河南
快科技7月14日消息，在3nm制程尚未全面普及之際，臺(tái)積電1.4nm工藝A14已蓄勢(shì)待發(fā)。據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電1.4nm工廠建設(shè)進(jìn)展順利，第一座廠房有望在明年4月前完工。
根據(jù)供應(yīng)鏈評(píng)估，臺(tái)積電最快明年第三季度即可啟動(dòng)1.4nm試產(chǎn)作業(yè)，趕在2028年中實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。據(jù)悉，新建的晶圓工廠位于中國(guó)臺(tái)灣中部的科學(xué)園區(qū)。
為保障1.4nm工藝順利量產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè)四座工廠。據(jù)估計(jì)，臺(tái)積電已投入高達(dá)490億美元的巨額初始投資，而每座晶圓廠未來(lái)都有可能創(chuàng)造160億美元的年?duì)I收，投資回報(bào)預(yù)期相當(dāng)可觀。
臺(tái)積電1.4nm工藝采用第二代GAAFET（全環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，并引入NanoFlex Pro標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)。該架構(gòu)允許設(shè)計(jì)人員在芯片設(shè)計(jì)階段針對(duì)特定應(yīng)用靈活調(diào)整晶體管配置，從而優(yōu)化性能、功耗與面積。
在性能表現(xiàn)方面，相比N2工藝，1.4nm在相同功耗下性能可提升10%至15%，在相同性能下功耗可降低25%至30%。邏輯晶體管密度提升約23%，芯片密度提升約20%。
不出意外，蘋(píng)果將是率先采用臺(tái)積電1.4nm工藝的客戶。報(bào)道指出，蘋(píng)果M8芯片和A22 Pro芯片將首發(fā)采用1.4nm工藝，延續(xù)蘋(píng)果在先進(jìn)制程上的先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
目前來(lái)看，在先進(jìn)工藝制程的競(jìng)賽中，臺(tái)積電正以全方位優(yōu)勢(shì)持續(xù)領(lǐng)先三星與英特爾。相比之下，三星的SF1.4已推遲至2029年量產(chǎn)，英特爾14A也計(jì)劃于2029年量產(chǎn)，臺(tái)積電在時(shí)間節(jié)點(diǎn)和技術(shù)成熟度上均保持明顯領(lǐng)先。
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