北京
近日，華為在巴黎ID Forum 2026活動上展示了自研Die-on-Board（板上裸片封裝，DoB）技術，通過封裝創新繞開了傳統NAND閃存供應限制。基于該技術，61.44TB和122.88TB企業級SSD已實現量產，245TB版本也已納入規劃。
傳統TSOP或BGA封裝最多支持16層裸片堆疊，NAND容量密度因此受限。華為DoB技術將更多NAND Die直接封裝在PCB電路板上，最高實現36層堆疊，大幅提升了單盤容量。由于三星等原廠已推出400層以上3D NAND但受限于美國技術管制無法供應華為，DoB技術成為華為在存儲領域"彎道超車"的關鍵路徑。
在系統層面，華為基于122.88TB SSD構建了多個重磅存儲方案：OceanDisk1800在2U機箱內實現1.47PB容量，OceanDisk1610在2U內裝進36塊61.44TB SSD、總容量達2.2PB。OceanStor Pacific9926全閃分布式存儲則搭載PCIe Gen5 NVMe SSD，2U機箱原生容量4.42PB，2.5:1壓縮后有效容量達11PB。
數據能效方面，AI SSD主控集成AI加速單元，數據傳輸能耗降低80%。同時DoB技術省去了若干昂貴的封裝步驟，在成本端也更具競爭力。對比戴爾基于鎧俠245.88TB QLC NVMe SSD的方案（2RU約9.8PB），華為DoB方案正在縮小與行業頭部存儲方案的差距。
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