SK海力士、美光、英偉達(dá)集體預(yù)警：存儲芯片史上最大短缺要來了？

　　 短短一個月內(nèi)，三家分別處在供應(yīng)鏈上下游關(guān)鍵位置的公司 CEO，就同一件事給出高度一致的判斷：存儲芯片庫存告急。

　　 7 月 10 日，韓國存儲芯片廠商 SK 海力士（SK Hynix）在納斯達(dá)克敲鐘上市當(dāng)天，公司首席執(zhí)行官郭魯正（Kwak Noh-jung）接受采訪時，給出了措辭相當(dāng)強硬的判斷：全球存儲芯片行業(yè)將在 2027 年迎來“史上最嚴(yán)重的供應(yīng)短缺”，客戶需求超過公司產(chǎn)能的局面將持續(xù)到 2030 年之后。

　　 一個月前，美光（Micron）首席執(zhí)行官桑賈伊·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）在業(yè)績電話會上說過幾乎一樣的話：“目前尚不清楚存儲供應(yīng)何時能追上持續(xù)攀升的需求”。幾乎同期，英偉達(dá)（Nvidia）創(chuàng)始人黃仁勛也在公開場合表示，AI 存儲的短缺將持續(xù)數(shù)年，SK 海力士仍將是英偉達(dá)最大的存儲供應(yīng)商。

　　 為應(yīng)對這一局面，下游客戶正在用行動投票。郭魯正特別提到，客戶正在密集簽署長期供貨合同，“因為他們相信短缺會持續(xù)更長時間”。

　　 不過，這場看起來共識度極高的緊缺預(yù)警，究竟是一次迫在眉睫的產(chǎn)業(yè)危機，還是一場服務(wù)于各方利益的精心敘事？

　　 先說結(jié)論：供給端確實存在難以在短期內(nèi)消解的物理瓶頸，但三位 CEO 選擇在此刻集體發(fā)聲的時間節(jié)點，也恰好服務(wù)于各自的商業(yè)訴求。

　　 尤其需要注意的是，這輪緊缺中，需求側(cè)的性質(zhì)與以往任何一次存儲周期都不一樣：此前往往是脈沖式需求，但大模型訓(xùn)練與推理對存儲帶寬存在結(jié)構(gòu)性依賴。

　　 不是不想擴，是擴不動

　　 在產(chǎn)業(yè)端，真正卡住整條鏈路的是HBM 的堆疊工藝，以及臺積電（TSMC）的先進封裝產(chǎn)能，這些都不是砸錢就能立刻解決的問題。

　　 HBM 是專門為高性能計算和 AI 加速器設(shè)計的一種存儲芯片。對比來看，當(dāng)前主流的電腦內(nèi)存 DDR5是將DRAM 芯片平鋪在電路板上，通過相對窄的數(shù)據(jù)通道跟 CPU 通信。HBM 則把多層 DRAM 芯片垂直堆疊，中間用硅通孔（TSV）連結(jié)，形成立體的存儲塊。

　　圖 | HBM3（來源：SK Hynix）

　　 生產(chǎn)階段，1GB 的 HBM 大約需要占用相當(dāng)于 4GB DRAM 的晶圓面積；價格層面，HBM 相比目前主流電腦內(nèi)存 DDR5 存在 5~6 倍的價格溢價。HBM 目前只占全球 DRAM 出貨量的約 8%，卻貢獻了大約 30% 的 DRAM 營收。

　　 HBM 的堆疊工藝與傳統(tǒng) DRAM 迥異，需要專門的產(chǎn)線和設(shè)備，SK 海力士花了將近十年才把量產(chǎn)良率做到可接受的水平。

　　 堆疊之后，HBM 與相鄰的 GPU/CPU 之間可以架起超一千條數(shù)據(jù)走線（DDR5 通常只有幾十到一百多條），單位時間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量是 DDR5 的十幾倍。這一高帶寬特性緩解了大模型訓(xùn)練和推理中的“存儲墻”問題，成為英偉達(dá)H100、H200、B200等AI 加速器的標(biāo)配。

　　 但HBM的走線密度無法在傳統(tǒng)印刷電路板（PCB）或基板上實現(xiàn)，也不能直接焊在主板上，必須借助臺積電的 CoWoS等硅中介層，把 HBM 和計算芯片集成進一個 2.5D 封裝體里。

