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【CNMO科技消息】7月14日，市場研究機構Omdia發布的數據顯示，2026年全球高帶寬存儲器（HBM）的產量預計將同比增長103%，實現翻倍以上的增長。三星電子、SK海力士與美光三大內存巨頭正在主導這一輪產能擴張，但即便如此，HBM供不應求的局面仍將持續。
三星與海力士
半導體行業通常以存儲容量的最小單位“比特”（bit）作為產量計算標準。按此口徑，全球HBM產量在一年內增長超過一倍。HBM在DRAM總產量中的比特占比預計將從2025年的12%上升至2026年的15%，提升3個百分點。另有預測顯示，到2027年這一比例有望進一步擴大至30%。
三大內存廠商均已啟動大規模HBM產能投資與擴建。三星電子計劃2026年在設備投資與研發上投入超過110萬億韓元，較上年增長約22%。SK海力士的設備投資也將實現兩位數增長。美光雖在三大廠商中HBM產能最小，但其設備投資計劃較上年大幅增長超過90%。業界預測，2026年內存企業在設備投資上的總規模將達到647億美元（約97萬億韓元）。
然而，即便產能快速擴張，DRAM的需求滿足率預計今年仍將維持在1.0倍以下，供應短缺狀態難以根本緩解。
HBM供應持續緊張的根本原因在于其生產工藝的特殊性。HBM由多個DRAM芯片垂直堆疊而成，屬于高附加值存儲器產品。單顆HBM芯片的尺寸比普通DRAM芯片大兩倍以上，在相同存儲容量下，HBM消耗的晶圓面積和潔凈室空間至少是普通DRAM的三倍。
與此同時，AI推理負載的持續增長正在推高服務器對HBM的需求。據行業數據，單臺服務器的平均DRAM搭載量預計將從2025年的1032GB增至2026年的1432GB，增幅約39%。
在價格端，內存三巨頭目前正以長期供應協議（LTA）方式向英偉達等主要客戶供應HBM，提前鎖定未來1至2年的供貨量與價格。這種定價機制導致近期通用DRAM價格因市場供需緊張而快速攀升，一度出現通用DRAM價格反超HBM的“價格倒掛”現象。
進入2026年下半年，通用DRAM價格的上漲勢頭已有所放緩。據DRAMeXchange數據，5月PC用通用DRAM（DDR4 8Gb 1G×8）平均固定交易價格為21美元，環比僅上漲5%，漲幅較上月的10%收窄了一半。
有證券研究員分析指出：“通用DRAM和NAND的價格漲幅正在逐步放緩，預計明年將回落至個位數水平”，“供應短缺本身將持續到明年，但通用DRAM的利潤率已接近90%，內存廠商的重心正從單純提價轉向擴大與客戶的長期供應合作”。對于HBM，該研究員表示：“由于去年年度供應合同中價格已被鎖定，目前HBM處于相對較低的價格區間。預計明年初將迎來一輪價格上漲，此后將保持平穩走勢”。
三星工廠與海力士工廠
在三大廠商中，三星電子尤為值得關注。作為去年HBM市場的后來者，三星預計今年HBM銷售額將較上年增長三倍以上。三星已在第六代HBM4產品上率先向主要客戶實現出貨，市場份額正在迅速擴大。
三星電子存儲器戰略營銷室副社長金在俊在上一季度業績電話會議上表示：“HBM4自今年2月全球首次量產出貨以來，正按計劃穩步爬坡，下半年供應量將大幅擴大”，“預計從今年第三季度起，HBM4將占三星HBM總銷售額的一半以上，全年HBM銷售額中HBM4的占比也將過半”。
受HBM市場高增長預期的推動，多家機構已上調2026年內存行業整體營收預測。市場研究機構TechInsights預計，2026年全球內存銷售額將較上年實現顯著增長。
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