從年虧百億到單季暴賺248億，長鑫科技的狂飆與隱憂

作者丨青風

編輯丨六子

中國半導體市場迎來歷史性時刻，國產存儲“雙雄”同步沖刺A股。

5月17日，長鑫科技更新科創板招股說明書，披露了一組堪稱“炸裂”的財務數據。僅僅兩天后，5月19日，長江存儲發布首次公開發行股票并上市輔導備案報告。

兩家企業，一個主攻DRAM內存，一個深耕NAND閃存，共同構成了中國存儲芯片的兩大戰略支柱。而長鑫科技招股書所披露的業績，更足以讓整個半導體賽道為之震動。

2026年一季度，長鑫科技實現營收508億元，同比暴增719%；歸母凈利潤247.62億元，同比飆升1688%。公司預計，上半年歸母凈利潤將達到500億至570億元。

*圖源長鑫科技招股書

這是什么概念？以單季度歸母凈利潤論，長鑫科技在A股已上市的5000余家公司中可排第13位，高于中國人壽和中國石化，甚至將寧德時代同期207.4億元的凈利潤甩在身后。半年預計賺出500多億，不僅一把填平了過去累計超過300億元的虧損窟窿，還富余出巨大空間。

*圖源東方財富Choice數據

業績炸裂、IPO重啟、萬億市值預期——資本市場迅速進入狂歡模式。有機構人士按照2026年全年歸母凈利潤1500億至2000億元、20倍市盈率測算，長鑫科技上市后市值至少在3萬億元以上，甚至有人喊出4萬億元。

但狂歡之下，有一個問題鮮有人追問：長鑫科技吃到的，是存儲周期超級風口的紅利，還是已牢牢握在手中的技術制高點？

01「從虧損深淵，到印鈔機器」

長鑫科技的業績曲線之陡峭，在整個科技行業都屬罕見。

2025年12月，長鑫科技首次提交科創板IPO申請。彼時的申報稿，對公司2026年全年業績的預判極為保守：全年營收550億至580億元，歸母凈利潤20億至35億元。

僅僅五個月后，2026年一季度的實際數據就將這份預測碾得粉碎。508億元的單季營收，幾乎觸及彼時全年預測的下限；247.62億元的歸母凈利潤，是彼時全年預測上限的7倍有余。

兩版招股書，畫出了兩個截然不同的天地。

回看過去三年，這是一家被虧損長期壓制的企業。招股書數據顯示，2022年至2024年，長鑫科技歸母凈利潤分別虧損83.28億元、163.4億元和71.45億元，三年累計凈虧損超過300億元。截至2025年底，公司累計虧損高達366.5億元。2025年上半年，公司仍在虧損40.8億元，是不折不扣的“燒錢大戶”。

轉折點出現在2025年下半年。隨著DRAM價格自2025年第三季度起持續快速上行，長鑫科技終結多年虧損，全年扭虧為盈，歸母凈利潤轉為18.75億元。進入2026年，行業景氣度的加速兌現讓這家公司的盈利能力如火箭般躥升。

不容否認的是，長鑫科技業績拐點的到來，很大程度上得益于新一輪存儲芯片超級周期。這場周期的強度，創下了過去15年來的歷史峰值。

統計數據顯示，全球DRAM內存自去年夏天起持續瘋漲，DDR5價格累計漲幅高達414%。Counterpoint Research數據則顯示，2025年一季度至2026年一季度，1GB消費級DDR4平均合約價從1.8美元飆升至11.4美元，一年漲幅超6倍。

*圖源DDR5價格曲線

本輪超級周期的特殊之處在于，供給端的收縮并非被動短缺，而是頭部廠商的主動戰略傾斜。隨著AI算力爆發，三星、SK海力士、美光三大巨頭紛紛將先進產能轉向利潤更高的HBM（高帶寬內存）賽道，大幅壓縮了常規DRAM產能，這就為長鑫科技騰出了巨大的市場空間。