　　 即便 HBM 的產(chǎn)能跟上了，封裝端也不放行。預(yù)計到 2026 年底，臺積電的 CoWoS 產(chǎn)能可擴產(chǎn)到 12 萬至 14 萬片，2026 年供需缺口預(yù)計從當(dāng)前的約 20% 收窄至 10% 左右。即便如此，目前CoWoS 的交付周期依然拉長到50周以上，2納米制程訂單排到了2028年。

　　 摩根士丹利的報告指出，臺積電2026 年的 CoWoS 產(chǎn)能已經(jīng) 100% 被預(yù)訂。產(chǎn)能限制已經(jīng)蔓延到設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)，砸錢建廠的常規(guī)解法都不奏效了。

　　 CEO喊缺的多重動機

　　 供給端瓶頸是真實的，但 CEO 們在此刻集體喊缺，也有各自明確的商業(yè)邏輯。

　　 郭魯正此次發(fā)聲，正值SK 海力士完成 265 億美元美國存托憑證（ADR）發(fā)行、創(chuàng)下外資企業(yè)赴美首次發(fā)行規(guī)模紀(jì)錄的當(dāng)口。

　　（來源：Nasdaq）

　　 市場對存儲芯片長期景氣度的信心，直接影響著這次發(fā)行后 SK 海力士的估值穩(wěn)定性。SK 海力士的股價在過去 12 個月已經(jīng)上漲超 7 倍；公司2025 年營業(yè)利潤達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 47萬億韓元（約 310 億美元），是 2024 年的兩倍。飛速飆升的股價與利潤軌跡背后，的確需要長期緊缺敘事作為支撐，才能抵御近期市場對 AI 投資周期見頂?shù)膿?dān)憂。

　　 美光的處境與SK 海力士類似。CEO桑賈伊在6月財報電話會上的表態(tài)，直接引導(dǎo)了投資者對后續(xù)季度業(yè)績的預(yù)期。

　　 至于英偉達(dá)，黃仁勛當(dāng)然希望市場對 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的投資周期繼續(xù)保持樂觀，畢竟其 AI 加速器的成本結(jié)構(gòu)里，HBM 占比正在快速上升。

　　 供應(yīng)預(yù)期越緊，HBM 廠商在與英偉達(dá)和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商談判時的話語權(quán)就越強。SK 海力士、三星、美光這三家 HBM 廠商的 2026 年產(chǎn)能據(jù)稱已全部售罄。長期合同能對沖未來供過于求的風(fēng)險，其鎖定的不只是供應(yīng)量，還有定價權(quán)。

　　 只是，供應(yīng)緊張的事實與 CEO 夸大短缺程度的敘事之間，未必矛盾。這樣的故事在其他領(lǐng)域也曾上演過。

　　 2021 年汽車芯片短缺期間，各家廠商發(fā)出了高度一致的緊缺預(yù)警，客戶爭相鎖定長期供貨協(xié)議，晶圓代工價格連續(xù)多個季度上漲。然而供需逆轉(zhuǎn)的速度遠(yuǎn)超當(dāng)時市場共識，到 2023 年上半年，多數(shù)汽車芯片品類已經(jīng)從緊缺轉(zhuǎn)為過剩，晶圓價格出現(xiàn)罕見的季度環(huán)比下調(diào)。

　　 為什么這次不會快速逆轉(zhuǎn)

　　 如果我們據(jù)此得出“緊缺是真的，但持續(xù)時間可能被高估”的結(jié)論，也不夠準(zhǔn)確。2026 年這輪存儲緊缺與 2021 年汽車芯片荒之間，還存在一個本質(zhì)區(qū)別：需求側(cè)的性質(zhì)完全不同。

　　 2021 年汽車芯片的緊缺源于需求脈沖：汽車廠商在疫情初期砍單，消費需求快速反彈時，產(chǎn)能又被消費電子占據(jù)，形成階段性錯配。這種脈沖式需求在產(chǎn)能追上之后自然回落，行業(yè)周期從緊缺到過剩的翻轉(zhuǎn)發(fā)生得很快。

　　 但AI 對 HBM 的需求不是脈沖。大模型訓(xùn)練和推理對存儲帶寬存在結(jié)構(gòu)性依賴：模型參數(shù)規(guī)模每翻一倍，對 HBM 容量和帶寬的需求都會相應(yīng)提升。

