經看到三星在HBM領域的回歸。
市場表現也印證了HBM業務的重要性。據報道，三星在HBM4量產后僅四個月便實現10億美元營收，業內預計其HBM4年營收規模未來有望超過100億美元。同時，隨著AI服務器需求持續增長，HBM價格仍處于上漲趨勢。UBS預計，HBM平均售價將從今年約每GB 3美元上漲至明年的3.3至3.5美元。
如果三星成功奪回HBM市場領先地位，其意義將不僅局限于單一產品線。當前，三星在DRAM和NAND市場均保持全球第一，而隨著HBM在存儲市場中的占比持續提升，HBM競爭結果將直接影響未來存儲產業格局。
對于三星而言，HBM的勝負不僅是一項業務增長機會，更是其在人工智能時代技術實力和供應鏈競爭力的重要證明。如果能夠在HBM領域重新建立優勢，三星將在AI存儲基礎設施競爭中占據更加主動的位置。
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