然而，如果僅將長鑫科技的爆發歸結為“運氣好”，那就低估了這家公司的戰略定力。

在行業最寒冷的2023至2025年間，長鑫科技并未縮減研發投入，反而持續加碼技術攻關：累計研發投入超過188億元。在技術路線上，長鑫科技采取“跳代研發”策略，已完成從第一代到第四代工藝平臺的量產迭代。其最新的DDR5產品速率達到8000Mbps，單顆最大容量24Gb，LPDDR5X最高速率10667Mbps，較上一代提升66%，產品性能已逼近國際先進水平。

還有一個常被忽視的關鍵決策——在美國升級半導體出口管制之前，長鑫科技已前瞻性地完成一輪核心裝備集中采購。當超級周期驟然降臨、其他晶圓廠因設備受限而擴產受阻時，長鑫科技在北京、合肥的三座12英寸晶圓廠仍在穩步爬坡，產能利用率從2024年的約85%升至2026年一季度接近95%的高位。

從上可以看出，長鑫科技業績的爆發式增長，是多重利好因素共振的結果——AI算力需求引發的結構性供需失衡是外部風口，高強度研發投入積累的技術底蘊是內在引擎，而前瞻性的產能布局則確保了公司有能力承接這場“及時雨”。

這不是躺贏，而是一場蓄謀已久的爆發遇上了恰到好處的東風。

02「從三巨頭身上撕開一道口子」

Omdia的數據描摹了一條令業界矚目的份額增長曲線：2025年二季度，長鑫科技的全球DRAM市場份額還是3.97%；到四季度，已經升至7.67%。半年時間，翻了近一倍。

目前，長鑫科技已位居全球第四大DRAM廠商，在中國市場排名第一。三星電子、SK海力士和美光科技三大巨頭，仍占據全球市場超過90%的份額。長鑫科技，正是從這堵看似牢不可破的“鐵幕”上撕開了一道口子。

*圖源Omdia

終端客戶陣容也堪稱豪華：阿里云、字節跳動、騰訊、聯想、小米、OPPO、vivo。長鑫科技的DRAM芯片已經進入了中國最主流的云計算和消費電子廠商的供應鏈。從收入結構看，2025年以手機、平板等為主的LPDDR系列收入達407.04億元，占總營收的66.43%；以電腦、服務器等為主的DDR系列收入為195.31億元，占比31.87%。

產能端，TrendForce數據顯示，長鑫科技2025年底月產能已接近30萬片，同比增長近50%。此次IPO擬募集資金295億元，位列科創板歷史第二大募資項目（僅次于中芯國際），將分別投向存儲器晶圓制造產線升級、DRAM技術升級以及前瞻技術研發。

從行業趨勢來看，長鑫科技的份額增長仍有較大空間。Omdia預測，全球DRAM市場規模將從2025年的1505億美元增長到2030年的5710億美元，年均復合增長率超過30%；隨著公司產能的持續擴張與技術的不斷升級，其全球市占率有望進一步提升。

長鑫科技的份額突圍，不是簡單的國產替代，而是中國存儲芯片從無到有、從弱到強的標志性突破，它打破的不僅是海外巨頭的壟斷，更是中國半導體產業的“卡脖子”困局。

資本市場對長鑫科技的未來充滿期待。目前，已有機構給出樂觀估值：按照2026年歸母凈利潤1500-2000億元、20倍市盈率測算，長鑫科技市值至少在3萬億元以上，部分機構甚至給出4萬億元以上的估值。

作為合肥集成電路“鏈主”企業，長鑫科技的崛起，離不開合肥國資與國家大基金的鼎力支持。據天眼查，合肥清輝集電、合肥長鑫集成、國家大基金二期、合肥集鑫、安徽省投資集團為公司前五大股東，其中合肥國資系合計持股超33%，是公司的核心股東。