　　 行業(yè)內(nèi)，英偉達(dá)Rubin Ultra 等下一代 AI 加速器規(guī)劃中，單 GPU 的 HBM 容量將推高至 1TB 級別；博通（Broadcom）為谷歌、Meta 等超大規(guī)模客戶設(shè)計的定制 ASIC 同樣在快速拉高 HBM 采購量；亞馬遜則采取了直接采購 HBM 的策略。在可預(yù)見的未來，HBM 需求持續(xù)擴張的趨勢并沒有反轉(zhuǎn)的跡象。

　　 （來源：Nvidia）

　　 需求性質(zhì)的差異，決定 HBM 行業(yè)“ 缺了就擴、擴了就過?！钡闹芷诠?jié)奏可能被拉長。瑞銀（UBS）預(yù)計 ，全球 DRAM 行業(yè)至少到 2028 年第二季度才能重新回到供需平衡。

　　 短期鎖定供應(yīng)，長期看架構(gòu)

　　 相關(guān)行業(yè)應(yīng)作短期和長期的兩手打算。

　　 短期層面，硬件采購成本的抬升幾乎不可避免。數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器采購預(yù)算、AI 訓(xùn)練集群的 HBM 配置、終端設(shè)備（手機、PC、汽車）的存儲規(guī)格，都可能面臨漲價或規(guī)格妥協(xié)。

　　 順帶一提，三星、SK 海力士等廠商在擴產(chǎn) HBM 時，實際上是在把傳統(tǒng) DDR5產(chǎn)線的晶圓抽走，這正是 2025 年下半年以來消費級 DDR5 價格的根本原因。

　　 對于依賴 GPU算力的AI項目，提前鎖定長期供貨合同，尤其是與已有CoWoS產(chǎn)能配額的AI芯片供應(yīng)商建立穩(wěn)定關(guān)系，正在從“可選項”變成“必選項”。

　　 中長期層面，值得關(guān)注的是存儲架構(gòu)的替代路徑。存內(nèi)計算（CIM）和近存計算（PIM）都是與堆疊 HBM 并行的技術(shù)路線：把計算單元搬到存儲陣列內(nèi)部或緊鄰存儲的位置，從根本上減少數(shù)據(jù)在存儲和計算單元之間的搬運，繞開存儲帶寬的限制。

　　 目前，SK 海力士和三星正在推動低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) LPDDR6-PIM 的產(chǎn)業(yè)化；清華大學(xué)、華為與字節(jié)跳動聯(lián)合團隊發(fā)布了基于28納米工藝的混合存內(nèi)計算芯片；國內(nèi)首款存算一體的智駕芯片、后摩智能的鴻途 H30 已在2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)；美國公司 d-Matrix 的數(shù)字存算AI 推理芯片也已開始出貨。行業(yè)預(yù)測，2025 年全球存算一體芯片市場規(guī)模已經(jīng)突破 120 億美元，中國廠商占據(jù)約 30% 的份額。

　　 不過，存算一體和近存計算目前的落地場景主要集中在推理側(cè)和邊緣端，AI 訓(xùn)練環(huán)節(jié)對精度、通用性和帶寬的綜合要求，使HBM+GPU 的組合短期內(nèi)還無法被新架構(gòu)完全替代。

　　 對于希望降低對 HBM 依賴度的下游廠商，尤其是終端 AI 設(shè)備和垂直行業(yè)推理場景，現(xiàn)在開始評估在自身產(chǎn)品棧中引入相關(guān)方案的可行性，已經(jīng)是理性選擇。

　　 存儲芯片行業(yè)的周期性從未消失。過去二十年，DRAM 經(jīng)歷過多輪緊缺-過剩循環(huán)，反轉(zhuǎn)通常在兩到三年內(nèi)發(fā)生。但AI 帶來的結(jié)構(gòu)性需求是這一輪周期中的關(guān)鍵新變量，它有可能讓這次緊缺持續(xù)得比歷次都長。

　　 參考內(nèi)容：

　　 https://www.reuters.com/world/asia-pacific/sk-hynix-ceo-sees-worst-ever-memory-supply-shortage-2027-says-demand-outstrip-2026-07-10/

　　 https://www.bloomberg.com/news/articles/2026-07-10/sk-hynix-chief-expects-memory-shortage-to-last-into-next-decade