阿斯麥業績超預期：“這種情況我們很多年未曾遇到過”

記者 鄭晨燁

7月15日，全球最大的光刻設備制造商阿斯麥（ASML）發布了2026年第二季度業績報告。

報告顯示，該公司當季收入93.27億歐元，同比增長21.3%；凈利潤29.18億歐元，同比增長27.4%，凈利潤率31.3%；毛利率54.0%，高于此前51%至52%的指引區間。另外，ASML還將2026年全年收入指引上調至430億至450億歐元，這是其年內第二次上調。

ASML目前是全球唯一能制造EUV光刻機（極紫外光刻機）的企業。EUV光刻機使用波長13.5納米的極紫外光作為光源，是制造7納米及以下先進芯片的必需設備。根據公開信息，目前在售的EUV光刻機單臺售價超過2億美元。

最近一段時間，芯片行業出現了以多層堆疊為代表的技術方向，目標是在不追逐最先進光刻設備的條件下繼續提升芯片性能。圍繞這條路線的討論持續升溫，先進制程光刻設備在新的技術方向下還有多重要，是當前半導體行業爭論的焦點之一。

在行業討論先進制程光刻設備能否繞開的時候，ASML把全年收入預期推到了上市以來的最高水平。ASML首席財務官羅杰·達森（Roger Dassen）在第二季度電話會上表示，客戶傳遞的需求信號非常強勁，EUV光刻機訂單已提前兩年開始積累，“這種情況我們很多年未曾遇到過”。

二季報超預期

根據財報，ASML的收入由兩部分構成。

一部分是光刻系統的銷售，包括EUV光刻機和DUV光刻機（深紫外光刻機）各型號的新機出貨以及少量二手設備交易。另一部分是裝機管理業務，包括對已售出設備的服務、備件供應和性能升級等。對于ASML的客戶而言，買入一臺光刻機只是開始，只要設備還在晶圓廠中運行，維護、備件和升級的費用就會持續產生，這部分收入的穩定性較高。

2026年上半年，ASML總收入180.93億歐元，同比增長17.2%；凈利潤52.36億歐元（歐盟國際財務報告準則口徑），同比增長4.1%。其中裝機管理業務上半年收入52.49億歐元，同比增長28.1%，占總收入的比重升至29%。

第二季度單季，ASML光刻系統銷售額65.65億歐元，裝機管理業務收入27.62億歐元，合計收入93.27億歐元；凈利潤29.18億歐元，每股收益7.59歐元。

一位長期跟蹤半導體設備的券商分析師向經濟觀察報記者分析，ASML第二季度收入與毛利率雙雙超過指引上沿，裝機管理業務是主要貢獻，原因是客戶在現有晶圓廠中迫切需要擴大產能，性能升級的需求非常強勁。

ASML上半年銷售的光刻系統按終端用途分為邏輯類和存儲類。其中邏輯類系統銷售額64.43億歐元，存儲類系統銷售額64.02億歐元，兩者體量已基本持平。值得關注的是，作為全球主要存儲芯片廠商三星電子和SK海力士的所在地，韓國是ASML 2026年上半年最大的單一市場，上半年貢獻收入70.86億歐元。

ASML首席執行官克里斯托夫·福凱（Christophe Fouquet）在第二季度業績說明中給出了2026年全年的分業務收入指引——與先進邏輯芯片相關的凈系統銷售額預計同比增長約25%，與存儲芯片相關的凈系統銷售額預計同比增長約75%，EUV設備的凈系統銷售額預計同比增長約45%。

也就是說，存儲芯片正成為ASML各業務板塊中收入增速最快的方向。

另外，ASML相關財報顯示，中國大陸客戶占其總凈銷售額的比重在過去幾年波動明顯：2023年，中國大陸客戶占比為29.1%；2024年上升至36.1%，約合102億歐元；進入2026年，ASML給出的全年指引為占比約20%。

