中韓雙雄會師資本市場 存儲新周期啟幕

2026年7月，全球存儲產業迎來資本密集期——韓國存儲巨頭SK海力士正式登陸納斯達克，創下外國企業赴美IPO募資規模新紀錄；幾乎同一時間，中國DRAM龍頭長鑫科技啟動科創板發行程序，擬募資295億元成為科創板史上第二大IPO。兩大存儲巨頭先后叩開資本市場大門，恰逢AI驅動的存儲超級景氣周期頂點，賺得盆滿缽滿的財報背后，既有行業紅利普漲的共性，也暗藏著兩條截然不同的發展路徑。

一個依托本土市場極速追趕，一個憑借技術壁壘收割全球溢價——當長鑫科技與SK海力士在資本舞臺上同框亮相，兩份招股書揭開的不只是財務家底，更是全球存儲產業新格局的底牌。

營收規模：巨人領跑，新星疾馳

從絕對體量看，SK海力士作為全球第二大存儲廠商，營收規模仍對長鑫存儲構成數量級優勢。招股書顯示，SK海力士2023年至2025年營業收入分別為213.75億美元、431.94億美元和637.65億美元，兩年間營收增長近兩倍。2026年第一季度，公司單季營收達345.1億美元，同比激增198%，已超過2023年全年水平。

長鑫存儲的營收基數雖小，但增長勢頭更為迅猛。2023年至2025年，公司營業收入從90.87億元增至617.99億元，復合增長率高達160.78%。進入2026年，增長曲線進一步陡峭——一季度單季營收508億元，同比暴漲719%，接近2025年全年總和；公司預計上半年營收將達1100億至1200億元，同比增幅超600%。

兩家公司營收爆發的底層邏輯既有共性也存差異。共性在于全球DRAM價格周期的強力上行，2024年末以來DDR5現貨價格累計漲幅約4倍，HBM高階產品價格也持續增長，全行業量價齊升。差異則體現在產品結構上，SK海力士的增長由HBM等高附加值產品主導，AI相關業務營收占比已接近五成；長鑫存儲的增長更多來自傳統DRAM產能釋放與國產替代滲透率提升。

盈利能力：周期紅利下利潤率狂飆

盈利能力是本次兩家招股書最受市場關注的指標，二者均創下歷史最佳盈利水平。

SK海力士2025年實現凈利潤281.9億美元，凈利率達44.2%；2026年一季度營業利潤率攀升至72%，不僅高于臺積電同期的58.1%，也超過英偉達約65.6%的營業利潤率水平，創下全球半導體行業大型企業利潤率的新紀錄。如此高的利潤率主要源于HBM業務的超強定價權——SK海力士HBM全球市占率達56-58%，長協訂單已鎖定至2028年，單GB定制化HBM報價高達120至200美元，毛利率遠超傳統DRAM。

長鑫存儲的盈利反轉同樣驚人。2024年公司歸母凈利潤仍虧損71.45億元，2025年便實現扭虧，歸母凈利潤18.75億元，2026年一季度歸母凈利潤躍升至247.62億元。公司預計上半年歸母凈利潤500億至570億元，日均盈利超3億元，足以覆蓋過去九年累計虧損后仍有富余。

但需客觀看待二者高利潤率的構成差異。SK海力士的高毛利建立在產品結構升級之上，HBM等高階產品貢獻了主要利潤增量，具備較強的技術壁壘支撐。長鑫存儲當前的高利潤率更多受益于行業價格普漲，專業媒體SemiAnalysis分析其單位比特成本仍比國際三大巨頭高出30%以上，產品以主流DDR5和LPDDR5為主，HBM尚處于研發試產階段，一旦行業價格回落，利潤率彈性可能更大。

從毛利率走勢看，長鑫存儲的改善幅度更為陡峭。2023年公司綜合毛利率仍為負值，2024年轉正至5%左右，2025年快速提升至41%；SK海力士2025年綜合毛利率約49%，2026年一季度受HBM占比提升進一步走高，整體盈利質量更為穩固。

研發投入：持續布局新一代存儲構筑領先優勢

在技術密集的存儲賽道，研發投入力度與方向決定了未來的座次。兩家公司在研發投入上呈現"強度相近、量級懸殊"的特征。

長鑫存儲2025年研發支出95.93億元，研發費用率15.52%，顯著高于同期SK海力士6.66%、三星11.31%和美光10.16%的研發費率水平。2023年至2025年，公司累計研發投入206億元，占同期營收比例達21.67%，資金主要投向LPDDR5、DDR5等當前主流制程的良率提升與量產，并向HBM等高端封裝技術進行探索性布局。身處國際出口管制的大背景下，高額研發既是主動進攻，也是構筑供應鏈安全堡壘的必需品。

