湖南
有一個很簡單事實，那就是目前國產內存確實是崛起了。
畢竟連蘋果都想要采購中國的內存了，那證明中國內存，在品質上，在技術上都達到了蘋果的要求，而蘋果的要求是全球最嚴格的，一旦被蘋果看中，意味著什么大家都懂的。
不過說實話，雖然國產內存確實是崛起了，但真要論技術，與三星、美光等頂級廠商相比，還是落后1-2代的。
目前的內存，主要是兩種，一種是DDR內存，一種是HBM內存。
我們從這兩種來仔細看一看，大家就懂了。
DDR內存是DDR1--DDR5，再到DDR6這樣的，然后各代之間，還有一些移動版本，比如LPDDR5/LPDDR5X等。
目前從大版本來看，長鑫穩定是量產了DDR5、LPDDR5X等，似乎追上了三星們，畢竟三星們也只是穩定量產DDR5。
但事實上，三星們已經試產出了DDR6，這一點上，還是落后有一丟丟的。
當然，這都不是重要，重點是在制造工藝上，是落后1-2代的。
三星的工藝路徑是1x→1y→1z→1a→1b→1c，目前進入了1c工藝，也就是11-12nm的水平，而美光、SK海力士與三星是差不多同進度的。
長鑫呢，因為沒有EUV光刻機，是基于DUV光刻機的，再加上美國對先進設備的封測，較難進入14nm及以下的工藝。
所以目前的主要是G3（等效 1y/1z，17nm），目前實現了G4（等效 1z，16nm），但產能還在爬坡中，預計今年會量產G5（1a,15nm)，也就是15nm，所以從1a到1c，中間隔了兩代。
再看HBM這一塊，這一種芯片，其實是一種堆疊式的DRMA，它通過3D堆棧工藝和硅通孔（TSV）技術垂直堆疊多個DRAM芯片，比DDR技術難度更高，更考慮工藝水平。
目前三星已經量產了HBM4，像美光、SK海力士們，也達到了HBM4的水平。
但是長鑫，因為只有G4，也就是16nm的工藝，所以目前還處于HBM2的水平，也是落后2代左右。
當然，目前有了韜定律，接下來也許能夠利用 3D DRAM 架構突破，就算沒有EUV，也能實現等效14nm或以下工藝，這樣縮小與三星們的差距。
但實話實說，就目前來看，國產內存與三星們相比，在技術上還是落后1-2代的，還需要持續的努力才行，還有很大的提升空間，并不是真的全面追上了。
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