這種波動的背景是出口管制的逐步收緊：ASML 2025年年報披露稱，根據荷蘭、美國及其他適用法律，ASML出口EUV光刻機、特定浸沒式DUV光刻機及部分其他產品均需取得出口許可證；公開信息顯示，2018年荷蘭政府曾批準ASML向中國大陸出口一臺EUV光刻機，但該設備始終未能交付，自2019年起EUV光刻機對中國大陸的出口許可未再獲批；2023年，荷蘭將最先進的浸沒式DUV光刻機納入出口許可管理；2024年，在役設備的維修服務也納入了許可范圍；2025年，管制進一步擴展到量測和檢測設備，ASML向中國大陸客戶銷售的設備范圍持續收窄。

ASML首席財務官羅杰·達森在第二季度電話會上說，中國大陸的業務增長與整體業務保持一致，主要來自主流邏輯芯片領域的需求，占比約20%，但基數在變高。

ASML第二季度按臺數出貨最多的機型是KrF光刻機（氟化氪光刻機），共35臺。KrF光刻機使用波長248納米的氟化氪氣體作為光源，主要用于成熟制程芯片的制造。

美銀分析師迪迪埃·謝馬馬（Didier Scemama）在6月份發布的一份研報中認為，中國大陸存儲芯片廠商正在建設新的晶圓廠，待廠房建成投產后將產生新的設備采購需求，ASML來自中國大陸存儲客戶的收入有望在2027年恢復增長。基于這一判斷，美銀將ASML明年來自中國大陸銷售額的預測從持平上調為增長9%。

在收入結構之外，ASML的產能規劃同樣受到市場關注。

ASML的EUV光刻機分為兩代：當前量產的一代稱為“低NA EUV”（NA即數值孔徑，數值孔徑為0.33），下一代稱為“高NA EUV”（數值孔徑為0.55），數值孔徑越大，分辨率越高。

達森在ASML第二季度業績電話會上介紹，ASML當前的低NA EUV年產能約65臺，公司計劃2027年增產約30%，并正在研究2028年繼續增產30%的可行性；浸沒式DUV的年產能約130臺，2027年和2028年同樣各計劃增產約30%。

達森說，ASML 2027年的低NA EUV訂單已接近全覆蓋，2028年的低NA EUV訂單也已提前兩年開始積累，“這種情況我們很多年未曾遇到過”。

ASML正在研究的2028年低NA EUV產能目標是110臺，但達森在電話會上表示，公司尚未收到針對這一目標的正式采購訂單，之所以啟動研究，是因為客戶傳遞的需求信號非常強勁。

前述券商人士告訴經濟觀察報記者，買方在財報前對ASML 2027年EUV出貨量的預期大約在90至100臺，按增產30%推算，ASML給出的節奏約為85臺，其實是低于買方預期的。

ASML的低NA EUV光刻機按照推出時間先后分為D型、E型和F型三代。三代機型的核心差別在于每小時能處理的晶圓數量，E型比D型更快，F型又比E型更快，每一代的單臺售價也隨之提高。

達森亦在第二季度電話會上說，D型是目前在售機型中最早的一代，由于蔡司SMT供應的特定光學組件庫存即將耗盡，這一型號今年將停止生產，明年起ASML只出貨E型和F型。他同時表示，由于新一代機型處理晶圓的速度明顯更快，同樣增產30%的臺數，客戶實際獲得的晶圓產能增長約為45%。

達森在電話會上還強調，當前的市場環境使ASML擁有比過去更大的定價靈活性，公司正在積極落實。他說，過去ASML的慣例是只按照設備生產率的提升來定價，套刻精度（上下兩層圖案的對齊精度）和成像質量方面的改進并不額外收費，但在當前的需求環境下，ASML正在與客戶討論如何就這部分額外價值獲得相應的回報。

曝光越堆越多

在推進現有產品迭代的同時，ASML的下一代產品也迎來了一個新的節點。

7月15日當天，英特爾宣布其代號Panther Lake的Intel Core Ultra Series 3處理器部分產品層采用高NA EUV光刻技術進入量產，為業界首次。高NA EUV是EUV光刻機的下一代產品，其透鏡的數值孔徑從0.33提高到了0.55，分辨率從13納米提高到了8納米，一次曝光可以替代此前需要三到四次低NA曝光才能完成的圖案。

