浙江
隨著歐洲持續推進半導體制造的自主化進程，繼歐盟委員會通過《芯片法案2.0》（Chips Act 2.0）僅一周后，半導體領域便傳出重磅消息：總部位于德國柏林的初創公司NexiGO成功完成了200萬歐元的種子輪融資。此次融資旨在通過研發氧化鎵（Ga?O?）功率半導體，為新一代電動汽車提供核心技術支持，加速歐洲能源電子產業的轉型。
在當前能源轉型背景下，充電效率已成為制約電動汽車發展的瓶頸。NexiGO致力于通過氧化鎵技術攻克這一難題，其目標是將電動汽車的充電時間從目前碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）技術平均所需的60分鐘，大幅縮短至10分鐘以內。
據了解，NexiGO將采用4英寸外延晶圓生產氧化鎵半導體。盡管這一尺寸僅為傳統邏輯與存儲芯片所用12英寸晶圓的三分之一，但公司評估認為，該規模足以滿足歐洲本土電力傳輸的需求。在電力基礎設施領域，充電站等設備需要能夠處理大規模電流沖擊且保持極低損耗的超寬禁帶半導體。氧化鎵擁有約4.8電子伏特（eV）的禁帶寬度，使其在處理高電壓時具備顯著優勢，能有效降低能源傳輸過程中的損耗。
對比目前主流的碳化硅材料，氧化鎵解決方案在性能上實現了質的飛躍：其能源效率提升了10倍，電壓密度承受能力提高了6倍，且生產成本僅為前者的四分之一。除了電動汽車充電樁，NexiGO還將目光投向了可再生能源逆變器、AI數據中心以及導彈追蹤系統等高性能應用場景。作為首批響應歐盟構建自主技術基礎設施需求的功率半導體制造商之一，NexiGO此次獲得的融資無疑為其后續的技術研發與產業化落地注入了關鍵動力。
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