合肥國資以“耐心資本”姿態，陪伴長鑫科技穿越十年周期，累計投入超百億元，幫助企業度過長期虧損的“燒錢期”。據業內人士測算，若長鑫科技IPO后市值達到3萬億元以上，合肥國資系的投資收益將突破1萬億元，接近合肥2025年全年GDP，成為國資投資半導體產業的典范。

03AI時代的“關鍵缺位”

然而，當長鑫科技在常規DRAM市場狂飆突進時，一個不容回避的事實擺在面前：長鑫科技吃到的，是別人主動讓出的蛋糕，而不是從別人嘴里搶下的肉。

三大巨頭之所以愿意“讓出”部分通用DRAM市場，并非競爭失利，而是主動的戰略選擇——它們把最先進的產能集中投向了利潤更豐厚的HBM——一種專為AI服務器GPU設計的堆疊式內存，直接貼在GPU芯片旁邊，負責高速傳輸海量數據，堪稱AI時代“皇冠上的明珠”。

與常規DRAM相比，HBM的技術壁壘與利潤空間不可同日而語：其制造工藝需要3D堆疊、TSV硅通孔等核心技術，良率要求超過99%，工藝難度是普通DRAM的3倍；單價是普通DRAM的7倍以上，毛利率超過70%，是當前存儲行業最賺錢的業務板塊。

SK海力士HBM業務利潤率高達72%，甚至超過英偉達、AMD等AI芯片巨頭。

隨著AI算力需求的爆發式增長，HBM市場規模呈指數級擴張。數據顯示，2025年HBM市場規模約150億美元，預計2030年將達到1000億美元，年復合增長率超40%，是存儲行業增長最快的細分賽道。

而這一賽道，目前已被三星、SK海力士、美光三大巨頭牢牢壟斷，形成了“三分天下”的格局，其中SK海力士是絕對龍頭，獨家供應英偉達HBM3E，壟斷高端AI服務器市場；三星量產HBM4，鎖定AMD訂單。

*圖源瑞銀

與通用DRAM市場的風光無限形成鮮明對比，長鑫科技在HBM賽道完全缺位。

其招股書顯示，公司核心產品仍集中在DDR5、LPDDR5/5X等常規DRAM領域，尚未將HBM納入核心研發與量產計劃，更談不上市場份額。

盡管公司在招股書中提及“將逐步布局HBM等高端存儲產品”，但從技術進展來看，長鑫科技目前仍處于HBM2的研發階段，而海外巨頭已量產HBM3E、HBM4，技術代差至少在2-3代。

盡管公司宣稱已啟動12層堆疊HBM研發，但業內消息顯示，其HBM3解決方案研發進度不及預期，尚未接到任何量產訂單，生產良率低于韓國競爭對手，關鍵原料儲備不足，不具備大規模量產條件。

從行業競爭來看，三大巨頭在HBM賽道的投入持續加碼：SK海力士龍仁新廠2027年完工，三星平澤第五廠2028年投產，美光新加坡產線同步擴產，技術壁壘與產能壁壘持續抬升，長鑫科技的追趕難度將持續加大。

04「寫在最后」

長鑫科技的狂飆，是中國半導體產業在特定周期下的階段性勝利。從虧損百億到單季暴賺248億，從全球邊緣玩家到第四大DRAM廠商，長鑫科技用十年時間打破韓美壟斷，實現國產DRAM從0到1的突破，其技術沉淀、產能布局、國資支持模式，為中國半導體產業提供了寶貴經驗。

但周期紅利終有盡頭，技術壁壘才是長期護城河。當前存儲超級周期已進入中后期，通用DRAM價格高位震蕩，回調風險加劇；而HBM作為AI時代的核心賽道，技術壁壘與市場份額已被三大巨頭牢牢掌控，長鑫科技面臨“周期紅利見頂、高端賽道缺位”的雙重隱憂。

牌局才剛剛開始，真正的硬仗還在后面。