SK海力士2024年研發投入約4萬億韓元，2025年進一步增長。從絕對金額看，其研發規模約為長鑫存儲的三至四倍，在EUV光刻工藝、HBM堆疊技術等前沿領域積累深厚。其研發聚焦于HBM3E及下一代HBM4，以及300層以上NAND閃存，技術代際領先優勢明顯。

研發策略上，兩家公司走了截然不同的路徑。SK海力士采取"順代迭代"策略，緊跟摩爾定律推進制程微縮，同時在HBM等新形態上引領行業標準。長鑫存儲則采用"跳代研發"策略，十年間完成從第一代到第四代工藝平臺的量產跨越，在沒有EUV設備的條件下通過多重曝光等技術創新實現工藝追趕，目前已量產DDR5和LPDDR5X產品，速率指標進入全球第一梯隊。

產品結構：分層競爭格局

產品結構差異是兩家公司最核心的分野，也決定了各自在產業價值鏈中的位置。

SK海力士已形成完整的產品矩陣。DRAM領域，HBM、服務器DDR5、移動LPDDR5X三大產品線齊頭并進，其中HBM全球市占率第一，是英偉達、AMD等AI芯片廠商的核心供應商。NAND閃存領域，公司通過收購英特爾閃存業務躋身全球第二，企業級SSD業務增長迅速。整體來看，AI相關業務已成為SK海力士第一增長引擎，

長鑫存儲目前產品集中在主流DRAM市場。DDR系列占營收約28%，LPDDR系列占70%，服務器級DRAM占比逐年提升至25%。客戶群體以國內云廠商、消費電子品牌為主，阿里云、騰訊、字節跳動、聯想、小米等均為核心客戶，安卓手機市場采用率已突破30%。HBM產品方面，公司已交付HBM3樣品，計劃2026年底小規模量產，但短期內難以貢獻顯著收入。

市場份額層面，SK海力士56.4%的市占率位居全球HBM賽道首位，加上NAND業務整體規模更為龐大。長鑫存儲以7.7%的市占率位列全球第四，一年間份額提升近5個百分點，是前四大廠商中增速最快的一家，打破了此前三星、SK海力士、美光三家壟斷近九成市場的格局。

產能擴張與資本規劃：募資投向各有側重

兩家公司本次上市募資均主要投向產能擴張與技術研發，但節奏和重點各有側重。

SK海力士本次美股募資約265億美元，創下外國企業赴美IPO歷史紀錄。募資將主要用于清州、龍仁等地的HBM產線擴建，以及下一代HBM5、1b nm DRAM工藝研發。公司手握充?，F金，2026年一季度末貨幣資金超3.2萬億韓元，資產負債率26%，財務結構健康，本次募資更多是戰略層面的全球化資本布局，而非單純的資金需求。

長鑫存儲科創板擬募資295億元，全部投入DRAM工藝研發與產能擴建。公司目前合肥、北京三地三座12英寸晶圓廠月產能約30萬片，產能利用率超95%。募資投產后，2026年底月產能目標提升至40萬片，上海新工廠建成后還將新增40至60萬片月產能，遠期目標全球市場份額15%至20%。相對于SK海力士，長鑫存儲的募資更具現實緊迫性，是支撐其產能爬坡和技術追趕的關鍵資金來源。

結語

站在AI存儲超級周期的時點回望，SK海力士與長鑫存儲的先后上市，勾勒出全球存儲產業兩條并行的成長曲線。

SK海力士以無可爭議的技術與規模優勢，昭示著領跑者的溢價能力；長鑫存儲則以極速的成長、歷史性的盈利拐點以及毫不惜力的研發豪情，展現出追趕者的韌性。

客觀而言，二者在技術代際、產品高端化程度、全球客戶覆蓋等方面仍有明顯差距，長鑫存儲在HBM、先進制程等領域還需持續追趕。但不可否認的是，中國存儲廠商已真正登上全球競爭的主舞臺，在DRAM這個曾經高度壟斷的賽道上，全球第四的位置正在從"參與者"向"改變者"演進。

存儲行業的周期性從未改變，但AI浪潮正在重塑周期的振幅與結構。對于SK海力士，考驗在于能否將HBM的領先優勢轉化為長期技術壁壘；對于長鑫存儲，挑戰在于如何在周期波動中持續縮小技術差距，完成從規模擴張到價值升級的跨越。兩家公司的資本之路，正是全球存儲產業新格局的縮影。