福凱在第二季度電話會上評價，這是高NA EUV技術走向成本優勢“迄今最有力的信號”。

華爾街研究機構伯恩斯坦的分析師大衛·戴（David Dai）在7月6日發布的一篇名為《高NA極紫外光刻成本深度剖析：光刻強度上升》的研報中判斷，高NA EUV更有可能先在存儲芯片領域得到采用，原因是存儲芯片的裸片面積較小，高NA EUV一次曝光就能覆蓋整個芯片。

芯片按功能大致分為兩類。一類是邏輯芯片，負責計算和處理任務，CPU、GPU和AI加速器都屬于這一類。另一類是存儲芯片，負責數據的存放和讀取，DRAM（動態隨機存取存儲器，手機、電腦和服務器中用于臨時存放運行數據的芯片）和NAND（一種非易失性存儲芯片，用于固態硬盤等長期數據存儲）是兩種主要類型。

傳統上，提升芯片性能的主要辦法是把晶體管做得更小，但這條路目前面臨的瓶頸越來越明顯。于是，近期行業出現了多層堆疊的技術方向，即把芯片電路拆分到縱向堆疊的多層晶圓上，層與層之間用微米級的銅連接點對齊鍵合，信號縱向穿越而非在平面上繞行。

在“多層堆疊”的架構下，芯片不必追逐最先進的制程節點，就能在既有節點內提升性能。這條路線降低了對EUV光刻機的依賴，但堆疊架構下的每一層晶圓仍然需要單獨制造，每一層的制造也都包含完整的光刻工序，只是這些光刻工序可以用DUV光刻機完成。

按照鏡頭與硅片之間是否注入液體，DUV分為浸沒式和干式兩種：浸沒式DUV在鏡頭與硅片之間注入一層純水，利用水的折射率提升分辨率，精度更高，主要用于28納米至7納米制程；干式DUV沒有液體介入，成本更低，用于更成熟的制程。

ASML是浸沒式和干式DUV光刻機的主要供應商。

芯片說ICTIME首席分析師林美炳在接受經濟觀察報記者采訪時表示，堆疊路線的工藝代價很明確：每多堆疊一層晶圓，就要多做一輪完整的光刻、薄膜沉積（在晶圓表面覆蓋一層極薄的材料）和化學機械拋光（將晶圓表面磨到納米級平整度）流程，設備和材料的用量接近翻倍。他同時表示，堆疊路線對浸沒式DUV設備的需求不降反升，堆疊的層數越多，浸沒式DUV需要完成的曝光次數就越多。

最近兩年，AI應用的爆發帶動了對高性能存儲芯片的需求，供應緊張促使存儲廠商大規模擴建晶圓廠。與此同時，存儲廠商正從成熟制程向先進制程遷移，新的制程節點需要更多的EUV和DUV曝光層數。

福凱在7月15日的ASML第二季度業績電話會上說，隨著存儲客戶向先進制程節點遷移，DRAM的光刻強度（光刻支出占晶圓廠設備總支出的比重）持續上升，正在快速放量的制程節點采用的EUV工藝層數在增多，多重曝光工藝正在被更具成本效益的單次曝光技術替代。

福凱稱，DRAM對ASML而言是一場“完美風暴”。

ASML預計今年存儲相關系統銷售額增長超過75%。

多家投行在今年二季度發布的研報中也得出了方向一致的判斷。比如，高盛分析師亞歷山大·杜瓦爾（Alexander Duval）在5月底發布的一份研報中認為，以堆疊替代微縮的技術路線意味著更高的光刻強度，尤其是DUV強度；伯恩斯坦分析師大衛·戴也在前述研報中測算，光刻支出占晶圓廠設備總支出的比重將從2025年的約24%升至2028年的約26%。

系統集成和國產替代

公開信息顯示，一臺EUV光刻機重約180噸，包含超過10萬個零件、3000根線纜、4萬顆螺絲和超過2公里的軟管。

它的光源激光器以雙脈沖的方式，每秒擊打約5萬顆直徑約30微米的錫滴，錫滴被擊中后形成溫度約22萬攝氏度（約為太陽表面溫度的30至40倍）的等離子體，等離子體釋放出波長13.5納米的極紫外光，再經由一系列反射鏡組將光束投射到硅片表面。

