湖南
目前，中芯已經有7nm芯片工藝，這基本上已經是大家不再懷疑的事實了。
畢竟基于中芯的7nm工藝，已經量產了很多顆芯片了，比如麒麟芯片，昇騰芯片等等，這些都是最好的例子。
而近日，國外知名媒體TechInsights深度拆解了中芯的一些芯片，探索中芯在沒有EUV光刻機的情況之下，是怎么實現7nm工藝的。
按照對方的拆解，發現中芯的7nm芯片，是使用深紫外光（DUV）浸沒式光刻機制造的，通過四重或三重曝光來實現超衍射極限的特征尺寸。
因為沒有EUV，所以分辨率相對沒那么高，中芯國際只能在關鍵層反復進行DUV多圖案化，也就是多重對準，另外還采用了自對準雙圖形等工藝等。
從其拆解來看，中芯的7nm芯片，采用的還是14nm工藝使用的FinFET晶體管技術，只是在高κ金屬柵極結構上做了匹配性縮放，以實現7nm的工藝。
不過對方也稱，因為使用DUV光刻機，進行多重曝光，所以刻錄效率會低很多，且良率也會很低，所以成本會較高。
但隨著7nm芯片的是量產后，不斷的改進，良率已經迅速的提升，且成本也迅速的降低，預計接下來，產能會大大的提升。
對方甚至還透露出，目前利用DUV光刻機，中芯的5nm芯片，已經在試產了，只是良率不高，經濟性差一點，但在2026年目標是產出160萬顆5nm芯片。
對方認為，目前的技術通路已經打開了，那么后續的問題，就不再是問題了。
此外，報告還分析稱，之前臺積電從16nm進入到7nm花了三年多時間，中間還經歷了10納米節點，而三星從14nm進入7nm，花了五年時間。
而現在中芯在沒有EUV的情況下，從14納米迭代到7納米，也只花了2年左右的時間，這個進度，其實是比臺積電更快的。
很明顯，中芯在打壓之下，確實進行了大突破。接下來隨著韜定律發布，EUV雖然還重要，但是卻沒有那么重要了，基于DUV，我們也可以制造出更先進的芯片了。
這也意味著，美國的打壓，算是徹底失敗了，你覺得呢？
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