三星正開發(fā)新型封裝技術(shù)，手機也能用上HBM？

2026-05-18 18:51:39　來源: 鎂客網(wǎng)

江蘇舉報

分享至

受AI熱潮的推動，HBM在這幾年實現(xiàn)快速發(fā)展，迭代速度顯著加快，成為市場上最受追捧的DRAM技術(shù)之一。

去年，SK海力士就憑借向英偉達大規(guī)模供應(yīng)HBM3和HBM3E，一度超越三星領(lǐng)跑DRAM市場，這也促使三星加快了相關(guān)技術(shù)研發(fā)的步伐。

據(jù)韓媒ETnews等報道，三星電子正在開發(fā)一種獨特的封裝技術(shù)，目的是讓智能手機和平板電腦等移動設(shè)備也能夠使用HBM芯片，從而讓這些移動設(shè)備也能運行本地AI計算平臺。

目前，HBM主要應(yīng)用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，而移動設(shè)備使用的DRAM普遍采用銅線鍵合或引線鍵合技術(shù)，這種技術(shù)使得I/O引腳數(shù)量局限在128至256個，不僅存在較大的信號損耗，散熱效率也不足，難以滿足端側(cè)AI對高帶寬、低功耗的需求。

針對這一瓶頸，三星計劃采用超高縱橫比銅柱，結(jié)合扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)，同時對現(xiàn)有的垂直銅柱堆棧（VCS）技術(shù)進行改進，最終達到適配HBM內(nèi)存的目的。在VCS技術(shù)上，三星已經(jīng)實現(xiàn)了關(guān)鍵創(chuàng)新，將銅柱的縱橫比從現(xiàn)有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，因此可以在有限的移動設(shè)備空間內(nèi)塞入更多銅線，顯著提升帶寬。

目前，該封裝方案此前已應(yīng)用于Exynos 2600等系統(tǒng)級芯片，能有效增強散熱能力和持續(xù)工作負載性能，這也給三星一點信心。

不過，縱橫比的提升會導(dǎo)致銅柱直徑縮小，一旦直徑低于10微米，銅柱就可能出現(xiàn)彎曲甚至斷裂的情況，影響結(jié)構(gòu)可靠性，所以FOWLP技術(shù)的作用就是通過對芯片進行模塑處理，將布線向外部延伸，從而起到了支撐銅柱、防止變形的作用，同時引腳數(shù)量也能相應(yīng)增加。

經(jīng)測算，這套方案可使帶寬提升15%-30%，還能實現(xiàn)超過1.5倍的內(nèi)存堆疊數(shù)量，所以該封裝技術(shù)也被命名為“多層堆疊FOWLP”。

目前，這項移動HBM封裝技術(shù)仍處于研發(fā)階段，具體的商用時間尚未明確。

從時間表推斷，該技術(shù)有望在Exynos 2800或Exynos 2900上試用，其中Exynos 2800已經(jīng)三星自研GPU，因此使用HBM內(nèi)存的可能性非常大。不過有業(yè)內(nèi)人士表示，由于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)BM的需求短期內(nèi)仍將保持強勁，所以移動HBM的研發(fā)和量產(chǎn)速度可能會略滯后于計劃。另外，成本問題也是HBM落地移動終端的門檻。

傳言蘋果也要在手機上使用HBM，不過當前存儲器價格偏高，其他智能手機廠商都在選擇觀望，只有待價格穩(wěn)定后才會評估其經(jīng)濟可行性。

因此，未來數(shù)年內(nèi)，移動設(shè)備提升本地AI能力的主要方式仍將集中在芯片算力優(yōu)化和存儲系統(tǒng)升級上。

記得星標微信公眾號：鎂客網(wǎng)（im2maker），更多干貨在等你

特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)。

Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.