制造這樣一臺設備需要一個龐大的供應商網絡。根據ASML 2025年年報，該公司共有約5100家供應商，其中與產品直接相關的約900家，其余為非產品類供應商。普華永道則在一份關于ASML供應鏈的研究報告中指出，一臺EUV光刻機約85%的零部件來自外部供應商，ASML自產約15%。

從供應鏈結構看，ASML更接近一個系統集成商的角色，產能上限取決于關鍵供應商的交付能力。而在其900家產品供應商中，有兩家的地位尤為特殊。

第一家是德國光學企業蔡司SMT（Carl Zeiss SMT GmbH）。

ASML在年報中表示，蔡司SMT是ASML透鏡、反射鏡、照明器和收集器等全部光學部件的獨家供應商，雙方簽有排他安排，“公司能生產的光刻系統數量受限于關鍵供應商之一蔡司SMT的產能”。

除了獨家供應關系，ASML還是蔡司SMT的股東和債權人。根據ASML 2016年11月發布的公告，ASML以10億歐元收購蔡司SMT 24.9%的股權，另承諾在六年內提供約2.2億歐元的研發支持和約5.4億歐元的產能投資，主要投向蔡司位于德國奧伯科亨的生產基地。ASML在相關財報中使用“兩家公司，一項事業”來描述雙方的關系，框架協議自1997年延續至今。

蔡司SMT對ASML產能的影響在今年有過具體的體現。比如，達森在第二季度電話會上解釋了ASML今年上半年浸沒式DUV出貨偏少的原因——蔡司SMT按2025年時較低的需求預期準備了浸沒式光學系統的產能，但實際需求遠超預期。

第二家是德國激光企業通快。

根據通快官方信息，該公司是ASML EUV光源激光器的獨家供應商，新一代激光器包含超過45萬個零件，重量超過20噸。另外，根據ASML 2025年10月發布的新聞稿，ASML在當月舉行的供應商日活動上向通快頒發了技術類供應商獎，表彰其新一代EUV高能激光器實現“首光”。

ASML戰略采購高級副總裁希拉·林德斯（Sheila Leenders）在上述新聞稿中表示，ASML非常期待接收通快的新一代激光器，新激光器將提升ASML EUV產品的可用性和功率，同時降低能耗。

蔡司SMT掌握光學系統，通快掌握光源系統，兩家企業都不可替代。而在其他環節，ASML正在盡可能地減少外部依賴。比如，根據公告信息，ASML在過去十余年中先后完成了三樁收購——2012年收購美國光源企業賽默，獲得了EUV和DUV激光光源的自主制造能力；2016年收購荷蘭電子束量測企業漢民微測，補齊了芯片制造過程中檢測圖案缺陷的環節；2020年收購德國精密光學組件企業柏林玻璃，后者主要生產光刻機的晶圓臺（承載和精確移動硅片的平臺）和鏡塊組件。

ASML的供應鏈高度集中在歐洲。而在國內，圍繞光刻機及其零部件的國產替代也在推進。

比如，在整機層面，上海微電子長期從事光刻機整機的研發與制造，是國內這一領域的代表性企業。在零部件和配套環節，一批A股上市公司也具備了相關的技術積累——茂萊光學（688502.SH）從事深紫外光學器件和物鏡鏡頭的研發，相關產品可應用于光刻機的曝光系統；波長光電（301421.SZ）在深紫外光學鏡片、平行光源系統等方向有所布局；美埃科技（688376.SH）則在半導體制造所需的潔凈室過濾設備方面具備供應能力。

這些企業的技術方向，覆蓋了光刻機的光學、光源和配套等多個環節。通過多層堆疊等工藝路線，芯片廠商或許可以降低對EUV設備的依賴，但每一層堆疊的晶圓仍然需要DUV來完成曝光，光刻機本身是繞不開的。

在采訪過程中記者了解到，對于國內半導體產業而言，最先進的EUV光刻機短期內仍是難以逾越的門檻，而DUV環節的國產化條件相對較為成熟，在當前的技術方向上也有更大的騰挪空間。另外，在多層堆疊路線推高光刻強度的趨勢下，DUV恰恰也是未來幾年需求增速最快的光刻設備類型。